最新提示☆ ◇300316 晶盛机电 更新日期：2025-12-07◇ 通达信沪深京F10
★本栏包括【1.最新提示】【2.互动问答】【3.最新公告】【4.最新报道】
【5.最新异动】【6.大宗交易】【7.融资融券】【8.风险提示】
【1.最新提示】
【最新提醒】
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│●最新主要指标 │ 2025-09-30│ 2025-06-30│ 2025-03-31│ 2024-12-31│
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│每股收益(元) │ 0.6900│ 0.4900│ 0.4400│ 1.9200│
│每股净资产(元) │ 13.3248│ 13.0951│ 13.1315│ 12.6925│
│加权净资产收益率(%) │ 5.3100│ 3.7900│ 3.3900│ 15.9700│
│实际流通A股(万股) │ 123155.54│ 123155.54│ 123155.54│ 123155.54│
│限售流通A股(万股) │ 7797.84│ 7797.84│ 7797.84│ 7797.84│
│总股本(万股) │ 130953.38│ 130953.38│ 130953.38│ 130953.38│
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│●最新公告:2025-11-11 16:37 晶盛机电（300316）：关于2022年员工持股计划实施完毕的公告(详见后) │
│●最新报道:2025-11-27 20:00 晶盛机电(300316)2025年11月27日投资者关系活动主要内容(详见后) │
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│●财务同比:2025-09-30 营业收入(万元):827322.10 同比增(%):-42.86；净利润(万元):90110.36 同比增(%):-69.56 │
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│最新分红扩股: │
│●分红:2025-06-30 不分配不转增 │
│●分红:2024-12-31 10派4元(含税) 股权登记日:2025-05-27 除权派息日:2025-05-28 │
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│●股东人数:截止2025-09-30,公司股东户数86794,增加25.88% │
│●股东人数:截止2025-06-30,公司股东户数68950,减少1.41% │
│(详见股东研究-股东人数变化) │
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│●2025-11-28投资者互动:最新3条关于晶盛机电公司投资者互动内容 │
│(详见互动回答) │
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│●拟增减持: │
│●拟减持:2025-10-17公告，运营副总裁2025-11-08至2026-02-07通过集中竞价,大宗交易拟减持小于等于60.62万股,占总股本0.05│
│% │
│●拟减持:2025-10-17公告，副总裁2025-11-08至2026-02-07通过集中竞价,大宗交易拟减持小于等于11.08万股,占总股本0.01% │
│●拟减持:2025-10-17公告，副总裁2025-11-08至2026-02-07通过集中竞价,大宗交易拟减持小于等于75.28万股,占总股本0.06% │
│●拟减持:2025-10-17公告，董事、副总裁2025-11-08至2026-02-07通过集中竞价,大宗交易拟减持小于等于107.51万股,占总股本0│
│.08% │
│●拟减持:2025-10-17公告，副总裁、财务总监兼董事会秘书2025-11-08至2026-02-07通过集中竞价,大宗交易拟减持小于等于23.1│
│4万股,占总股本0.02% │
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【主营业务】
半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件
【最新财报】
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│最新主要指标 │ 2025-09-30│ 2025-06-30│ 2025-03-31│ 2024-12-31│
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│每股经营现金流(元) │ 0.2900│ 0.3410│ 0.3020│ 1.3540│
│每股未分配利润(元) │ 9.2030│ 9.0029│ 9.3518│ 8.9143│
│每股资本公积(元) │ 2.6093│ 2.5798│ 2.2673│ 2.2657│
│营业收入(万元) │ 827322.10│ 579895.11│ 313780.39│ 1757661.27│
│利润总额(万元) │ 102892.84│ 73033.86│ 66751.96│ 307032.63│
│归属母公司净利润(万) │ 90110.36│ 63900.63│ 57289.86│ 250973.00│
│净利润增长率(%) │ -69.56│ -69.52│ -46.44│ -44.93│
│最新指标变动原因 │ ---│ ---│ ---│ ---│
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【近五年每股收益对比】
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│年份 │ 年度│ 三季│ 中期│ 一季│
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│2025 │ ---│ 0.6900│ 0.4900│ 0.4400│
│2024 │ 1.9200│ 2.2600│ 1.6000│ 0.8200│
│2023 │ 3.4900│ 2.6900│ 1.6900│ 0.6800│
│2022 │ 2.2600│ 1.5600│ 0.9400│ 0.3400│
│2021 │ 1.3300│ 0.8600│ 0.4700│ 0.2200│
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【2.互动问答】
┌──────┬──────────────────────────────────────────────────┐
│11-28 │问：公司碳化硅在宁夏、浙江上虞、马来西亚等地都启动开工了生产项目，但这些项目计划什么时候建成、试产、│
│ │量产没有公布无从知晓，是因为商业机密不公布，还是建设过程中需技术攻关的不确定性而无法公布与其他上市公│
│ │司相比，不够公开透明，希望这些项目至少能以半年度口径公布项目计划（比如2026年上半年建成，下半年投产）│
│ │，让投资者对公司有更好的了解。 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。非常感谢您对公司碳化硅项目的关注及提出的宝贵建议。公司高度重视碳化硅业务的发│
│ │展，为把握市场机遇，我们正积极推动相关产能的全球化布局，包括浙江上虞的年产30万片碳化硅衬底项目、马来│
│ │西亚槟城的8英寸碳化硅衬底产业化项目，以及银川的年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目。这些项目的顺│
│ │利实施，将有力增强公司在碳化硅材料领域的技术实力、规模优势和全球供应保障能力。目前，各项目均按计划正│
│ │常推进中，后续进展请关注公司后续披露的公开信息。感谢您的建议和关注。 │
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│11-28 │问：现在光伏行业回暖，公司的石英坩埚产品销售是否也回暖了，价格上升，销量上升没有 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司石英坩埚产品取得了技术和规模双领先，能够供应各种尺寸的半导体及光伏用石英│
│ │坩埚，实现半导体石英坩埚的国产替代，并在半导体合成砂石英坩埚领域实现突破，市占率领先并逐步提升。详细│
│ │业绩信息请关注公司披露的定期报告。感谢您的关注。 │
├──────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│11-28 │问：请问最新的碳化硅 8 英寸衬底的具体良率是多少 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司量产的8英寸碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，技术和规模处于国内前 │
│ │列。感谢您的关注。 │
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│11-20 │问：董秘您好！公司8英寸碳化硅衬底已实现规模化量产，想请教：当前该规格衬底中，用于储能领域（如储能逆 │
│ │变器功率器件）的供货占比约为多少针对储能场景高压、高可靠性的需求，公司衬底在性能指标（如载流子浓度、│
│ │少子寿命）上是否做了针对性优化，核心参数与行业同类产品相比有何差异化优势 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅 │
│ │衬底核心参数指标达到行业一流水平，8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列，公司积极推进碳化硅衬底在全 │
│ │球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。同时公司首条12│
│ │英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。具体进展情况请关注公司后续的公开信息。感谢您的关注。 │
├──────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│11-20 │问：董秘您好，请问贵公司目前半导体设备及材料的生产及销售情况如何目前产能能满足客户需求吗谢谢！ │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件领域，受│
│ │益于半导体行业持续发展及国产化进程加快，公司半导体业务持续发展，截至2025年6月30日，公司未完成集成电 │
│ │路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税）。在半导体衬底材料领域，公司拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材│
│ │料及培育金刚石的规模化产能，蓝宝石材料实现技术和规模双领先，8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列， │
│ │并突破12英寸碳化硅晶体生长技术。在产能保障方面，公司依托高度自给的设备制造能力、成熟稳定的供应链体系│
│ │，以及服务多家行业头部客户所积累的丰富经验，已建立起与订单规模相匹配的技术、供应链和生产管理能力；目│
│ │前，各项业务产能能够有效满足客户需求，公司也将持续优化生产布局，积极应对市场变化，保障产品及时、高质│
│ │量交付。感谢您的关注。 │
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│11-17 │问：公司生产的SiC衬底材料，是否已通过下游HVDC或SST领域客户的认证” · “SiC长晶设备在国内同 │
│ │类市场中占有率如何是否有销售给主要的SiC功率器件厂商” · “公司是否有直接或间接参与国家关于S│
│ │ST或新型电力系统的研发项目 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。碳化硅是第三代半导体材料的核心代表。导电型碳化硅材料制成的功率器件能够更好地│
│ │适应高压、高温工作环境，在新能源汽车电驱系统、高压充电设施、储能及轨道交通等高压大功率场景具有极大的│
│ │应用潜力。半绝缘型碳化硅则凭借低载流子浓度与优异的微波损耗特性，成为5G/6G基站射频前端器件的核心衬底 │
│ │材料，同时由于具备优异的光学和热学特性，在AR眼镜、散热等终端应用领域有着不可替代的优势。公司碳化硅衬│
│ │底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，8英│
│ │寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列，公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产│
│ │品验证进展顺利，并成功获取部分国际客户批量订单。同时公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线。具体│
│ │进展情况请关注公司后续的公开信息。感谢您的关注。 │
├──────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│11-17 │问：技术感觉挺厉害，但销售好像并不好，是技术太超前了不适应市场还是咋了踏不准技术更新迭代的节奏，没有│
│ │“王炸” │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司始终坚持以技术创新和对客户需求深度挖掘的双轮驱动模式实施研发创新，持续加│
│ │强研发投入，以确保公司竞争力的可持续性。公司将继续稳健经营、坚持科研创新，促进公司高质量、可持续发展│
│ │，力争以更好的业绩回报广大投资者的信任与支持。感谢您的关注。 │
├──────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│11-17 │问：光伏发电本质上就是一种可控核聚变发电的方式，通过大面积部署+高压输电+储能可以弥补其容易受天气影响│
│ │，不如基荷电站稳定的劣势。这么看，利用发的电提纯硅片，再用硅片造电池继续发电，如此能够以极低成本扩张│
│ │快速铺满，从原理上就决定了光伏行业将十分内卷。在这样饱和供应的情况下，贵司的传统光伏设备是否销路受阻│
│ │，未来是否考虑发展更高端高附加值的设备技术呢 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件领域。在│
│ │半导体集成电路装备领域，公司实现半导体8-12英寸大硅片设备的国产化，并延伸拓展至芯片制造和先进封装领域│
│ │。在化合物半导体装备领域，公司聚焦第三代半导体碳化硅装备研发，在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多│
│ │项核心技术。在新能源光伏装备领域，公司实现了硅片、电池片及组件环节核心设备的产业链闭环，是技术、规模│
│ │双领先的光伏设备供应商。在半导体衬底材料领域，公司拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规│
│ │模化产能。在半导体耗材及零部件领域，公司布局光伏石英坩埚、半导体石英坩埚、金刚线及半导体精密零部件业│
│ │务。感谢您的关注。 │
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│11-10 │问：公司哪些产品，技术适配HVDC及SST产业链 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料以及半导体耗材及零部件领域。在│
│ │半导体集成电路装备领域，公司实现半导体8-12英寸大硅片设备的国产化，并延伸拓展至芯片制造和先进封装领域│
│ │。在化合物半导体装备领域，公司聚焦第三代半导体碳化硅装备研发，在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多│
│ │项核心技术。在新能源光伏装备领域，公司实现了硅片、电池片及组件环节核心设备的产业链闭环，是技术、规模│
│ │双领先的光伏设备供应商。在半导体衬底材料领域，公司拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规│
│ │模化产能。在半导体耗材及零部件领域，公司布局光伏石英坩埚、半导体石英坩埚、金刚线及半导体精密零部件业│
│ │务。感谢您的关注。 │
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│11-10 │问：董秘你好，贵公司有氮化镓方向的产品或技术储备吗 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司产品信息请关注公司的公开信息。感谢您的关注。 │
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│11-10 │问：董秘好，恭喜公司发布的方形硅片全流程解决方案，12寸方形硅片技术门槛有多高，国内外有多少公司可以做│
│ │的出来 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。近日，公司发布了方形硅片全流程解决方案，该方案提供从晶体生长、截断、开方、磨│
│ │削、切片、倒角到研磨、抛光、清洗的全套自主研发设备，实现了从“点”的突破到“链”的创新的全面布局，为│
│ │全球方形硅片技术演进提供了“中国方案”。在硅片制造端，公司实现了8-12英寸半导体大硅片设备的国产替代，│
│ │其中长晶设备在国产设备市场市占率领先，此次从圆形硅片向方形硅片设备拓展，有助于公司把握先进封装技术变│
│ │革带来的新发展机遇，继续稳固公司在大硅片设备领域的领先地位。感谢您的关注。 │
├──────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│11-10 │问：公司在机器人业务中有哪些产品 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司主营业务产品涉及半导体装备、半导体衬底材料、半导体耗材及零部件领域。目前│
│ │不涉及机器人领域。感谢您的关注。 │
├──────┼──────────────────────────────────────────────────┤
│11-10 │问：你好，首先恭喜公司发布的方形硅片全流程解决方案，大家想了解一下方形硅片是由方形晶圆切割而来，还是│
│ │从圆形晶圆切割而来。碳化硅衬底技术与硅片衬底技术类似，后期是否会产出方形碳化硅衬底。 │
│ │ │
│ │答：尊敬的投资者，您好。公司此次发布的方形硅片是由圆柱形硅棒加工而来。关于公司具体业务进展，敬请关注│
│ │后续披露的公开信息。感谢您的关注。 │
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【3.最新公告】
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2025-11-11 16:37│晶盛机电（300316）：关于2022年员工持股计划实施完毕的公告
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浙江晶盛机电股份有限公司（以下简称“公司”）2022 年员工持股计划已解禁股份已于近日处置完毕，根据《关于上市公司实施
员工持股计划试点的指导意见》《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第 2号——创业板上市公司规范运作》等相关规定，现将具体
情况公告如下：
一、公司 2022 年员工持股计划的基本情况
1、2022 年 8月 26 日，公司召开第四届董事会第二十七次会议及第四届监事会第二十四次会议，审议通过了《关于<浙江晶盛机
电股份有限公司 2022年员工持股计划（草案）>及其摘要的议案》等相关议案。2022 年 9月 14 日，公司2022 年第二次临时股东大会
审议通过《关于<浙江晶盛机电股份有限公司 2022年员工持股计划（草案）>及其摘要的议案》等相关议案，同意公司实施 2022年员工
持股计划。
2、2022年 11月 15日，公司收到中国证券登记结算有限责任公司深圳分公司下发的《证券过户登记确认书》，公司回购专用证券
账户所持有的公司股票已于 2022年 11月 14日非交易过户至“浙江晶盛机电股份有限公司－2022年员工持股计划”专户。
3、2023 年 9月 28 日，公司第五届董事会第八次会议和第五届监事会第八次会议审议通过了《关于分配 2022 年员工持股计划预
留份额的议案》，公司根据《2022 年员工持股计划》及《2022 年员工持股计划管理办法》的有关规定分配预留份额。
4、2023 年 12 月 6日，公司第五届董事会第十次会议和第五届监事会第十次会议审议通过了《关于 2022 年员工持股计划第一个
锁定期届满暨解锁条件成就的议案》，公司 2022 年员工持股计划第一个锁定期届满且解锁条件成就，同意公司根据相关规定办理第一
个锁定期届满的后续事宜。
5、2024 年 6月 28 日，公司第五届董事会第十四次会议和第五届监事会第十四次会议审议通过了《关于提前终止 2022 年员工持
股计划的议案》，根据公司 2022年第二次临时股东大会的授权，公司董事会同意提前终止 2022年员工持股计划。
上述员工持股计划的具体情况详见公司披露于中国证监会指定的创业板信息披露媒体巨潮资讯网（http://www.cninfo.com.cn）的
相关公告。
二、公司 2022 年员工持股计划股票出售情况及后续安排
截至目前，公司已就员工持股计划已解禁股份 806,000股通过非交易过户至持有人账户（509,500股）及集中竞价交易出售（296,5
00股）方式全部实施完毕。后续将根据《关于上市公司实施员工持股计划试点的指导意见》《深圳证券交易所上市公司自律监管指引第
2号——创业板上市公司规范运作》等法律法规以及公司《2022 年员工持股计划》的相关规定完成出售股份的资产清算及收益分配等
工作。
公司实施 2022 年员工持股计划期间，严格遵守股票市场交易规则，遵守中国证监会、深圳证券交易所关于信息敏感期不得买卖股
票的规定，不存在利用内幕信息进行交易的情形。
http://disc.static.szse.cn/disc/disk03/finalpage/2025-11-12/2856b2c8-8484-4108-bae4-27a90988c422.PDF
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2025-10-24 19:36│晶盛机电（300316）：第五届董事会第二十三次会议决议公告
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浙江晶盛机电股份有限公司（以下简称“公司”）第五届董事会第二十三次会议通知于2025年10月20日以电子邮件或电话的方式送
达各位董事，会议于2025年10月24日以现场加通讯相结合的方式在浙江省杭州市临平区顺达路500号公司会议室召开，会议由董事长曹
建伟先生主持，会议应到董事9人，实到董事9人，会议的召集和召开符合《公司法》《公司章程》的相关规定。经与会董事审议，通过
如下决议：
一、以 9 票同意，0 票弃权，0 票反对，通过了《2025 年第三季度报告》；公司《 2025年第三季度报告》详见 2025年 10月 25
日的巨潮资讯网（www.cninfo.com.cn）。
二、以9票同意，0票弃权，0票反对，通过了《关于修改<公司章程>的议案》；公司修改后的《公司章程》详见 2025 年 10 月 25
日的巨潮资讯网（www.cninfo.com.cn）。
本议案尚需提交公司股东会审议。
三、以9票同意，0票弃权，0票反对，通过了《关于修改<股东会议事规则>的议案》；
公司修改后的《股东会议事规则》详见 2025 年 10 月 25 日的巨潮资讯网（www.cninfo.com.cn）。
本议案尚需提交公司股东会审议。
四、以9票同意，0票弃权，0票反对，通过了《关于修改<董事会议事规则>的议案》；
公司修改后的《董事会议事规则》详见 2025 年 10 月 25 日的巨潮资讯网（www.cninfo.com.cn）。
本议案尚需提交公司股东会审议。
http://disc.static.szse.cn/disc/disk03/finalpage/2025-10-25/b27ea55c-10a6-4873-b5e7-62455e2d2cb8.PDF
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2025-10-24 19:34│晶盛机电（300316）：2025年三季度报告
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晶盛机电（300316）：2025年三季度报告。公告详情请查看附件
http://disc.static.szse.cn/disc/disk03/finalpage/2025-10-25/87bd113f-2945-4838-96da-33478fc91cb8.PDF
【4.最新报道】
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2025-11-27 20:00│晶盛机电(300316)2025年11月27日投资者关系活动主要内容
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1、请介绍一下碳化硅衬底材料的应用前景？
答：SiC是第三代半导体材料的核心代表，因其耐高压、高频、高效等特性，广泛应用于新能源汽车、智能电网、5G通信等重点行
业。同时，在 AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴应用领域，SiC也正逐步成为推动技术突破的关键材料。
2、请问公司 12 寸碳化硅衬底材料的进展？
答：9 月 26 日，公司首条 12 英寸碳化硅衬底加工中试线在子公司浙江晶瑞 SuperSiC 正式通线，至此，子公司浙江晶瑞 Super
SiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球 SiC 衬底技术从并跑向领跑迈进，
迈入高效智造新阶段。未来，公司将加速推进产线的量产进程，为客户提供高质量、低成本的大尺寸碳化硅衬底，携手产业链伙伴，共
同推动我国第三代半导体产业蓬勃发展。
3、可否展开介绍一下这次 12 英寸碳化硅衬底中试线的设备情况？
答:子公司浙江晶瑞 SuperSiC 此次贯通的中试线，覆盖了晶体加工，切割，减薄，倒角，研磨，抛光，清洗，检测的全流程工艺
，所有环节均采用国产设备与自主技术，高精密减薄机、倒角机、双面精密研磨机等核心加工设备更是由公司历时多年自研攻关完成，
性能指标达到行业领先水平。自此，晶盛机电正式形成了 12 英寸SiC 衬底从装备到材料的完整闭环，彻底解决了关键装备“卡脖子”
风险，为下游产业提供了成本与效率的新基准。
4、请问公司碳化硅衬底材料的产能布局？
答：公司积极布局碳化硅产能，在上虞布局年产 30万片碳化硅衬底项目；并基于全球碳化硅产业的良好发展前景和广阔市场，在
马来西亚槟城投建 8英寸碳化硅衬底产业化项目，进一步强化公司在全球市场的供应能力；同时，在银川投建年产 60万片 8英寸碳化
硅衬底片配套晶体项目，不断强化公司在碳化硅衬底材料领域的技术和规模优势。
5、请问公司 8寸碳化硅衬底的技术和市场进展？
答：公司碳化硅衬底材料业务已实现 6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售，量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平，
8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列，公司积极推进碳化硅衬底在全球的客户验证，送样客户范围大幅提升，产品验证进展顺利
，并成功获取部分国际客户批量订单。
6、请问公司半导体装备业务进展？
答：报告期内，公司依托半导体装备国产替代的行业发展趋势和机遇，积极推进半导体装备的市场推广。
在集成电路装备领域，公司自主研发的 12英寸常压硅外延设备顺利交付国内头部客户，其电阻率、厚度均匀性、外延层缺陷密度
、生产效率以及工艺重复性等关键指标达到国际先进水平。积极推进12英寸干进干出边抛机、12英寸双面减薄机等新产品的客户验证。
12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，设备采用单温区、多温区闭环控温模式，结合多真空区间精准控压技术，确保外延生长
过程的高度稳定性，其独特的扁平腔体结构和多口分流系统设计，能够显著提升外延层的膜厚均匀性和掺杂均匀性，满足先进制程的高
标准要求。成功开发应用于先进封装的超快紫外激光开槽设备，填补国内高端紫外激光开槽技术领域的空白，实现国产替代。
在化合
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