芯片概念股票|芯片板块龙头股资金流向(实时)

上海新阳：晶圆制造及先进封装用电镀液和添加剂系列产品为公司面向芯片制造领域开发的第二代电子电镀产品。包括大马士革铜互连、TSV、Bumping电镀液及配套添加剂。晶圆制造用干法刻蚀后清洗液以及研磨后清洗液系列产品为公司面向芯片制造领域开发的电子清洗液系列产品。包括铜制程刻蚀后清洗液、铝制程刻蚀后清洗液、化学机械研磨后清洗液等。公司化学机械研磨液主要包括适用于浅槽隔离研磨液（STISlurry）、金属钨研磨液、金属铜研磨液、硅氧化层研磨液、多晶硅层研磨液等系列产品，研磨液产品可覆盖14nm及以上技术节点。晶圆制造用蚀刻液系列产品为公司面向存储芯片制造领域开发的电子蚀刻系列产品。包括用于3D NAND/DRAM存储器芯片制造的氮化硅/钛等蚀刻系列产品。

甬矽电子：公司从成立之初即聚焦集成电路封测业务中的先进封装领域，车间洁净等级、生产设备、产线布局、工艺路线、技术研发、业务团队、客户导入均以先进封装业务为导向，业务起点较高。因此与同行业竞争者相比，甬矽电子产品结构较为优化，销售收入主要来自于中高端封装产品，并在射频前端芯片封测、AP 类 SoC 芯片封测、触控 IC 芯片封测、WiFi 芯片封测、蓝牙芯片封测、MCU 等物联网 AIoT 芯片封测等新兴应用领域具有良好的市场口碑和品牌知名度。

沐曦股份：公司曦云C系列产品拥有多精度混合算力，内置大量运算核心，具有较强的并行计算能力和较高的能效比，适用于向量计算和矩阵计算等计算密集型应用，可广泛应用于智算训练与推理、通用计算、AI for Science等场景。

颀中科技：在显示驱动芯片封测领域，凭借多年来的研发积累和技术攻关，公司掌握了“微细间距金凸块高可靠性制造技术”、“高精度高密度内引脚接合技术”、“测试核心配件设计技术”、“薄膜覆晶封装高效散热技术”等一系列具有自主知识产权的核心技术，覆盖了凸块制造、晶圆测试和后段封装测试等全部工艺流程。相关技术可在约30平方毫米的单颗芯片上最多“生长”出四千余金凸块，并可确保芯片引脚与凸块之间高精度、高准确性地结合。同时，公司具备双面铜结构、多芯片结合等先进COF封装工艺，并在业内前瞻性地研发了“125mm大版面覆晶封装技术”，可以成倍增加所封装芯片的引脚数量，适用于高端智能手机AMOLED屏幕。目前，公司已具备业内最先进28nm制程显示驱动芯片的封测量产能力，相关技术为高端芯片性能的实现提供了重要保障。

澜起科技：公司是全球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，产品获得市场和用户的广泛认可。2025年1月，公司推出DDR5第二子代MRCD/MDB芯片，支持速率为12800MT/s；2025年10月，公司的DDR5第四子代RCD芯片成功量产，支持速率为7200MT/s；2025年11月，公司推出新一代用于客户端的DDR5 CKD芯片，支持速率为9200MT/s。 在市场份额方面，公司在DDR4世代逐步确立了行业领先地位，是全球可提供DDR4内存接口芯片的三家主要厂商之一，占据全球市场的重要份额。在DDR5世代，公司牵头制定相关产品国际标准，并提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案，继续保持行业领先地位。根据弗若斯特沙利文的数据，2024年内存互连市场整体呈现高度集中的市场格局，前三家企业合计占据93.4%的市场份额：其中，公司以36.8%的市场份额，排名全球第一。

沪硅产业：子公司新傲科技及其子公司新傲芯翼继续推进300mm高端硅基材料研发中试项目，聚焦射频、功率、硅光等应用领域市场和客户需求，全力完善产品布局。目前，300mmSOI硅片正处于分阶段、梯次推进的技术攻坚、产品验证送样及小批量量产阶段，面向射频、高压、硅光等应用的300mm SOI核心产品正聚焦关键技术攻关，全力突破技术瓶颈、夯实底层能力，并已完成关键技术研发，顺利进入量产落地与市场验证阶段。对于部分高压、硅光等已进入小批量量产产品，公司基于现有技术开展深度优化迭代，持续提升产品性能，提升客户满意度；现已建成产能约16万片/年的300mm SOI硅片试验线。

汇成股份：公司主要提供显示驱动芯片全制程封装测试统包服务。在封测业务制程方面，公司主营业务收入一般按照凸块制造（Bumping）、晶圆测试（CP）、玻璃覆晶封装（COG）和薄膜覆晶封装（COF）四大制程进行划分；按照所封测芯片的细分类型，主要分为LCD面板显示驱动芯片（DDI）、触控与显示驱动集成芯片（TDDI）、AMOLED面板显示驱动芯片等；按照终端应用场景，主要分为智能手机、高清电视、笔记本电脑、平板电脑、智能穿戴、汽车电子、电子标签等类别。

长光华芯：公司超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上，双结单管芯片创室温连续功率超过132W的新纪录（芯片条宽500μm，工作效率62%），打破了公司此前单管芯片室温连续功率超过100W的行业最高水平记录。同时，公司在高功率和窄谱宽激光器方面攻克了光栅设计和材料生长等多个技术难点，开发的780nm宽条分布反馈(DFB)激光器室温连续输出功率超过10W，创下了780nm波段DFB激光器的最高记录。公司推出了9XXnm 50W高功率半导体激光芯片，在宽度为330μm发光区内产生50W的激光输出，光电转化效率高（大于等于62%），现已实现大批量生产、出货，是目前市场上量产功率最高的半导体激光芯片。另外，公司9XXnm光纤激光器泵浦源功率提升至1000W、8XXnm固体激光器泵浦源功率提升至500W，最大程度地节约单瓦材料成本，为客户创造价值。在特殊波长应用方面，相继推出激光除草应用1470nm300W光纤输出半导体模块、面部痤疮治疗应用1726nm波长锁定100W光纤输出半导体模块，进一步拓展半导体激光器的应用。

摩尔线程：基于自主研发的MUSA架构，公司目前已推出四代GPU架构芯片。苏堤，流片成功/发布时间为2021年，公司第一代GPU芯片，内置了全功能GPU的四大引擎，即拥有AI计算加速、图形渲染、物理仿真和科学计算、超高清视频编解码引擎。春晓，流片成功/发布时间为2022年，公司第二代GPU芯片，在提升芯片性能的同时，针对云计算以及GPU虚拟化的能力进行大幅优化；并且做到了对DirectX 11和DirectX 12的支持，为率先能支持DirectX 11和DirectX 12的国产全功能GPU，实现多款图形引擎的高性能适配，支持数字孪生以及工业设计、元宇宙等应用。曲院，流片成功/发布时间为2023年，公司第三代GPU芯片，加强了AI训练和推理能力，公司基于该芯片搭建千卡集群智算中心。平湖，流片成功/发布时间为2024年，公司第四代GPU芯片，增加了FP8精度支持，大幅提升AI算力，公司基于该芯片支撑面向DeepSeek类前沿大模型预训练的万卡集群智算中心解决方案。

中芯国际：公司多年来长期专注于集成电路工艺技术的开发，向全球客户提供8英寸和12英寸晶圆代工与技术服务，应用于不同工艺技术平台，具备逻辑电路、电源/模拟、高压显示驱动、嵌入式非易失性存储、独立式非易失性存储、混合信号/射频、图像传感器等多个技术平台的量产能力，可为客户提供智能手机、电脑与平板、消费电子、互联与可穿戴、工业与汽车等不同领域集成电路晶圆代工及配套服务。通过长期与境内外知名客户的合作，形成了明显的品牌效应，获得了良好的行业认知度。

壹石通：公司Low-α球形氧化铝产品在2024年推动了客户端多批次验证，客户对产品综合性能提出了更高的定制化需求。该产品作为上游功能性粉体材料，其产业链条长、验证周期久，随着下游客户及其终端用户的多轮验证反馈、改善需求逐渐明确和具体，针对紧密堆积、性能优化和成本控制等差异化特点提出了多批次组合型号的验证需求。根据下游客户反馈的情况，现阶段已量产的芯片封装填料以Low-α球硅为主，而Low-α球铝的现阶段用量相对较少。综合考虑产业链条、差异化复配、成本控制及验证周期，下游大批量使用的节奏相对偏慢。2025年，公司将重点围绕客户的定制化需求进行产品综合性能的优化提升，努力加快推进市场导入，同时加强与国内下游EMC（环氧塑封料）、GMC（颗粒状环氧塑封料）厂家的技术交流和送样验证工作。另，2024年4月2日公司在互动平台披露：公司的Low-α球形氧化铝产品可用于HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）封装，直接用户是EMC（环氧塑封料）、GMC（颗粒状环氧塑封料）厂家。

聚辰股份：公司是全球领先的存储模组配套芯片供应商，自DDR2世代起即研发并销售内存模组配套芯片，目前拥有配套DDR2/3/4/5内存模组的全系列SPD芯片（串行检测集线器）、TS芯片（温度传感器）产品组合。针对最新的DDR5内存技术，公司与澜起科技合作开发了配套DDR5内存模组的SPD芯片，并自2021年第四季度起在行业主要内存模组厂商中取得大范围应用。公司及时把握住2022年上半年DDR4 SPD芯片供应短缺带来的市场机会，配套DDR4内存模组的SPD芯片顺利导入多家行业主要内存模组厂商，成为全球DDR2/3/4/5 SPD系列芯片的核心供应商，也是业内少数具备向行业主要内存模组厂商直接供应配套芯片资质的企业之一。另，2026年6月26日，公司异动公告披露，在存储芯片行业中，公司的主要产品包括EEPROM芯片、NOR Flash 芯片等利基型非易失性存储芯片，产品对应的市场规模相对较小，且在业务发展过程中不可避免地受到下游应用市场波动的影响。

神工股份：公司是具备“从晶体生长到硅零部件成品”完整制造能力的一体化厂商，拥有全球领先的大直径硅材料晶体制造技术，是等离子刻蚀机设备厂家所需硅零部件产品的上游材料供应商。目前公司已取得了中国本土硅零部件市场的领先地位，已进入了中国主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备制造厂的供应链，以高端品类为主，发挥了独特的国产化作用。为保证未来客户批量订单的及时交付，公司子公司已经在泉州、锦州两地扩大生产规模，实现了较快速度的产能爬升。

概伦电子：概伦电子致力于打造业界领先的半导体技术开发平台，以业界领先的晶圆测试实验室和超大规模的EDA计算中心为依托，结合自有EDA全流程产品和先进的测试解决方案，以及十余年服务全球领先设计和制造企业积累的丰富经验和技术能力，为客户提供专业的一站式技术开发解决方案，在测试/建模/PDK/IP等传统工程服务基础上，通过DTCO赋能晶圆厂的工艺平台研发和芯片设计的竞争力提升，以高附加值的EDA流程定制和COT平台建设推动公司EDA产品的验证和导入。目前可支持工艺节点从0.35微米到5纳米的CMOS平面及FinFET工艺、Bi-CMOS、RFSOI、FDSOI、BCD、化合物半导体到CNFET、FPD的各类半导体工艺平台，广泛应用于数字逻辑芯片、模拟芯片、射频芯片、显示驱动芯片、存储芯片、超高压芯片、超导量子芯片、超低温MOS芯片等的工艺研发和电路设计。

中微公司：公司的ICP刻蚀设备在涵盖逻辑、DRAM、3D NAND、功率和电源管理、以及微电机系统等芯片和器件的50多个客户的生产线上大规模量产，并继续验证更多ICP刻蚀工艺。截至2025年上半年，ICP刻蚀设备累计装机量超过1200个反应台。公司8英寸和12英寸深硅刻蚀设备Primo TSV 200E、Primo TSV300E在晶圆级先进封装、2.5D封装和微机电系统芯片生产线等成熟市场继续获得重复订单的同时，在12英寸3D芯片的硅通孔刻蚀工艺上得到成功验证，并获得在欧洲客户12英寸微机电系统芯片产线上进行机台认证的机会，这些新工艺的验证为公司Primo TSV 300E刻蚀设备拓展了新的市场。

晶合集成：2025年电源管理芯片占公司主营业务收入的比例为12.16%，公司已开展AI服务器相关电源管理芯片研发，其中90nm BCD产品持续验证中。

国博电子：2025年10月，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等终端中成功量产应用，累计交付数量超100万只。公司将持续进行技术方案的升级，加速在终端厂商的应用验证。随着终端应用对射频功放要求的持续提升，大功率、高带宽、高效率射频功放成为技术发展趋势，当前主流的砷化镓射频功放技术受限于材料特性，面临性能局限性的挑战。硅基氮化镓功放芯片具备新型三代半导体材料的性能优势，将随着硅基氮化镓功放芯片产业链的技术进步和规模扩张，进一步扩大产品优势并持续提升。预计公司新产品将持续对现有砷化镓终端功放产品形成替代，并有望在终端射频功放领域全频段、全场景推广应用，该产品系列有望为公司营收提供第二增长曲线。

燕东微：面对外部激烈的市场竞争，公司坚持技术与产品创新，持续强化战略客户拓展，加大硅光领域等重点布局领域产品推广，并进一步深化6、8、12英寸线协同发展，推动产品交付能力提升。其中，65nm12英寸生产线持续推进产品与平台开发，吸引多家头部客户并完成60余款新品导入；8英寸生产线持续提升运营效率，产线质量进一步改善，积极推进新品开发与拓展工作；6英寸生产线加快转型步伐，持续推进芯片线产品结构调整，月产能稳定保持6.5万片。

国芯科技：国芯科技自设立以来，持续专注于国产嵌入式CPU的研发与产业化。围绕自主可控CPU技术，公司已拥有8种40余款嵌入式CPU内核，在国家重大需求和市场需求关键领域已实现较为广泛的应用。公司于2006年实现国产嵌入式CPU累计上百万颗应用，于2008年实现累计上千万颗应用，于2015年实现累计上亿颗应用，为国产嵌入式CPU产业化应用领先企业之一。公司目前基于RISC-V、PowerPC和M*Core指令架构的CPU在国家重大需求领域和信息安全领域拥有一定的市场份额，在汽车电子领域实现了批量供货，凭借自主可控的嵌入式CPU内核及其SoC芯片设计平台，公司的嵌入式CPU在市场上拥有良好的市场口碑。

雅创电子：2025年，公司以前瞻性视野，围绕AI产业链上游核心半导体器件及下游应用领域进行了战略布局，组建了新的AI销售事业部，构建了包括高性能存储器、光通信用DSP、时钟芯片、高速Serdes芯片、高功率密度Ai电源模块、第三代半导体SiC/GaN、高性能MLCC等AI专用产品阵容。伴随AI算力基建与AI端侧应用的加速落地，公司产品矩阵中的多款核心产品迎来倍数级增长，包括为AI服务器配套的NAND存储器、Ai服务器配套的光通信模块用MLCC以及AI眼镜用电源模块等。