砷化镓概念股票|砷化镓板块龙头股资金流向(实时)

光智科技：2023年12月1日公司在互动平台披露，公司的半导体激光器主要是EEL，半导体激光器及模组种类比较多，所用芯片的材料有GaAs，InP, GaN等等，公司激光芯片是外购的。2022年9月1日公司在互动平台披露，公司砷化镓光学镜头产品已经在研发和生产。

有研新材：公司成功开发硫化锌小头罩自动化精磨加工技术，小球罩产能显著提高；开发大相面1280高清HD长波非制冷无热化镜头和紧凑型车辆辅助驾驶镜头；持续优化大变倍比、大焦距连续变焦长波非制冷镜头；开发了多种基底表面网栅制备工艺和镀膜工艺，网栅质量得到显著提升，实现了曲面头罩随机网栅制备技术突破；高纯锗单晶进一步固化了制备全流程工艺，可稳定批量生产13N高纯锗单晶。公司红外锗单晶主要用于制作红外窗口材料，应用于红外热成像探测等领域，砷化镓单晶主要用于红外LED光电领域，

云南锗业：2025年5月13日，公司在互动平台表示，公司注意到近期市场对光通信概念关注度较高。截至目前，公司主要业务为锗系列产品的精深加工及研究开发。公司生产的化合物半导体材料磷化铟晶片可以用于生产光模块中的激光器、探测器芯片。2025年度公司营业收入10.66亿元，其中化合物半导体材料产品（包括砷化镓晶片、磷化铟晶片）营业收入约1.38亿元，占营业收入的比重为12.93%，占比较低，化合物半导体材料产品毛利仅占公司合并报表口径毛利的14.29%。

电科蓝天：公司是中国化学与物理电源行业协会理事长单位，在电能源领域有着深厚的技术积淀，实际应用经验丰富，研发创新能力突出，部分关键领域引领世界前沿。公司拥有高效砷化镓空间太阳电池阵技术、高效薄膜砷化镓太阳电池技术、高可靠长寿命空间锂离子电池组技术等11项核心技术，多项核心技术达到国际领先或国际先进水平。截至2025年6月30日，公司已获授权专利367项，其中发明专利141项，实用新型专利215项，外观设计专利11项。2000年以来，公司累计获得国家科学技术进步奖9次、国防科学技术（进步）奖14次。子公司空间电源曾荣获工信部授予的国防科学技术进步二等奖，是工信部认定的“专精特新”小巨人企业；子公司蓝天太阳曾荣获天津市科学技术进步一等奖，是天津市科技领军企业、天津市砷化镓光伏技术企业重点实验室、天津市企业技术中心。

和而泰：控股子公司铖昌科技作为T/R芯片研发和量产单位的民营企业代表之一，在技术及成本上具有双优势。2025年10月30日公司在互动平台披露，卫星互联网低轨卫星行业发展提速，随着卫星的批量发射和组网应用，该领域将成为铖昌科技营收新的增长点。铖昌科技保持在卫星地面终端领域的领先优势，与产业下游用户合作关系紧密，针对下一代低轨通信卫星以及地面配套设备新研发出多款产品。2025年7月15日公司在互动平台披露，铖昌科技主要向市场提供基于硅基、砷化镓、第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。2025年5月15日公司在互动平台披露，铖昌科技作为国内少数能够提供相控阵T/R芯片完整解决方案的企业，目前产品已批量应用于探测、遥感、通信、导航等多个领域。2024年4月8日公司在互动平台披露，铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

三安光电：公司系国内优秀的化合物半导体制造商，公司已建成专业化、规模化的6 吋砷化镓射频的先进芯片制造产线，产能稼动率不断提升，公司已拥有砷化镓射频代工产能1.8万片/月。

国博电子：公司结合技术发展趋势和市场需求痛点，进一步推进新材料、新器件的开发应用，进一步完善和拓展产品种类及谱系，积极推进建立集成开发设计研发体系，推进先进封装技术产品化应用，合理布局一代（Si）、二代（GaAs）、三代（GaN）半导体射频IC和模块的技术研究和产品开发，强化客制化产品定向设计开发优势，聚焦重点应用有计划地开展技术研究和产品开发，持续拓展系统级应用市场。

海特高新：参股公司华芯科技建有国内首条6吋化合物半导体生产线，是经国家发改委立项并建设的具有国际先进水平的高性能集成电路制造生产线，开发了成熟稳定的砷化镓有源/无源、氮化镓功率芯片、射频功放芯片、光电感知芯片、碳化硅功率芯片六大工艺制程。产品应用涵盖5G移动通信、雷达探测、新能源汽车及充电桩、光伏、轨道交通、消费类电子、光纤通讯、3D感知等领域。参股公司华芯科技建有高性能集成电路生产线，积极把握高性能、多功能集成电路发展的重要机遇，持续加大技术研发投入，在氮化镓、砷化镓、碳化硅三个新材料芯片方向实现了技术突破，建立了快充芯片、功放芯片、光电感知芯片、新能源芯片等的制造能力。公司在碳化硅、氮化镓第三代半导体芯片制造领域，专利数量排在国内前列,是中国5G联合技术创新中心成员，参与了5G器件标准制定。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程。

乾照光电：公司深耕Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、GaN、InP等）半导体领域，构建了从材料外延、芯片设计到工艺制造的全链条自主技术体系。Ⅲ-Ⅴ族化合物具备直接带隙、高电子迁移率、耐高温、抗辐射等优异特性，可适配高频、高功率等高端应用场景，可延伸应用于商业航天核心元器件，亦可用于制造星载相控阵T/R组件、抗辐射射频芯片、航天级砷化镓太阳能电池等核心器件，适配卫星通信、姿态控制、能量供给等关键场景。依托多年的技术沉淀，公司重点布局的Ⅲ-Ⅴ族化合物核心品类已在航天光伏、背光显示、车载照明、数据通信等应用持续深化，同时有望拓展延伸至其他基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的卫星应用场景，为公司布局商业航天作为第二增长曲线奠定坚实的技术基础。