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存储器概念股票|存储器板块龙头股资金流向(实时)

 
 板块概念股龙头股DDX数据(输入板块代码或拼音查询): 概念板块列表
 
存储器 ( 板块 994586 )
12681.23 +3.2 %
BBD: 88.96亿   成交额:2,021.74亿  开盘:12479.68  最低:12415.62  最高:12745.26  振幅:2.66%  更新时间:2026-09-18
DDX: 0.208   DDY: 0.294   特大单差: 3   大单差: 1.4   中单差: -2.7   小单差: -1.7   单数比:1.128  通吃率: 4.40%
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存储器概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

浩瀚深度:2026年6月2日公司在互动平台披露,浩瀚深度可提供分布式存储产品,包括分布式文件、块存储系统,兼容主流标准协议和接口,具备多副本、纠删码(EC)、元数据管理、快照与备份、分级存储、高可用性等能力。

普冉股份:2026年7月,调整后,公司拟89.88元/股发行1,189,381股股份、1,387,289张可转换公司债券及支付现金的方式合计作价24,705.80 万元购买珠海诺延、元禾璞华、横琴强科持有的诺亚长天49%的股权并募集配套资金不超过 7,700 万元。本次交易完成后,诺亚长天将成为上市公司全资子公司,目标公司SHM成为上市公司全资孙公司。SHM为一家注册在中国香港的半导体企业,专注于提供高性能2DNAND及衍生存储器产品及解决方案,主营产品系列覆盖2D SLC NAND、eMMC、MCP等产品,并拥有领先的制程工艺,其16nm/32nm SLC NAND闪存技术较同业具有领先优势,并持续向先进制程延伸,覆盖14nm/16nm eMMC(32/64GB)及MCP(LPDDR4X)产品,满足工业、汽车等领域对高密度与可靠性的需求。根据Trendforce等市场调研数据,SHM为2024年全球第四大SLC NAND厂商,仅次于铠侠、美光和华邦。本次交易系上市公司收购控股子公司诺亚长天的少数股权,有利于上市公司进一步夯实非易失性存储产品布局。

诚邦股份:2026年4月,公司拟以简易程序向特定对象发行股票募资不超1亿元,扣除发行费用后的募资净额将用于:嵌入式存储芯片扩产项目及补充流动资金。项目总投资13,183.40万元。本项目为嵌入式存储芯片扩产项目。公司计划引进先进的封装、测试自动化设备与配套系统,重点扩大LPDDR、EMMC、SDNAND嵌入式存储器产能。通过优化封装测试工艺,持续提升产品良率、一致性及生产效率。项目产品可广泛应用于智能穿戴、平板电脑、智能电视、机顶盒、智能手机等多元智能终端领域,旨在快速响应市场与客户对嵌入式存储器不断增长的需求,强化公司在半导体存储领域的核心竞争力和市场份额。

中电鑫龙:2024年12月26日公司在互动平台披露:公司的存储相关的产品和技术均由公司自主研发,相关产品具有存储密度高,使用能耗低,数据风险低等优势。

华天科技:2025年,公司坚持先进封装技术的研发与产业化,加快推进板级封装、2.5D等平台技术研发,顺利完成ePoP/PoPt高密度存储器及面向智能座舱与自动驾驶的车规级FCBGA封装技术的开发,同时持续推进CPO封装技术研发。2026年1月20日公司在互动平台披露,公司将包括存储器在内的先进封装产品和技术作为未来业务布局和产业发展重点方向,公司与长鑫有业务合作。2025年3月31日公司在互动平台披露,公司为专业集成电路封测企业,开展集成电路存储产品封测业务。

盛景微:2025年10月14日公司在互动平台披露,公司存储芯片相关产品EEPROM已实现量产,目前仅供内部产品方案使用,暂不直接对外销售。

长电科技:在半导体存储市场领域,公司的封测服务覆盖DRAM,Flash等各种存储芯片产品,拥有20多年memory封装量产经验,32层闪存堆叠,Hybrid异型堆叠,25um超薄芯片制程能力,高密度封装和控制芯片自主测试等都处于国内和国际行业领先的地位,并且与全球前三大存储器制造商密切合作。

复旦微电:该产品线拥有电可擦除只读存储器(EEPROM)、NOR型闪存存储器(NORFlash)和SLCNAND型闪存存储器(NANDFlash)等各类存储器产品,具有多种容量、接口和封装形式。2024年,EEPROM受益于CCM(手机摄像头模组)、电表业务、白电、显示器等终端领域的回暖,销量有所增加;NOR大容量产品在显示屏模组、安防及WiFi模块市场的销量增长;NAND芯片市场竞争日益激烈,但作为代码存储应用的主力,其需求空间总量大,事业部持续重点攻关网通、安防和可穿戴设备等领域。高可靠业务依然是公司存储产品的重要支撑,为产品线业绩稳定做出重要贡献。

精测电子:公司聚焦ATE领域持续深耕,构建起覆盖先进存储、SOC(系统级芯片)以及第三代功率半导体的全场景测试体系,为不同领域客户提供定制化、高效可靠的系统测试解决方案。面向先进存储芯片,可提供集成BI(Burn-In)测试、CP(Chip Probing)测试和FT(Final Test)测试于一体的多场景测试方案,并已完成迭代升级支持UFS4.1的测试。同时全新推出JH5520 HBM BI测试系统,精准满足HBM高端存储测试需求。

大普微:全球企业级SSD市场来看,五家韩国、美国、日本的存储厂商处于行业垄断地位,占据了90%以上的市场份额。国内企业级SSD存储厂商处于快速成长阶段,目前市场份额相对较小。自成立以来,大普微坚持自主研发主控芯片和固件算法,搭载自研主控芯片DP600和DP800的PCIe 4.0和5.0企业级SSD均已实现批量销售。大普微是全球首批量产企业级PCIe 5.0 SSD和大容量QLC SSD的存储厂商,也是全球极少数拥有SCM SSD和可计算存储SSD两类前沿存储产品供应能力的存储厂商。报告期内,公司企业级SSD累计出货量达4900PB以上,其中搭载自研主控芯片的出货比例达75%以上。根据IDC数据,最近三年国内企业级SSD市场中公司占有率稳居市场前列,国际厂商仍占据主导地位。

国科微:公司自研的固态存储主控芯片搭载国产嵌入式CPUIP核,已通过国密国测双认证及自主原创认证,可实现全国产供应链交付,是国内首款获得国密国测双重认证,完全拥有自主知识产权的产品,实现了固态存储主控芯片的国产替代。

香农芯创:公司自主品牌“海普存储”以深度服务国家大数据产业为出发点,围绕国产化、定制化路线,已完成企业级DDR4、DDR5、Gen4eSSD的研发、生产,产品性能优异,用于云计算存储(数据中心服务器)等领域。目前已完成部分国内主要的服务器平台的认证和适配工作并正式进入产品量产阶段,并于2025年实现规模收入。公司将持续与产业链深度合作,持续加大研发投入,打造国产先进存储品牌及产品。

华虹宏力:2025年,受益于消费类与汽车电子需求回升,MCU整体市场需求增多。其中高性能MCU方面,40nm eFlash COT产品风险量产,55nm eFlash工艺平台大规模量产,同时多个相关工艺平台实现车规产品大量供货。整体嵌入式非易失性存储器平台出货量与销售额均呈两位数增长。独立式闪存平台方面,持续推进NORD闪存与ETOX闪存工艺的技术迭代,销售收入同比增长44.5%,其中48nm NOR Flash产品出货占比大幅度提升。

东芯股份:公司的NAND MCP产品集成了自主研发的低功耗1.8V SLC NAND Flash与低功耗DRAM,凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等主流平台通过认证,广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等终端产品。产品规格丰富,DRAM类型涵盖LPDDR1、LPDDR2及LPDDR4X,为用户提供更加灵活和丰富的选择。公司目前可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种容量组合的MCP产品,广泛应用于5G通讯模块、车载模块等领域。公司持续研发更多容量组合方案,通过自研SLCNANDFlash与DRAM的高效集成,打造兼具成本优势与性能稳定性的MCP产品,为客户提供更多样化的选择。

君正股份:公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别,主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。公司SRAM产品品类丰富,包括了不同容量的同步SRAM、异步SRAM、高速QDRSRAM等产品。公司DRAM产品开发主要针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域,可向客户提供不同容量、不同界面和不同功耗规格的产品,能够满足工业、医疗、主干通讯和车规等级产品的要求。公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR Flash存储芯片、2DNAND Flash和eMMC/UFS存储芯片。

西安奕材:2026年8月,为确保武汉项目按计划实施,公司计划为武汉项目进行市场化融资,拟与投资方共同对武汉奕材新增投资65亿元,再由武汉奕材向武汉硅片新增投资65亿元,以加快推进武汉项目投产。其中,公司拟新增出资10亿元,各市场化战略投资方合计拟出资55亿元。2025年12月,公司与武汉光谷半导体产业投资有限公司签署《奕斯伟武汉硅材料基地项目投资合作协议》,投资建设武汉硅材料基地项目,主要生产12英寸集成电路先进制程使用的硅单晶抛光片及外延片,适用于逻辑芯片、闪存芯片、动态随机存储芯片、图像传感器、显示驱动芯片等领域。项目总投资约125亿元(最终项目投资总额以实际投入为准)。公司本次与光谷半导体产投合作投建武汉项目,扩大公司现有产能,是公司落实战略规划的重要举措,项目建成后,将实现50万片/月以上产能,公司合计拥有约170万片/月以上产能,有助于持续巩固公司国内头部地位。

艾森股份:2024年6月19日公司在互动平台披露:公司现有量产产品“先进封装负性光刻胶”、“电镀铜基液”、“铜钛蚀刻液”以及客户认证中的“电镀锡银添加剂”等产品可以用于HBM存储芯片封装。2025年12月4日,公司在互动平台表示,公司的电镀液及光刻胶等核心产品均可服务于HBM、CoWoS等先进封装技术。

通富微电:2026年8月,公司完成55.38 元/股发行76,200,794 股,募集资金总额4,219,999,971.72元。本次募资扣除发行费用后拟全部用于存储芯片封测产能提升项目、汽车等新兴应用领域封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目、补充流动资金及偿还银行贷款。本次募投项目均围绕上述关键领域芯片产品及国产替代的战略定位,协同下游头部芯片原厂,加速本土产能建设与供应体系重构,在关键技术节点上形成更具韧性的本土半导体产业链格局。

兆易创新:公司专用型存储芯片包括NOR Flash、SLC NAND Flash和利基型DRAM三条产品线,形成了丰富的产品矩阵,满足客户在不同应用中对容量、电压以及封装形式的多元需求,已在消费电子、工业、通讯、汽车电子等领域实现了全品类覆盖。公司 NOR Flash 产品广泛应用于工业、汽车、消费电子、PC 及服务器、网络通信、物联网及移动设备等各个领域。公司 NAND Flash 产品属于 SLCNAND,在消费电子、工业、汽车电子、通讯等领域已经实现了全品类的产品覆盖。公司利基型 DRAM 产品包括DDR3L/DDR4/LPDDR4 等,具备低功耗、体积小的特点,主要应用于机顶盒、电视、网络通讯、智能家庭装置、智能穿戴、信息娱乐系统等多个领域。

时空科技:2026年7月,公司向特定对象发行股票申请获得证监会审核通过。2026年4月,公司拟以23.08元/股通过发行24,913,083股股份及支付现金的方式向张丽丽、陈晖、东珵管理、普沃创达等19名交易对方收购嘉合劲威100%股权,并向上市公司控股股东、实际控制人宫殿海募集配套资金52,500.00万元。交易价格10.78亿元。本次交易构成重大资产重组。嘉合劲威主营业务系DRAM及Flash存储器应用产品的研发、设计、生产和销售,主要产品包括内存模组、固态硬盘和存储芯片,具备较强的盈利能力与成长空间。本次交易完成后,公司将审慎收缩传统业务战线,保证业务质量及盈利能力,同时集中资源加速推进半导体存储领域业务布局。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1688292浩瀚深度 分时 日线 板块
2688766普冉股份 分时 日线 板块
3603316诚邦股份 分时 日线 板块
4002298中电鑫龙 分时 日线 板块
5002185华天科技 分时 日线 板块
6603375盛景微 分时 日线 板块
7600584长电科技 分时 日线 板块
8688385复旦微电 分时 日线 板块
9300567精测电子 分时 日线 板块
10301666大普微 分时 日线 板块
11300672国科微 分时 日线 板块
12300475香农芯创 分时 日线 板块
13688347华虹宏力 分时 日线 板块
14688110东芯股份 分时 日线 板块
15300223君正股份 分时 日线 板块
16688783西安奕材 分时 日线 板块
17688720艾森股份 分时 日线 板块
18002156通富微电 分时 日线 板块
19603986兆易创新 分时 日线 板块
20605178时空科技 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
存储器概念板块解析(994586) 存储器龙头股概念股一览
存储器是一种时序逻辑电路,是许多存储单元的集合,按单元号顺序排列,每个单元由若干二进制位构成,以表示存储单元中存放的数据。存储器是半导体重要的细分领域之一,目前市场上主流的存储器为DRAM存储器和Flash闪存芯片。DRAM是最为常见的系统内存、Flash是应用最广泛的非易失性存储,其断电非易失性使其主要被应用于大容量存储领域。
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