存储器概念股票|存储器板块龙头股资金流向(实时)

北京君正：公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场，公司车规DRAM、车规SRAM产品在全球市场均排名前列。公司SRAM产品品类丰富，包括了不同容量的同步SRAM、异步SRAM、高速QDR SRAM等产品。公司DRAM产品开发主要针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域，可向客户提供不同容量、不同界面和不同功耗规格的产品，能够满足工业、医疗、主干通讯和车规等级产品的要求。2025年上半年，公司进行了不同容量、不同类别的高速DRAM、LowPowerDRAM等存储芯片的产品研发，公司进行了基于20nm、18nm和16nm工艺制程的DDR3、DDR4、LPDDR4等多款产品的规划、研发与生产，部分产品已开始向客户送样。公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR Flash存储芯片、NAND Flash存储芯片和eMMC/UFS存储芯片。

兴发集团：2025年11月20日公司在互动平台披露：公司2万吨/年数据储存元器件专用次磷酸钠扩产技改项目已完成安装调试，具备试生产条件。本次扩产所涉的次磷酸钠产品主要应用于数据储存元器件制造领域，作为化学镀镍工艺的关键还原剂，能在金属及非金属材料表面形成均匀密致、耐腐耐磨的镍磷合金镀层，该技术广泛应用于电子、机械等行业的精密元件生产，是提升数据储存元器件性能与可靠性的重要材料。

时空科技：2025年10月，公司拟以23.08元/股通过发行股份及支付现金的方式向张丽丽、陈晖、深圳东珵管理咨询合伙企业（有限合伙）等19名交易对方收购嘉合劲威100%股份，并募集配套资金。嘉合劲威主要从事内存条、固态硬盘等存储产品的研发、设计、生产和销售，拥有光威、阿斯加特和神可三大产品线，主要生产原材料为存储芯片，存储芯片制造技术壁垒较高，产能主要集中于SK海力士、美光、三星、合肥长鑫、长江存储等少数几家国内外芯片厂商，提供消费级、企业级、工业级存储器产品及行业应用解决方案。本次交易完成后，时空科技将切入到存储领域，打造第二增长曲线。

太极实业：海太公司半导体业务目前主要是为SK海力士的DRAM产品提供后工序服务。SK海力士是以生产DRAM、NANDFlash和CIS非存储器产品为主的半导体厂商。SK海力士是世界第二大DRAM制造商，与SK海力士结成紧密的合作关系有助于公司降低进入半导体行业的风险，以较低的成本分享中国半导体市场的发展。2024年度，海太半导体封装、封装测试最高产量分别达到23.1亿Gb容量/月、22.6亿Gb容量/月，其中封装最高月产量相比去年增长3.1%。公司控股子公司海太公司拥有完整的封装测试生产线与SK海力士12英寸晶圆生产线紧密配套。2025年7月，海太半导体与SK海力士完成了四期合同的正式签署。

飞凯材料：2024年6月21日公司在互动平台披露：环氧塑封料是HBM存储芯片制造技术所需要的材料之一，MUF材料按性状和工艺分不同品种，目前公司MUF材料产品包括液体封装材料LMC及GMC颗粒封装料，液体封装材料LMC已经量产并形成少量销售，颗粒填充封装料GMC尚处于研发送样阶段。2025年5月13日公司在互动平台披露：公司生产销售的EMC环氧塑封料，是存储芯片制造技术所需要的材料之一，公司相关产品主要应用于封装和分立器件两个领域。同时，公司发布的Ultra Low Alpha Microball（超低阿尔法微球），依靠其最小直径低至50μm，不仅填补了国内行业空白，更是直击先进封装用基板的“卡脖子”难题，被评为上海市高新技术成果转化项目，为芯片高密度、高性能封装提供了关键支撑。

万润科技：公司按照研发、销售先行先试的思路，主要聚焦半导体存储器的设计、研发及销售；公司从事半导体存储器业务的主体为控股子公司万润半导体。2024年内，万润半导体针对不同市场不同客户需求，通过存储介质特性研究、测试、存储应用技术开发等，进行产品设计、研发及材料选型，从供应商购入晶圆或芯片、主控芯片等主辅料，委托进行封装、测试等环节，再通过直销或经销方式销售给客户；经销模式下，为买断式销售。2024年内，万润半导体加大技术产品投入，主要产品包括固态硬盘（SSD）、嵌入式存储（eMMC）产品、内存产品，可应用于消费级、工业级或企业级等存储应用场景。

恒烁股份：公司NORFlash产品在制程、电压、功耗、频率、工作温度及产品稳定性方面均处于行业主流水平，部分产品技术水平达到行业先进水平。公司自主研发的NORFlash产品，采用高速串行外设接口（SPI）技术，以其高可靠性、低功耗特性、良好的兼容性和成本效益而受到市场青睐。2024上半年，公司的NORFlash产品针对电子烟、智能手表、通讯和电力等终端市场加大推广力度，实现了在电子烟，智能穿戴等消费类行业客户的出货量同比增长。同时公司加大力度开拓通讯和电力市场，在Cat1和Cat4模块应用市场出货量持续增加，并在行业建立一定知名度。在传统应用领域如机顶盒，电视等应用领域持续加强市场推广，扩大了客户基础，在一些头部客户端进入导入流程。另外公司也积极布局和导入PC和显示类客户，目前产品在客户端验证阶段，预期将为公司带来了新的业务增长。

澜起科技：作为内存接口芯片行业的领跑者和DDR5RCD芯片国际标准的牵头制定者，澜起科技在DDR5世代的竞争中持续保持领先地位。2024年，公司DDR5内存接口芯片出货量超过DDR4内存接口芯片。在DDR5内部子代迭代进程中，公司DDR5第二子代RCD芯片2024年出货量已超过第一子代产品，第三子代RCD芯片于第四季度开始规模出货；同时，第五子代RCD芯片已顺利向客户送样。凭借卓越的技术实力以及产品出色的稳定性和可靠性，公司精准把握DDR5迭代升级的产业机遇，进一步巩固行业领先优势。受DDR5内存接口芯片需求旺盛及产品子代升级的双重驱动，2024年公司互连类芯片产品线毛利率达到62.66%，较上年度提升1.30个百分点。

雷科防务：安全存储业务经过多年积累，掌握了存储控制芯片设计、自主可控固件算法、存储介质深度分析、端到端数据保护、高速存储记录等一系列核心技术，在全国产高可靠固态模组、嵌入式存储芯片、大容量高性能存储记录设备等产品领域形成了自己独有的优势。产品广泛应用于政府机构、国防领域、金融机构、医疗健康、工业控制等对数据安全和保密性要求较高的行业及领域，为用户提供可靠的数据存储和管理解决方案。

香农芯创：公司致力于成为半导体产业链的组织者和赋能者。在高端存储领域历经多年耕耘，现已形成“分销+产品”一体两翼的发展格局。“芯片分销业务”与“自研产品业务”互为表里，二者在渠道、研发、服务、供应链等环节紧密呼应，为公司的下一步跃升构筑了发展框架。电子元器件产品分销目前为公司的主要收入来源。公司已具备数据存储器、控制芯片、模组等电子元器件产品提供能力，产品广泛应用于云计算存储（数据中心服务器）、手机等领域。

佰维存储：公司移动存储包括移动固态硬盘、U盘、存储卡等产品，主要应用于消费电子领域，具有高性能、高品质的特点，并具备创新的产品设计。在公司自主品牌佰维（Biwin）方面，公司针对专业的摄影摄像用户群体推出了高端影像存储Amber系列，并不断完善与各大相机原厂的AVL认证，确保产品的兼容性表现。

兆易创新：公司利基型DRAM产品线基本铺齐，产品品类持续扩张，已包括DDR3L/DDR4/LPDDR4等，公司依托强大的供应链优势，在全球利基型DRAM市场中份额加速增长。随着端侧AI需求的兴起，对定制化存储解决方案提出新的要求，公司控股子公司青耘科技紧贴客户需求，积极开拓包括定制化存储方案在内的新技术、新产品和新市场，从容量、带宽、能耗等方面为客户提供更为定制化的解决方案，重塑端侧存储新形态。

园林股份：2025年12月，公司拟以1.12亿元购买杭州华澜微电子股份有限公司（下称华澜微或标的公司）6.4969%的参股权。公司拟向邓玉婷、曾超分别购买华澜微股份合计507.71万股，占华澜微总股本比例3.3847%；公司全资子公司芸合科技拟向杭州非度信息科技有限公司购买华澜微股份466.83万股，占华澜微总股本比例3.1122%。公司与芸合科技本次合计购买华澜微股份974.54万股，占华澜微总股本比例6.4969%。每股评估价为11.50元/股，本次交易总金额合计1.12亿元。华澜微是国产数据存储领域的部件提供商，华澜微固态存储主控芯片覆盖了SD/MMC/eMMC、USB、PATA、SATA、SAS、PCIe等常用高速接口类型，可满足移动存储卡/盘、固态硬盘等全系列固态存储模组的需求。

深科技：在数据存储业务领域，公司主要产品包括硬盘磁头、盘基片。公司拥有38年的研发制造经验，掌握硬盘磁头与硬盘盘基片核心制造技术，拥有自主产权的全自动高精密头堆、盘基片生产线。尽管消费级HDD（机械硬盘）市场持续受到SSD（固态硬盘）的冲击，但HDD凭借大容量和低成本存储的优势，在数据中心、企业级存储和大数据处理领域仍存在较大需求空间。2024年，公司盘基片业务销售量较去年同期有较大提升，但硬盘磁头业务受客户产能布局转移的影响，销售量同比有所下滑。未来，随着数据存储需求爆发式增长，存储产业将迎来技术升级浪潮。在HAMR（Heat Assisted Magnetic Recording，热辅助磁记录）等创新技术驱动下，公司将把握产业变革机遇，持续优化产品矩阵和商业模式，积极拓展新兴业务领域，巩固在存储行业的技术领先地位。

超颖电子：在储存领域，公司产品主要应用于机械硬盘、固态硬盘、内存条等，与全球机械硬盘制造商龙头希捷、西部数据及全球知名固态硬盘制造商海力士等建立了稳定合作。随着大数据、云计算的发展，云存储应运而生并得到越来越广泛的使用，企业级固态硬盘迎来持续增长。固态硬盘板主要难点在于金手指导电线去除及悬金长度精度控制、金手指小间距设计在化金工艺下间距控制，公司“服务器高速闪存主板”具有长短金手指、100μm分段金手指设计，运用二流体蚀刻、激光直接成像、超低损耗材料等一系列技术，将金手指尺寸公差和位置度公差控制在+/-25μm，实现了高密度集成电路图形、超高速信号传送、超低信号损失，目前已经应用到海力士等国际知名客户的最新物理接口E1、E3标准的固态硬盘产品。

恒坤新材：公司致力于集成电路领域关键材料的研发与产业化应用，是境内少数具备12英寸集成电路晶圆制造关键材料研发和量产能力的创新企业之一，主要从事光刻材料和前驱体材料的研发、生产和销售。公司产品主要应用于先进NAND、DRAM存储芯片与90nm技术节点及以下逻辑芯片生产制造的光刻、薄膜沉积等工艺环节，系集成电路晶圆制造不可或缺的关键材料。公司已量产供货产品包括SOC、BARC、i-Line光刻胶、KrF光刻胶等光刻材料以及TEOS等前驱体材料，量产供货款数随着产品验证通过而持续提升。同时，公司持续开发新产品，包括ArF光刻胶、SiARC、TopCoating等光刻材料和硅基、金属基前驱体材料均已进入客户验证流程，ArF光刻胶已通过验证并小规模销售。截至报告期末，公司自产产品在研发、验证以及量供款数累计已超过百款。此外，在境内集成电路供应链安全需求增加背景下，公司依靠对集成电路晶圆制造各类工艺的专业理解与技术积累，引进销售进口光刻材料、前驱体材料、电子特气及其他湿电子化学品等集成电路关键材料，创新性地走出了一条“引进、消化、吸收、再创新”的发展路径。

诚邦股份：2025年7月1日，公司交易提示公告披露，芯存电子主要从事半导体存储器的研发设计、生产和销售，目前业务规模较小，由于存储行业竞争较为激烈，近两年毛利率处于较低水平。芯存电子2024年纳入合并报表的营业收入为11,058.91万元、净利润为93.38万元，处于微利状态。2024年10月，公司通过对芯存科技增资5800万元获取51.02%股权，切入半导体存储领域。公司下属控股子公司芯存科技主要从事半导体存储器的研发设计、封装测试、生产和销售，是国家高新技术企业。公司已量产并销售的主要产品为移动存储（包括TFCARD、USB模块等）、固态硬盘（包括SATASSD、PCIESSD、PSSD）等。期后，芯存科技整合了包括芯源科技在内的相关业务资源，致力于构筑芯片封测、存储模组产品研发生产一体化的经营模式，布局嵌入式存储、内存条等产品，打造完善的闪存存储产品矩阵，在存储介质特性研究、固件算法开发、存储芯片封测、测试研发等方面打造综合竞争力。

大为股份：公司全资子公司大为创芯持续完善产品线，已覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X商规/宽温级别产品，已有eMMC工业级产品线，并完成部分产品的相关适配认证，已有DDR5产品线，可应用于消费电子领域。2025年2月5日公司在互动平台披露：大为创芯主要产品有NAND、DRAM存储两大系列。目前大为创芯的DDR4以及LPDDR4X是嵌入式市场的主流方案，大为创芯LPDDR4X产品近来顺利通过瑞芯微、晶晨半导体等多个SoC平台的认证，同时融合新兴技术，如人工智能、物联网、拓展存储、ChatGPT、AI手机、AIPC、AI服务器等对于存储解决方案的需求。公司持续对智能应用领域的具体业务进行优化调整，围绕半导体存储产品应用领域，拓展布局相关业务，促进半导体存储产业协同，融合发展。2022年10月24日公司在互动平台披露，2022年5月，大为创芯加入由统信软件发起的信息技术生态服务平台“同心生态联盟”，并成为其会员单位，将与同心生态联盟各成员一同助力信创生态建设与产业发展。

博敏电子：2025年6月27日，公司在互动平台表示，公司当前存储类IC载板产品主要来源于江苏博敏二期设立的IC封装载板产品线，达产后产能约1万平米/月，该产品线涵盖Memory、RF、WB-BOC、PBGA、WBCSP、FCCSP等，产品主要应用于数据存储、微机电控制、光电显示和无线射频等领域。公司IC载板类产品已为已为长鑫存储、沛顿、科大讯飞（002230）、康佳芯云、纮华电子等十多家客户进行打样试产，相应产品的技术能力在不断的优化与提升，但相关认证需要通过终端客户认可且认证周期较长。

上海新阳：晶圆制造用蚀刻液系列产品为公司面向存储芯片制造领域开发的电子蚀刻系列产品。主要包括用于3D NAND/DRAM存储器芯片制造的氮化硅/钛等蚀刻系列产品。公司原创开发的用于芯片制造的蚀刻液产品，自2018年立项以来历经三年技术攻关，实现四代技术产品的开发及迭代升级，可满足最大纵深比1：200的复杂图形的高精度蚀刻，达到蚀刻后图形的均匀性和平整性要求。目前公司已有三代技术产品实现规模化市场销售，开发出的适用于全世界最高水准的3D NAND存储芯片的高选择比氮化硅蚀刻液，选择性蚀刻速率最高可达2000：1。