存储器概念股票|存储器板块龙头股资金流向(实时)

深科达：2026年3月16日公司投资者关系活动记录表披露：AI算力爆发带动存储需求持续增长，行业供需偏紧，存储产线扩产与自动化升级需求旺盛。公司依托精密贴合、半导体设备领域的技术积累，切入存储设备赛道。现阶段公司已与北美存储客户建立直接合作，为其提供存储AOI检测设备、高精度芯片贴合设备、磁头测试产线自动化设备等多款产品。虽然当前该业务在手订单占公司整体营收比例较小，但公司将持续把握行业发展机遇，稳步推进相关业务的拓展。

精智达：公司延伸投入NAND FLASH测试设备、高规格Memory Handler设备及探针卡关键技术，构建“设备系统—核心耗材”协同研发矩阵。其中部件端深度布局探针卡核心技术，一方面聚焦多层板平整度难题，攻坚关键部件技术；另一方面针对2.4Gbps高频信号测试等前沿需求，前瞻布局高速探针卡开发。2025年上述项目研发推进高效，目标形成对测试设备硬件与核心部件基础技术的覆盖。

强一股份：公司一直在积极布局存储领域，已经实现面向HBM、NOR Flash的2.5D MEMS探针卡的验证以及面向DRAM、NAND Flash的2.5D MEMS探针卡样卡研制，结合境内市场情况围绕B公司、合肥长鑫以及长江存储进行重点拓展。存储领域，公司客户还包括兆易创新、普冉股份、聚辰股份等。

东芯股份：NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFlash，自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至2Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。

华虹宏力：2025年，受益于消费类与汽车电子需求回升，MCU整体市场需求增多。其中高性能MCU方面，40nm eFlash COT产品风险量产，55nm eFlash工艺平台大规模量产，同时多个相关工艺平台实现车规产品大量供货。整体嵌入式非易失性存储器平台出货量与销售额均呈两位数增长。独立式闪存平台方面，持续推进NORD闪存与ETOX闪存工艺的技术迭代，销售收入同比增长44.5%，其中48nm NOR Flash产品出货占比大幅度提升。

江丰电子：2025年报披露，公司生产的先端存储芯片用高纯300mm硅靶实现稳定批量供货，晶圆薄膜沉积工艺用精密温控核心部件出货量逐步攀升。超高纯钨靶主要应用在IC集成电路存储芯片中，是存储芯片的“金属骨架”，在3D NAND工艺中作为薄膜种子层，目前只有公司及头部跨国企业掌握了生产此产品的核心技术，近年来公司生产的超高纯钨靶已在多家国际知名存储芯片制造商实现批量应用。

普冉股份：2026年7月，调整后，公司拟89.88元/股发行1,189,381股股份、1,387,289张可转换公司债券及支付现金的方式合计作价24,705.80 万元购买珠海诺延、元禾璞华、横琴强科持有的诺亚长天49%的股权并募集配套资金不超过 7,700 万元。本次交易完成后，诺亚长天将成为上市公司全资子公司，目标公司SHM成为上市公司全资孙公司。SHM为一家注册在中国香港的半导体企业，专注于提供高性能2DNAND及衍生存储器产品及解决方案，主营产品系列覆盖2D SLC NAND、eMMC、MCP等产品，并拥有领先的制程工艺，其16nm/32nm SLC NAND闪存技术较同业具有领先优势，并持续向先进制程延伸，覆盖14nm/16nm eMMC（32/64GB）及MCP（LPDDR4X）产品，满足工业、汽车等领域对高密度与可靠性的需求。根据Trendforce等市场调研数据，SHM为2024年全球第四大SLC NAND厂商，仅次于铠侠、美光和华邦。本次交易系上市公司收购控股子公司诺亚长天的少数股权，有利于上市公司进一步夯实非易失性存储产品布局。

艾森股份：2024年6月19日公司在互动平台披露：公司现有量产产品“先进封装负性光刻胶”、“电镀铜基液”、“铜钛蚀刻液”以及客户认证中的“电镀锡银添加剂”等产品可以用于HBM存储芯片封装。2025年12月4日，公司在互动平台表示，公司的电镀液及光刻胶等核心产品均可服务于HBM、CoWoS等先进封装技术。

鼎龙股份：2025年11月26日公司在互动平台披露，公司作为国内领先的关键大赛道核心创新材料平台型企业，布局了多款可应用于存储芯片制造的产品：CMP抛光材料，如CMP抛光垫、抛光液及清洗液是晶圆制造的核心耗材，直接应用于存储芯片的制造流程；高端晶圆光刻胶，作为晶圆制造的关键材料，公司布局的近30款高端晶圆光刻胶可应用于存储芯片制造环节，目前超15款产品已送样验证；先进封装材料，半导体封装PI可应用于凸块（Bumping）和重布线层（RDL）工艺，临时键合胶用于超薄晶圆减薄工艺，这两类产品均能适配存储芯片的先进封装环节。

汇成股份：2025年11月11日公司在互动平台披露：2025年10月，公司充分利用安徽合肥本地半导体产业集群红利，顺势切入存储芯片封装领域，通过对合肥鑫丰科技有限公司进行战略投资及与华东科技（苏州）有限公司建立战略合作关系的方式布局DRAM封装业务。合肥鑫丰科技有限公司基于其掌握的PoP堆叠封装工艺，能够为客户提供LPDDR存储芯片封装代工服务。

北京君正：公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。公司SRAM产品品类丰富，包括了不同容量的同步SRAM、异步SRAM、高速QDRSRAM等产品。公司DRAM产品开发主要针对具有较高技术壁垒的专业级应用领域，可向客户提供不同容量、不同界面和不同功耗规格的产品，能够满足工业、医疗、主干通讯和车规等级产品的要求。公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR Flash存储芯片、2DNAND Flash和eMMC/UFS存储芯片。

精测电子：公司聚焦ATE领域持续深耕，构建起覆盖先进存储、SOC（系统级芯片）以及第三代功率半导体的全场景测试体系，为不同领域客户提供定制化、高效可靠的系统测试解决方案。面向先进存储芯片，可提供集成BI（Burn-In）测试、CP（Chip Probing）测试和FT（Final Test）测试于一体的多场景测试方案，并已完成迭代升级支持UFS4.1的测试。同时全新推出JH5520 HBM BI测试系统，精准满足HBM高端存储测试需求。

雅创电子：2025年，公司以前瞻性视野，围绕AI产业链上游核心半导体器件及下游应用领域进行了战略布局，组建了新的AI销售事业部，构建了包括高性能存储器、光通信用DSP、时钟芯片、高速Serdes芯片、高功率密度Ai电源模块、第三代半导体SiC/GaN、高性能MLCC等AI专用产品阵容。伴随AI算力基建与AI端侧应用的加速落地，公司产品矩阵中的多款核心产品迎来倍数级增长，包括为AI服务器配套的NAND存储器、Ai服务器配套的光通信模块用MLCC以及AI眼镜用电源模块等。

澜起科技：公司是全球可提供从DDR2到DDR5内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一，产品获得市场和用户的广泛认可。2025年1月，公司推出DDR5第二子代MRCD/MDB芯片，支持速率为12800MT/s；2025年10月，公司的DDR5第四子代RCD芯片成功量产，支持速率为7200MT/s；2025年11月，公司推出新一代用于客户端的DDR5 CKD芯片，支持速率为9200MT/s。 在市场份额方面，公司在DDR4世代逐步确立了行业领先地位，是全球可提供DDR4内存接口芯片的三家主要厂商之一，占据全球市场的重要份额。在DDR5世代，公司牵头制定相关产品国际标准，并提供完整的内存接口及模组配套芯片解决方案，继续保持行业领先地位。根据弗若斯特沙利文的数据，2024年内存互连市场整体呈现高度集中的市场格局，前三家企业合计占据93.4%的市场份额：其中，公司以36.8%的市场份额，排名全球第一。

恒烁股份：NOR Flash存储芯片领域，公司积极推进多条产品线的研发工作，升级迭代原有产品的同时持续研发新产品，为公司未来发展蓄力。公司积极布局先进的NORD工艺制程NOR Flash产品，在提供强大环境适应力（稳定可靠，宽温工作）的同时，其占用的晶圆面积相较于其他竞品优势显著，在成本降低的同时，极大地释放了客户在产品小型化与便携性设计上的潜力。公司致力于开发具备超高速数据传输能力的产品线，目前已有型号成功实现了SPI 166MHz和DTR 100MHz的业界领先速率水平。这一突破性进展精准契合了当前市场对海量数据实时处理与传输的迫切需求，为高性能计算、边缘设备及实时响应应用提供了强大的底层硬件支持。

香农芯创：公司自主品牌“海普存储”以深度服务国家大数据产业为出发点，围绕国产化、定制化路线，已完成企业级DDR4、DDR5、Gen4eSSD的研发、生产，产品性能优异，用于云计算存储（数据中心服务器）等领域。目前已完成部分国内主要的服务器平台的认证和适配工作并正式进入产品量产阶段，并于2025年实现规模收入。公司将持续与产业链深度合作，持续加大研发投入，打造国产先进存储品牌及产品。

斯迪克：2026年1月22日公司在互动平台披露，鉴于核心技术保密需要，公司已先行撤回相关专利申请；待条件成熟后，将适时重新提交专利申请。2025年8月7日公司在互动平台披露，关于专利（CN202411372878.8），其核心是通过优化磁介质结构提升存储密度与热稳定性，适用于高温环境。该专利申请基于公司对技术趋势的前瞻布局及业务多元化考量，依托公司在材料科学领域深耕功能性涂层复合材料的研发应用基础。公司申请该专利旨在为技术商业化预留空间，目前重点探索其在企业级存储介质、工业传感器等场景的适用性。量产计划将根据市场需求、技术成熟度及客户反馈动态评估，若达商业化条件，将优先通过现有产线适配。此外，专利布局是公司构建技术护城河的重要举措。未来，公司将持续关注磁带存储技术迭代，结合自身材料技术优势探索更多应用场景。

国科微：公司拥有核心的产品研发、设计、生产和销售能力，在固态存储行业中的知名度、影响力以及上下游供应链都处于优势地位。公司自研的固态存储主控芯片搭载国产嵌入式CPU IP核，已通过国密国测双认证及自主原创认证，可实现全国产供应链交付，是国内首款获得国密国测双重认证，完全拥有自主知识产权的产品，实现了固态存储主控芯片的国产替代。搭载公司自研主控芯片的多款固态硬盘产品也获得了国家密码管理局颁发的商密证书或国密证书。

上海新阳：晶圆制造及先进封装用电镀液和添加剂系列产品为公司面向芯片制造领域开发的第二代电子电镀产品。包括大马士革铜互连、TSV、Bumping电镀液及配套添加剂。晶圆制造用干法刻蚀后清洗液以及研磨后清洗液系列产品为公司面向芯片制造领域开发的电子清洗液系列产品。包括铜制程刻蚀后清洗液、铝制程刻蚀后清洗液、化学机械研磨后清洗液等。公司化学机械研磨液主要包括适用于浅槽隔离研磨液（STISlurry）、金属钨研磨液、金属铜研磨液、硅氧化层研磨液、多晶硅层研磨液等系列产品，研磨液产品可覆盖14nm及以上技术节点。晶圆制造用蚀刻液系列产品为公司面向存储芯片制造领域开发的电子蚀刻系列产品。包括用于3D NAND/DRAM存储器芯片制造的氮化硅/钛等蚀刻系列产品。

神工股份：2025年10月26日公司投资者关系活动记录表披露：公司大直径硅材料的制成品硅零部件，主要应用于存储芯片制造厂的刻蚀环节，开工率越高，使用量越大。公司认为，半导体产业周期上行有望带来更多市场需求。公司是上游材料及零部件供应商，如果下游终端存储芯片制造厂的开工率提升乃至资本开支增加带来新的需求，预计需要约1-2个季度传导到公司。