第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

富满微：2021年12月7日公司在互动平台披露，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。可以驱动GaN功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的LLC变换器主控芯片正在研发中。公司快充芯片已经占据较大市场份额。

晶盛机电：2022年9月8日公司在互动平台表示，公司已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证，公司将持续加强技术创新和工艺积累，实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进一步提升公司在第三代半导体材料端的竞争力。

东微半导：公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

捷捷微电：碳化硅肖特基二极管是碳化硅器件之一，具有超快的开关速度，超低的开关损耗，正向压降(Vf)为温度特性，易于并联，可承受更高耐压和更大的浪涌电流，用于电动汽车、消费类电子、新能源、轨道交通等领域，主要产品为塑封碳化硅肖特基二极管器件。

宏微科技：随着第三代功率半导体器件，如SiC和GaN器件日益成熟并走向市场，功率半导体的技术发展朝着晶圆尺寸更大，芯片功率密度更高，损耗更低，集成度更高以及封装体积更紧凑，高可靠性更高的方向发展。在光伏发电以及电动汽车等产业发展的带动下，国内功率半导体产业得到了蓬勃发展并推动了众多关键技术的突破。在这些领域中，除了IGBT器件得到了广泛的应用和拓展，SiC器件由于高转换效率、高开关频率、高应用结温等自身优势和特点，也越来越多地得到了认可和应用。公司在SiC芯片和封装方面也进行了布局，相关的SiC模块已经批量应用于新能源行业。

高测股份：公司推出的首款碳化硅金刚线切片机GC-SCDW6500，可实现6寸碳化硅晶片切割，2022年已实现批量销售，助力碳化硅行业开启金刚线切割技术对砂浆切割技术的替代进程。2022年底，公司升级推出GC-SCDW8300碳化硅金刚线切片机可兼容6寸及8寸碳化硅晶片切割，2023年已形成批量订单并获得头部客户高度认可；8英寸半导体切片机已在客户端量产；12英寸半导体切片机样机GC-SEDW812处于客户来料验证阶段，占据行业领先地位；磁材厚片瓦片多线切割机GC-MADW1280R及磁材厚片-直片多线切割机GC-MADW1880，领先行业适配高线速及细线化，大幅提高切割精度和材料利用率，竞争优势显著，获得批量订单；GC-SADW6670蓝宝石切片机持续保持技术领先地位，报告期内维持高市场份额。

锴威特：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

台基股份：公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有62项专利技术（其中12项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有2个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

新莱应材：国内半导体行业正处于飞速发展时期，公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。在迎接半导体行业第三次浪潮向我国转移的关键时刻，面临以中兴通讯禁售令为先导的中美贸易战热潮起端的时刻，公司积极配合泛半导体下游产商，如半导体芯片厂、LCD/LED面板厂、光伏太阳能厂等，从上游开始，关注半导体高洁净度、高精密化、高集成性的行业趋势，服务于本土化进程，最终实现国内半导体生产最终产品的自主化、国产化，提高我国半导体产业在全球的话语权和竞争力。

燕东微：公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

天岳先进：公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。公司已经实现8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的批量供应，主要客户包括国内外电力电子器件、5G通信、汽车电子等领域知名客户。公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、济宁碳化硅半导体材料生产基地。上海临港智慧工厂已于2023年5月实现产品交付，是公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。公司同时在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。公司高品质导电型碳化硅衬底产品加速“出海”，获得英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际知名企业合作。

华润微：公司宽禁带半导体以中高端应用推广为主线，在宽禁带功率器件产品新兴赛道取得了技术和产业化的显著进步。碳化硅以及氮化镓功率产品不断迭代升级与丰富，产业化进程与品牌竞争力大幅提升。碳化硅二极管二代平台已完成650V、1200V全系列化产品开发，覆盖目前主流应用需求，产品在汽车电子OBC、充电桩、储能、光伏、大功率电源方面批量供应；碳化硅二极管三代平台开发进展顺利，Rsp等各项参数达到国际领先产品水平，预计2023年将实现产品系列化。SiCMOS电压覆盖650V/1200V/1700V，在新能源汽车OBC、光伏储能、工业电源等领域通过多个客户测试并批量出货。车规级SiCMOS和SiC模块研发工作进展顺利，已完成多款SiCMOS模块产品出样。碳化硅器件整体销售规模同比增长约2.3倍，投片量逐月稳步增加。氮化镓产品方面，650V和900V级联型氮化镓器件产品推向市场，营收实现快速增长，产品应用以PC电源、电机驱动、照明电源、手机快充为主。公司加快8吋氮化镓工艺优化与产品开发，并同步推进储能电源、光伏逆变器、工业电源、通讯电源的产品开发和规划。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

金博股份：公司2021年11月设立全资子公司金博研究院，开展半导体高纯热场材料及相关产品业务。金博研究院基于碳基材料通用底层技术、制备机理与基础装备开发技术开展硅基半导体高纯热场材料、碳化硅半导体高纯热场材料及高纯碳粉等基础科学研究和应用技术开发，全面提升公司碳基材料产品在半导体应用领域的研发创新能力。同时公司以金博研究院为基础，围绕先进碳材料研发及应用，通过吸纳国内外碳基材料领域人才，打造碳基材料专业人才梯队，保持公司技术和研发水平的领先性，不断提升公司的整体核心竞争力，将公司打造成新材料产业化平台型公司。2022年4月，公司与天科合达达成战略合作意向并签署了《战略合作协议》，双方开展技术交流与联合研制，共同研发满足第三代半导体领域应用的热场材料、保温材料与粉体材料，以满足天科合达对相关材料国产化的需求。

赛微电子：公司GaN外延材料业务是指基于自主掌握的工艺诀窍，根据既定技术参数或客户指定参数，通过MOCVD设备生长并对外销售6-8英寸GaN外延材料。公司GaN芯片设计业务是指基于技术积累设计开发GaN功率及微波芯片，向下游客户销售并提供相关应用方案。GaN是第三代半导体材料及器件的一个类别，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材料硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，第三代半导体材料及器件具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。

威胜信息：2023年4月13日，公司在投资者关系活动记录表中披露，作为国内为数不多的提供全链条解决方案的能源互联网服务商，威胜信息围绕数字电网，在应用层、网络层、感知层都有相关的技术研发，在应用层布局人工智能与源网荷储一体化技术，在网络层布局边缘计算、第五代HPLC芯片技术，在感知层布局智慧感知、第三代半导体技术。另，2021年6月23日中国证券报讯，威胜信息6月23日与湖南三安、北京智芯签订了《碳化硅全产业链关键技术研究及产业化联合实验室共建意向书》，三方拟共建碳化硅联合实验室，拓展“芯”赛道。据介绍，联合实验室将围绕电力、轨道交通、汽车电子等关键领域，开展碳化硅MOSFET应用特性、碳化硅MOSFET芯片及工艺、驱动芯片研究；开展大功率直流电源模块、超级充电桩及源网荷储相关装置等技术研究及应用试点示范，并联合申报碳化硅功率模块科技项目，适时申报和创建国家创新中心。

蓝海华腾：2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

英唐智控：2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

江丰电子：公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。2023年报披露，公司控股子公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。

南大光电：公司是从事先进电子材料研发、生产和销售的高新技术企业，业务分为先进前驱体材料、电子特气和光刻胶及配套材料三个板块，产品广泛应用于集成电路、平板显示、LED、第三代半导体、光伏和半导体激光器的生产制造。公司深耕电子材料领域多年，业务布局良好，技术领先，种类丰富，多个产品填补了国内技术空白，并持续在先进制程用材料领域进行技术储备，成为国内布局全面、技术领先的电子材料企业。