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第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

 
 板块概念股龙头股DDX数据(输入板块代码或拼音查询): 概念板块列表
 
第三代半导体 ( 板块 994625 )
3486.49 -0.04 %
BBD: -26.40亿   成交额:447.54亿  开盘:3475.15  最低:3413.15  最高:3595.32  振幅:5.34%  更新时间:2025-04-08
DDX: -0.233   DDY: -0.49   特大单差: -1.3   大单差: -4.6   中单差: -0.6   小单差: 6.5   单数比:0.843  通吃率: -5.90%
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第三代半导体概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

新莱应材:公司“AdvanTorr”产品包括:高真空和超高真空的法兰、管件、钢瓶、传输阀、铝合金与不锈钢闸阀、角阀、腔室、加热带、视窗、无氧铜垫片等。运用面广泛:可以应用于半导体、显示器、LED照明、薄膜太阳能电池、氢能源、锂电、真空镀膜、科研机构等。真空主要应用于薄膜技术:蒸发、溅射、PECVD、MOCVD、ALD等,还有覆盖表面分析技术和离子注入系统。

捷捷微电:2025年1月13日公司在互动平台披露,公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件,截至目前,公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件,此外,公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。

华润微:2024年上半年,碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面,SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化,全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平,SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先,得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利,多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样,并配合主流车厂进行测试认证,实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进,碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作,产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展,产品平台涵盖40V、100V、150V、650V,代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

天壕能源:2021年6月17日公司在互动平台披露,公司是福州紫荆海峡科技投资合伙企业(有限合伙)的有限合伙人,认购有限合伙份额2500万元人民币,占紫荆资本认缴出资额的2.27%,截至目前实缴份额2500万元人民币。福州紫荆海峡科技投资合伙企业(有限合伙)主要投资领域包括节能环保、先进制造、医疗健康等领域,并通过湖南华业天成创业投资合伙企业(有限合伙)间接持有英诺赛科(苏州)半导体有限公司的股权。

台基股份:公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术,以及完整的前道(晶圆制程)技术、中道(芯片制程)技术、后道(封装测试)技术。公司拥有62项专利技术(其中12项发明专利)和多项专有技术,主持和参与起草多项行业标准。公司建有2个省级科研平台,积极开展产学研合作,持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平,在国内重大前沿科技项目得到应用。

东微半导:公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末,公司已开发出SiC二极管,并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中,Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代,市场前景广阔。报告期内,公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作,同时,基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户,目前在欧洲市场进展良好,产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域,并实现了批量出货。

燕东微:公司为了应对激烈的市场竞争,不断加大新产品研发力度,逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主,具体情况如下:8英寸生产线:2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证,实现了稳定量产,公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产,良率保持在98%以上;12英寸生产线:2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证,良率持续提升;第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证,正在小批量流水;6英寸SiC生产线:本年度SiC基业务板块稳步发展,1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品,各项参数合格,提交客户验证。

民德电子:2020年6月,公司控股收购广微集成技术(深圳)有限公司,进入功率半导体设计行业。广微集成公司是国内功率半导体设计企业中较少可提供45V-150V全系列MOS场效应二极管(MFER)产品的企业,且是国内少数在12英寸晶圆厂成功量产分离栅低压场效应晶体管(SGT-MOSFET)的企业。广微集成公司新产品、新技术储备丰富。此外,公司致力于构建功率半导体smartIDM生态圈,先后投资布局功率半导体上游核心环节:晶圆原材料(晶睿电子)、晶圆代工(广芯微电子)、超薄背道代工(芯微泰克),为公司功率半导体产业长远发展构建深厚的护城河。广芯微电子以晶圆加工正面工艺为主,配备基本的常规背道工艺;芯微泰克将专注于背道工艺,在背道工艺的技术种类、工艺配置、硬件条件等方面都更为专业全面,为功率器件设计公司和晶圆厂客户提供定制化的背面代工服务。后续,广芯微电子和芯微泰克将联合为广大设计公司提供高性能硅基及碳化硅功率半导体器件定制化代工+超薄片制程全套解决方案。

金宏气体:公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法(简称LPCVD)构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层,是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

赛微电子:2024年3月17日公司在互动平台披露,聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平;聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露,公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备,但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

亚光科技:公司大力扩大芯片研发团队规模,形成设计、封装、测试全流程研发生产能力,集中突破砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术,在芯片制造领域与国内流片厂深度合作,打造完整的新型半导体射频芯片产业链,在满足自用的基础上,逐渐扩大对外芯片设计、流片、测试和封装的整体芯片业务;并以5G/6G射频前端芯片和光通讯芯片为突破口,加快民品芯片设计服务拓展。2021年6月19日公司在互动平台披露:公司电子业务主要为军品,公司民品细分领域与其有所不同,主要集中在安防及专网通信领域。

富满微:2021年12月7日公司在互动平台披露,公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入,目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。可以驱动GaN功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的LLC变换器主控芯片正在研发中。公司快充芯片已经占据较大市场份额。

柘中股份:2024年11月6日公司在互动易平台披露:截止2024年第三季度末,公司直接持有瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司1,258,302股股份,占其总股本比例0.3241%。瀚天天成是一家集研发、生产、销售碳化硅半导体外延晶片的国家级高新技术企业。公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。

时代电气:公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地,拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面,目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2023年,公司IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先,占有率国内第一,新能源市场快速突破,根据NE时代统计数据,公司2023年新能源乘用车功率模块装机量达100.55万套市占率12.5%,排名第三,集中式光伏IGBT模块市占率快速提升,组串式模块实现批量供货,超精细沟槽7.5代STMOS+产品效率提升明显,达到国际领先水平,5MWIGBT制氢电源助力国内首个万吨级绿电制氢项目成功产氢,第三代1200VSiCMOSFET芯片达到国内先进水平,半导体三期项目迅速推进,宜兴产线已完成主体工程封顶。另,公司IGBT器件在柔性直流输电工程有应用。

金信诺:2021年12月20日,江苏万邦微电子有限公司新增股东南京微佰仕创业投资合伙企业(有限合伙),公司持有的江苏万邦微电子有限公司股权变为17.49%。2019年4月2日公司在互动平台披露:公司子公司江苏万邦微电子有限公司的产品主要有:有源相控阵雷达电源管理芯片、有源相控阵雷达波束控制芯片、有源相控阵雷达阵面TR组件控制芯片、5G基站射频前端、卫星通讯设备射频前端、星载抗辐照波束控制芯片、星载抗辐照电源管理芯片。2020年9月16日公司在互动平台披露:WB1409属于氮化镓功放配套的栅极稳压芯片,和氮化镓功放1:1配套使用。

锴威特:在第三代半导体器件方面,公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD(肖特基势垒二极管),SiC MOSFET导通电阻小,开关损耗低,工作温度范围宽,阈值电压一致性好,可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等,公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发,2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台,其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

利亚德:2022年8月31日公司互动易披露:公司主要是基于参股公司Saphlux研发的第三代半导体做LED的应用开发。2023年4月4日公司互动易披露:公司参股的Saphlux有半极性氮化镓材料。

三超新材:金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外,还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮,和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk,以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀(划片刀)等。

瑞纳智能:公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。公司重点研发和生产第三代半导体材料碳化硅晶体,目前有8英寸电阻炉和电感炉10台。公司将继续加快碳化硅晶体的研制工作,力争尽快实现小规模量产,同时进行衬底加工生产线的建设及其研发、验证和小规模量产。公司在碳化硅制程相关设备成立了专门的研发团队,为未来市场化布局核心技术和竞争力。

芯导科技:第三代半导体650VGaNHEMT产品已初步形成产品系列化,形成110mR~900mR范围,采用DFN5060、DFN8080、TO252、TO220、TO220F等多种封装形式的产品阵容,目前在电源、PD快充适配等领域重点推广,已经通过部分客户的验证,部分客户已进入小批量运行阶段。同时,中低压GaNHEMT产品的改进工作也在有序推进中。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1300260新莱应材 分时 日线 板块
2300623捷捷微电 分时 日线 板块
3688396华润微 分时 日线 板块
4300332天壕能源 分时 日线 板块
5300046台基股份 分时 日线 板块
6688261东微半导 分时 日线 板块
7688172燕东微 分时 日线 板块
8300656民德电子 分时 日线 板块
9688106金宏气体 分时 日线 板块
10300456赛微电子 分时 日线 板块
11300123亚光科技 分时 日线 板块
12300671富满微 分时 日线 板块
13002346柘中股份 分时 日线 板块
14688187时代电气 分时 日线 板块
15300252金信诺 分时 日线 板块
16688693锴威特 分时 日线 板块
17300296利亚德 分时 日线 板块
18300554三超新材 分时 日线 板块
19301129瑞纳智能 分时 日线 板块
20688230芯导科技 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
39.2511.19%30.88%1.030.8344.45610.9762511329141.068886.801.24382791102938-1.704.400.90-3.609.10%10.80%29.80%25.40%26.10%29.70%2.7-2.2-3.3-3.12.267-2.1652.50828763.7
26.806.43%4.30%2.21-0.378-1.320-19.622120182355.83-7247.310.67948238327420.20-9.00-2.6011.406.60%6.40%15.40%24.40%45.60%34.20%-8.8-7.7-6.2-6.58.9331.031-0.97971198.8
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25.426.01%7.36%2.40-0.250-2.421-12.945010144348.46-1507.850.66529832198320.20-3.60-4.307.704.60%4.40%16.10%19.70%45.50%37.80%-3.4-5.7-5.6-5.73.2520.491-1.86823653.1
35.125.85%2.80%1.80-0.095-0.859-11.887020112067.32-410.290.690618142622.80-6.20-7.8011.204.80%2.00%15.50%21.70%49.00%37.80%-3.4-8.6-5.6-1.616.0281.316-2.66612253.1
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20.005.71%2.72%2.100.035-0.439-2.28334116825.8688.740.809486539362.70-1.40-2.701.402.70%0.00%14.80%16.20%46.00%44.60%1.30.6-1.61.67.825-3.312-6.37712515.9
16.845.71%1.63%1.400.010-0.523-8.184241113052.4078.310.706978569105.50-4.90-7.506.909.50%4.00%15.60%20.50%49.50%42.60%0.6-4.8-3.4-1.59.216-3.453-1.95148197.7
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8.805.01%8.20%1.23-0.303-0.234-4.748230138724.30-1432.800.9622513024180-1.90-1.80-1.405.102.20%4.10%23.10%24.90%37.70%32.60%-3.7-3.4-4.7-2.53.430-6.090-5.28153703.1
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
第三代半导体概念板块解析(994625) 第三代半导体龙头股概念股一览
第三代半导体(也称为宽能隙半导体材料)是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料;
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