第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

中恒电气：2021年8月2日公司在互动平台披露，SiC、GaN等第三代半导体器件的应用有助于电源产品转换效率和功率密度的提升，因此公司在多款产品中应用了相关器件，推进产品转化效率的提升、减少能耗。2020年3月公司在互动平台披露：氮化镓功率器件相比传统硅基半导体能够带来低损耗和高开关频率，公司现阶段主要开展了氮化镓功率器件在超高效电源模块上的应用研究，目前已完成样机开发工作并实现小额销售。公司会根据市场发展情况，积极推进相关产品市场化工作。

奥海科技：2023年9月5日公司在互动易平台披露：公司拥有各主流功率氮化镓充电器。

茂硕电源：公司及子公司茂硕电子均为国家级高新技术企业，公司秉承“创新技术，产品为王”的理念，自成立以来十分重视研发投入和研发团队建设，奠定了公司在行业内的技术领先地位。公司拥有CNAS资质的检测中心，设有高标准设施的“电功能、安规、电磁兼容、机械、材料耐热/燃、环境、老化、环保检测”八大功能实验室，为产品开发提供了有力的技术保障产品优势开关电源方面，公司坚持“创新技术，产品为王”，贯彻执行“择高而立”“一米宽、万米深”的设计理念，以大客户战略为指引，专注于深耕行业内VIP客户的产品升级及拓展需求，在产品研发方向，目前已经形成了电源适配器产品线、PD充电器产品线及工控电源产品线三大产品领域，主要覆盖网通、机顶盒、安防、显示器/激光投影、音响设备、商务打印机、电机驱动、通讯、工业设备及共享换电定制电源,POE电源共计13个系列的细分领域。研发已经完成开关电源7.5W~750W等一系列标准型及客户定制类产品。产品特点主要体现在设计理念创新、成本优势、客户高度定制化、采用“整合数字电源”(FusionDigitalPower)技术，实现了开关电源中模拟组件与数字组件的优化组合，多专利的数字化控制技术及第三代半导体应用等方面，进一步扩展了公司消费类电源的覆盖领域。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

英诺激光：2022年2月25日公司在互动易平台披露：公司产品已应用于第三代半导体退火等加工工艺。

高测股份：公司推出的半导体切片机及截断机已形成批量订单并占据行业领先地位，其中寸半导体切片机已经实现海外销售，并已推出12寸半导体切片机样机；碳化硅行业，公司推出的6寸及8寸碳化硅金刚线切片机已形成批量订单并实现大批量交付，助力碳化硅行业加速实现金刚线切割技术对砂浆切割的替代进程；蓝宝石行业，公司推出的蓝宝石切片机竞争优势明显，占据行业绝大部分市场份额，报告期内公司推出新品蓝宝石倒角机并已形成订单；磁材行业，公司推出的磁材设备竞争力持续提升，报告期内公司磁材设备实现海外销售，产品影响力持续提升。

乾照光电：2023年8月21日公司在互动平台披露，公司南昌基地的主营产品与聚灿光电类似，主要为氮化镓GaN照明芯片，厦门基地和扬州基地主营产品是氮化镓GaN、砷化镓GaAs显示屏芯片，如小间距、mini显示等。

路维光电：公司在LTPO(低温多晶硅氧化物)、Mini-LED、Micro-LED、硅基OLED等新型显示技术领域取得突破，各类产品均已实现量产，产品技术指标达到国内领先水平。在半导体领域，公司围绕功率器件、射频器件等下游产品应用，实现掩膜版制造中的相关工艺技术的突破，已掌握衰减型相移掩膜版(ATTPSM)工艺技术、高精度半导体掩膜版光阻涂布技术、半导体掩膜版贴膜缺陷控制技术、半导体掩膜版精细化光刻控制技术等多项核心工艺技术。半导体掩膜版相关制作技术可以覆盖第三代半导体相关产品，并不断壮大在信息通信、轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域的客户群体。

宏微科技：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

洲明科技：2022年8月8日公司互动易披露：第三代半导体产业技术创新战略联盟成立于2015年，公司为发起单位之一，现为理事单位。公司中央研究院对第三代半导体部分基础材料应用进行研发，最终体现在公司的照明显示产品应用上。

重庆路桥：2024年上半年，公司通过嘉兴临澜股权投资合伙企业（有限合伙）间接持有安徽长飞先进半导体有限公司509.7821万股，2023年末持股比例占长飞先进总股本的1.7239%。长飞先进年产36万片碳化硅晶圆的武汉基地正式迎来主体结构封顶，项目的顺利封顶标志着长飞先进三大基地——芜湖基地、上海技术中心、武汉基地布局初步形成。

新洁能：1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

东微半导：公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

楚江新材：2024年10月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域，并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关，具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

蔚蓝锂芯：2020年2月26日公司在互动平台披露，子公司淮安光电是行业内极少数具有从衬底切磨抛、PSS、外延片到芯片的完整产业链的公司，公司主要产品为蓝绿光LED芯片，即在蓝宝石衬底上生长制造氮化镓发光二极管，公司在LED芯片相关领域有专利技术。

新莱应材：在泛半导体领域，国内半导体行业正处于飞速发展时期，公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。在迎接半导体行业第三次浪潮向我国转移的关键时刻，公司积极配合泛半导体下游产商，如半导体芯片厂、LCD/LED面板厂、光伏太阳能厂等，从上游开始，关注半导体高洁净度、高精密化、高集成性的行业趋势，服务于本土化进程，最终实现国内半导体生产最终产品的自主化、国产化，提高我国半导体产业在全球的话语权和竞争力。

金博股份：金博研究院持续开展技术攻关与产品开发，开发的超高纯软毡、高纯固化毡等新产品，已应用于硅基半导体和碳化硅半导体生长等高温热场系统；开发的高性能碳化钽涂层及其制备技术，可满足碳/碳复合材料、石墨等不同碳基材料基底的抗腐蚀涂层制备需求，可广泛应用于单晶硅、碳化硅等高纯晶体制造热场系统。金博研究院已完成第三代半导体碳化硅合成用超高纯碳粉、多款灰分5ppm以下超高纯碳/碳热场、超高纯软毡、硬毡等系列产品的研发与产业化，可广泛应用于半导体晶体生长的高温热场系统，相关产品已在多家碳化硅衬底制造厂商进行验证并应用。

拉普拉斯：2024年12月26日公司在互动平台披露：公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。

温州宏丰：2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。