新洁能概念题材|新洁能所属行业地域板块

无线充电：无线充电是指无需使用电缆和电线就能为电子设备充电，依靠的是电磁转换原理—插在插座上的发信器发出电磁波，安装在待充电设备上的接收器与其共振，将电磁波转换成电波，从而为设备充电。

氮化镓：氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。

电子设备：(1)电子设备包括计算机、通信和其他电子设备制造业等。 (2)中国电子元件“十二五”规划:2011年7月12日电子元件协会发布《中国电子元件“十二五”规划》。未来五年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，年均增长10%。规划提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860亿美元，年均增长10%。 (3)国务院电子产业规划：国务院正式发布《电子信息产业调整和振兴规划》，提出目标：产业发展对GDP增长的贡献不低于0.7个百分点，三年新增就业岗位超过150万个，软件和信息服务收入比重将从12%提高到15%。三大任务：确保计算机、电子元器件、视听产品等骨干产业稳定增长；突破集成电路、新型显示器件、软件等核心产业的关键技术；在通信设备、信息服务、信息技术应用等领域培育新的增长点。七大举措：落实扩大内需措施、加大国家投入、加强政策扶持、完善投融资环境、支持优势企业并购重组、进一步开拓国际市场、强化自主创新能力建设。 (4)“十三五”规划纲要中指出，实施国家大数据战略。把大数据作为基础性战略资源，全面实施促进大数据发展行动，加快推动数据资源共享开放和开发应用，助力产业转型升级和社会治理创新。全面推进重点领域大数据高效采集、有效整合，深化政府数据和社会数据关联分析、融合利用，提高宏观调控、市场监管、社会治理和公共服务精准性和有效性。

宁德时代：本概念板块收录上市公司与宁德时代有业务合作往来的予以入选。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高。

汽车电子：汽车电子是车体汽车电子控制装置和车载汽车电子控制装置的总称。车体汽车电子控制装置，包括发动机控制系统、底盘控制系统和车身电子控制系统（车身电子ECU）。汽车电子最重要的作用是提高汽车的安全性、舒适性、经济性和娱乐性。用传感器、微处理器MPU、执行器、数十甚至上百个电子元器件及其零部件组成的电控系统。

风能：风能是一种清洁、绿色的可再生能源。与传统能源相比，风电成本稳定、环境成本低、加上资源分布广泛、储量巨大，具有很大的应用潜力，是新能源产业的重要组成。近年来，随着社会对可再生能源关注度的不断提高，风能产业政策法规陆续出台，再加上风电并网技术逐渐成熟，风电逐渐呈现出取代传统能源的趋势。

芯片：芯片是集成了许多晶体管、电容、电阻、电感等元器件以及相关的电路，用来实现某种特定的功能，具有高度集成和小型化的特点。

低空经济：低空经济是以低空飞行活动为核心，以无人驾驶飞行、低空智联网等技术组成的新质生产力与空域、市场等要素相互作用，带动低空基础设施、低空飞行器制造、低空运营服务和低空飞行保障等领域发展的综合性经济形态

太阳能：太阳能一般是指太阳光的辐射能量，相对来说是取之不尽，用之不竭的。太阳能光伏发电技术路线主要包括第一代晶体硅太阳能电池、第二代薄膜太阳能电池（包括非晶硅a-Si，铜铟镓硒CIGS、碲化镉CdTe 电池三种类型）。近年来代表第三代太阳能发电技术的聚光光伏发电（CPV，采用以砷化镓GaAs电池为代表的III-V族半导体化合物电池）和聚光光热发电（CSP）也逐渐兴起。

无人驾驶：无人驾驶汽车是一种智能汽车，主要依靠车内的以计算机系统为主的智能驾驶仪来实现自动驾驶。

江苏：暂无该板块的介绍！

比亚迪：选取上市公司中与比亚迪有业务相关的予以入选

集成电路：集成电路产业包括设计、制造、封装测试三个环节，是整个电子行业的基础。近年来，半导体集成电路产业呈现出芯片供应短缺，更新速度加快，细分市场竞争激烈等特点。

中盘：选取每日收市后既不属于大盘，也不属于小盘的作为中盘的次日成份股予以调入。

融资融券：融资融券是指，投资者向具有融资融券业务资格的证券公司提交保证金，借入资金买入上市证券（融资交易），或借入上市证券并卖出（融券交易）的行为。

汽车芯片：随着汽车电动化、智能化和网联化提速，芯片应用大幅提升。目前，汽车芯片已广泛应用于动力、车身、座舱、底盘和安全等诸多领域。

小米：本概念板块选取上市公司的业务中与小米有合作关系的予以入选。

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。

IGBT：IGBT是指绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件。

功率半导体：功率半导体指，对功率进行变频、变压、变流、功率放大及管理的半导体器件。功率半导体器件作为电力电子核心功能元器件，广泛应用于汽车电子、AI服务器、机器人、5G 通讯、清洁能源、智能安防、工业、消费类电子等领域。功率半导体按器件集成度可以分为分立器件（含模块）、功率模块和功率IC三大类。

碳化硅：碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域。