氮化镓概念股票|氮化镓板块龙头股资金流向(实时)

新洁能：1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。+

海能实业：公司坚持实施工艺创新、材料创新和产品创新，公司是VESA协会、HDMI协会、USB协会、WPC无线充电联盟和HDCP协会等行业协会会员，已取得USB3.0、USB4、Type-C、HDMI、DP、Mini DP等多款产品的协会认证。在信号适配器产品领域，公司拥有各类信号（包含HDMI\DP\USB-C）转换、分配、切换、矩阵、延长产品的技术开发能力，能够提供完整的信号类产品解决方案。公司拥有自主开发算法的能力，能够使用MCU开发USB-C的系列化产品。公司研究开发了系列化音视频矩阵产品，产品功能模块化，具备电源供电模块、信号接入模块、信号输出模块等，且产品可以通过应用程序实现远程控制。在电源产品领域，公司具备业界领先的电源类产品研发制造技术，已经形成PC电源/墙充/无线充/车载充电器/排插/移动电源/车载逆变器系列化产品，并率先推出了氮化镓（GaN）USB PD300W电源产品系列/PC钛金1650W系列产品。+

奥海科技：2023年9月5日公司在互动易平台披露：公司拥有各主流功率氮化镓充电器。+

杰华特：AC-DC芯片主要作用将市电等交流电压转换成低压供电子设备使用，并提供各类保护机制，防止电子设备因电路发生故障而损坏。公司具备诸多领先且具特色的技术。公司近年来于业内较早推出了高频SR系列同步整流产品。又如公司在业内较早推出了去纹波芯片，无供电电容、无补偿电容的集成开路保护LED驱动芯片等AC-DC产品，并在漏电保护、低待机功耗辅助供电等领域具有竞争优势。此外，公司还相继在国内率先推出了智能电表智能调压芯片、基于ACF（有源钳位）和AHB（不对称半桥）拓扑的高效率控制芯片的快充高频GaN控制和驱动器等，具备极强的竞争优势，获得了客户的高度认可。+

晶方科技：公司加强与以色列VisIC公司的协同整合，努力拓展车用高功率氮化镓技术，充分利用自身先进封装方面的产业和技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。积极推进公司的市场拓展、技术研发及全球化生产与投资布局，在新加坡成立国际化平台，一方面对公司海外子公司与项目的投资架构进行规划调整，另一方面布局拓展海外市场、研发与生产中心，从而积极打造公司海外业务中心、研发工程中心与投融资平台，以此为基础在周边东南亚国家布局生产与制造基地，以更好贴近海外客户需求，推进工艺创新与项目开发，保持行业持续领先地位。+

聚灿光电：公司从事化合物光电半导体材料的研发、生产和销售业务，主要产品为GaN基蓝绿光LED外延片、芯片，2025年公司主要产品将增加GaAs基红黄光LED外延片、芯片。公司产品位于LED产业链上游，技术门槛和附加值均较高，所生产的产品应用领域为照明、背光、显示，主要为通用照明、植物照明、车载照明、手机背光、车载背光、屏幕显示、可穿戴设备、医疗美容等中高端应用领域。公司在深耕GaN基蓝绿光芯片基础上，进军GaAs基红黄光芯片领域，完成从单色系到全色系的圆满蜕变。2025年，公司将继续秉承 “聚焦资源、做强主业”的发展战略，坚持“调结构、提性能、创效益、铸品牌”的经营策略，稳健经营，坚定信心，踔厉奋发，勇毅前行，深耕LED外延片、芯片主业。+

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。+

芯导科技：第三代半导体650VGaNHEMT产品已初步形成产品系列化，形成110mR~900mR范围，采用DFN5060、DFN8080、TO252、TO220、TO220F等多种封装形式的产品阵容，目前在电源、PD快充适配等领域重点推广，已经通过部分客户的验证，部分客户已进入小批量运行阶段。同时，中低压GaNHEMT产品的改进工作也在有序推进中。+

绿联科技：充电类产品是公司的核心产品品类之一，能有效满足用户在不同应用场景下对智能设备快速充电、持久续航的需求。充电类产品主要为充电器、充电线、移动电源等。部分代表性产品包括：65W氮化镓充电器、100W氮化镓桌面充电器、二合一磁吸无线充、车载充电器、数据线、双向快充移动电源。根据QYResearch数据，公司2021年度手机数据线产品全球市场占有率为0.58%，全球排名第八；中国市场占有率为1.59%，中国排名第八。剔除掉三星、苹果、小米、VIVO/OPPO、华为等手机原厂的手机数据线出货份额后，公司2021年手机数据线市场占有率排名全球第二。+

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在SiC、GaN功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2023年，公司与东南大学集成电路学院签约共同建设“扬杰东大宽禁带半导体联合研发中心”，进一步夯实第三代半导体的研发力度。公司已开发上市G1、G2系SiC MOS产品，型号覆盖650V/1200V/1700V13mΩ-1000mΩ，已经实现批量出货。开发FJ、EasyPack等系列SiC模块产品。当前各类产品已广泛应用于新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。车载模块方面，公司自主开发的车载碳化硅模块已经研制出样，目前已经获得多家Tier1和终端车企的测试及合作意向，计划于2025年完成全国产主驱碳化硅模块的批量上车。第三代半导体产品的持续推出，为公司实现半导体功率器件全系列产品的一站式供应奠定了坚实的基础。+

必易微：2024年3月11日，公司推出的驱动第三代半导体氮化镓器件的AC-DC芯片，为快充领域客户提供多样化产品品类及方案，产品性能和品质已获知名品牌客户认可。+

安克创新：2022年9月6日公司在互动易平台披露：公司成立以来在充电领域不断积累技术优势，率先将氮化镓材料引入消费充电领域、推出可多设备兼容的PowerIQ智能快充技术等，用一代代创新的充电产品为更多的消费者带去便利和安全。+

海陆重工：2023年11月27日公司在互动平台披露，公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。+

南大光电：公司低硅低氧TMA项目：实现低硅低氧三甲基铝的研发和产业化，为第三代半导体AlGaN、AlN等外延片的生长提供核心原材料，服务于新能源汽车车载快充、5G射频功率放大器、紫外杀毒、手机快充和特高压输电等领域。项目进展：量产供应。+

帝奥微：公司致力于大功率充电器（65W）氮化镓控制器的研发，降低开关损耗，提高系统效率，达到大功率小体积充电器的最优性价比，与在研的氮化镓同步整流产品一起为客户提供大功率快充的氮化镓整体解决方案。+

芯朋微：2023年，针对白电冰空洗市场，公司在AC-DC产品已覆盖的整机上搭配、扩充GateDriver（HV&LV）驱动产品系列、功率器件及模块系列，提升公司在白电市场的SAM；针对手机品牌商市场，公司自主研发的高集成快充初级控制功率芯片、次级同步整流芯片及PD协议芯片的全套片方案逐渐上量，下游应用场景从10W到140W、从智能超结器件到氮化镓器件全覆盖。+

捷捷微电：2025年1月13日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利5件，此外，公司还有9个发明专利和2个实用新型专利尚在申请受理中。+

久立特材：公司于2020年2月18日互动平台披露，本公司下属全资子公司久立投资通过湖州诚镓间接参股了晶湛半导体，但参股比例较小，故对公司整体影响有限。晶湛半导体是服务于全球的氮化镓（GaN）外延材料供应商，是全球首家发布并其商业化的8英寸硅基氮化镓产品，经下游客户验证，该GaN材料具备全球领先的技术指标和卓越的性能，并填补了国内乃至世界氮化镓产业的空白，目前已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。+

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。+

台基股份：公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有62项专利技术（其中12项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有2个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。+