氮化镓概念股票|氮化镓板块龙头股资金流向(实时)

芯朋微：公司新品类产品（DC-DC、Driver、Digital PMIC、PowerDevice、Power Module）营收同比大幅增长39%，其中服务器应用领域营收同比增长超4倍。2025年，公司重磅推出12款面向AI计算能源领域的核心新品，首家完成服务器一次电源、二次电源到三次电源的全链路布局，其中面向800V HVDC系统的1700VSiC辅源、隔离驱动、SiC/GaN驱动等芯片、兆赫兹开环DCX控制器、全集成数字硬开关全桥控制器、8/12/16多相VRM、70/90A Cu-Clip DrMOS、EFuse、PoL等高性能功率产品可满足高算力服务器对电源转换效率、稳定性及小型化的要求。

京泉华：公司依托模型化设计平台以磁性元器件生产为基础，以电源产品同步开发为特色，形成了性能更可靠、质量更稳定、技术更先进的产品线，公司电源产品在氮化镓快充系列产品、无线充电器、模式二充电控制器、大功率电源等多个品类中形成了完整的产品族系列和迭代产品技术储备。公司电源类产品按照产品特性可分为电源适配器、充电器和定制电源，其中智能电源是定制电源产品系列中的技术含量高的产品。电源具体产品也包括：智能电源、氮化镓电源、电源适配器、裸板电源、LED电源、模块电源、医疗电源、工控电源、通信电源、光伏逆变电源、数字电源等多个系列。

必易微：2024年3月11日，公司推出的驱动第三代半导体氮化镓器件的AC-DC芯片，为快充领域客户提供多样化产品品类及方案，产品性能和品质已获知名品牌客户认可。

杰华特：2025年度，公司在GaN相关产品方面持续发力，陆续发布并量产全新一代AHB方案，同时推出驱动大功率电源方案的LLC方案平台，以及采用升级GaN的全新一代SSR平台和PFC平台，并整合引入配套协议芯片产品，目前已经形成强大完整的产品系列方案组合，功率可以覆盖从几瓦到几百瓦，产品定位可以满足低端到中高端的应用需求；并积极布局超高压产品，在手机快充、智能排插、终端适配器、家电、工业电源、两轮车电源等应用方面均有一定的市场或产品突破。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

晶方科技：公司是全球将晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）专注应用在以影像传感器为代表的传感器领域的先行者与引领者。公司为全球12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术的开发者，同时具备8英寸、12英寸的晶圆级芯片尺寸封装技术与规模量产能力。通过整合收购的智瑞达科技资产与技术，并将之与公司既有封装技术的有效融合，具备了从晶圆级到芯片级及模块制造的量产服务能力。通过并购荷兰ANTERYON公司，将光学设计与组件制造能力与公司的业务技术协同整合，形成了光学器件设计制造与一体化的异质集成能力。通过并购整合以色列VisIC公司，有效布局氮化镓功率模块的设计与开发技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。

富满微：2026年3月10日公司在互动平台披露，公司的氮化镓产品仅用于3c领域等适配器的产品上。

士兰微：公司已经建立了可持续发展的产品和技术研发体系。多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、第三代化合物功率半导体产品（SiC、GaN功率器件）、智能功率模块产品（IPM）、车规级和工业级功率模块产品（PIM）、高压集成电路、美卡乐高可靠性指标的LED彩屏像素管等新技术产品都是公司长期在这个技术研发体系中依靠自身的高强度投入和积累完成的。

南大光电：2026年7月3日公司在互动平台披露，目前公司三甲基镓产能为43吨/年，可用于氮化镓生产的产能占比约20%左右，暂无扩建产能计划。2025年12月5日公司在互动平台披露，公司部分MO源产品可以用于生产氮化镓。

帝奥微：公司致力于大功率充电器（65W）氮化镓控制器的研发，降低开关损耗，提高系统效率，达到大功率小体积充电器的最优性价比，与在研的氮化镓同步整流产品一起为客户提供大功率快充的氮化镓整体解决方案。

芯导科技：公司开发了高压GaN HEMT技术平台、低压GaN HEMT技术平台；高压平面型SiC MOS技术平台、SiC JBS结势垒技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。公司SiC产品，包含SiC SBD系列和SiC MOSFET系列。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V SBD产品已在PD客户端出货，1200V SBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中，650V产品在PD快充、适配器等客户方案验证中。

国博电子：2025年10月，公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功率放大器芯片，在手机等终端中成功量产应用，累计交付数量超100万只。公司将持续进行技术方案的升级，加速在终端厂商的应用验证。随着终端应用对射频功放要求的持续提升，大功率、高带宽、高效率射频功放成为技术发展趋势，当前主流的砷化镓射频功放技术受限于材料特性，面临性能局限性的挑战。硅基氮化镓功放芯片具备新型三代半导体材料的性能优势，将随着硅基氮化镓功放芯片产业链的技术进步和规模扩张，进一步扩大产品优势并持续提升。预计公司新产品将持续对现有砷化镓终端功放产品形成替代，并有望在终端射频功放领域全频段、全场景推广应用，该产品系列有望为公司营收提供第二增长曲线。

气派科技：公司5GMIMO基站微波射频功放塑封封装产品已于2020年大批量出货，2020年，公司基于5G基站的建立和高频化的技术要求，重点突破5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装关键技术。公司5G基站用射频功放塑封封装产品获得了2024年广东省省级制造业单项冠军。

中瓷电子：子公司博威公司作为我国第三代半导体氮化镓（GaN）基站功放领域的领军企业及微波射频集成电路领域骨干企业，是目前国内规模最大的第三代半导体GaN射频器件及模块研发和生产制造商，主要客户为国际通信设备制造行业龙头企业，细分领域市场占有率国内第一。博威公司将科技创新和产业创新实现深度融合，在国内率先实现了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件设计、工艺、高精度封装、高效自动化测试、高可靠验证等全体系技术突破，产品指标及可靠性达到国内领先、国际先进水平。在相关技术和产品上拥有46件国家专利，其中发明专利21件，实用新型专利25件。同时，博威公司持续加大研发投入力度，布局新技术、新产品、新应用，与产业链下游应用端头部企业建立深度合作，以应用为牵引，重点布局5G-A/6G新一代移动通信、低空经济、卫星通信、射频能源等新兴赛道，加速产品开发与产业化进程。目前相关产品技术指标及可靠性获得用户认可，形成批量订单，在新业务拓展方面取得良好的成效。

新洁能：第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

德龙激光：在MEMS、RFID、第三代半导体功率芯片、存储芯片、LED、光学滤光片等市场得到广泛的应用。公司面向晶圆切割应用，推出覆盖硅/存储/砷化镓/碳化硅/玻璃晶圆的隐形切割设备，以及晶圆low-k层激光开槽等关键设备，全面支持晶圆加工环节的高精度微加工需求，满足先进封装与高端芯片制造对切割精度、效率与稳定性的严苛要求。激光剥离技术采用深紫外激光作用于氮化镓晶体和蓝宝石衬底结合面上，致使氮化镓材料分解气化，使得氮化镓晶粒与蓝宝石衬底分离。该技术主要针对蓝宝石衬底的Micro LED晶圆巨量转移工艺需求，公司开发出了激光剥离设备，应用于碳化硅晶圆和蓝宝石衬底的Micro LED晶圆等领域。

捷捷微电：2026年3月12日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

立昂微：2026年5月14日投资者关系活动记录表显示，公司6英寸碳化硅基氮化镓芯片主要应用于基站、无人机、卫星通信、机器人等。

扬杰科技：2025年1月11日公司在互动平台披露，公司目前有只有少量氮化镓产品，未来公司会结合自身发展情况及市场需求进行产业产品布局。

恒铭达：2026年5月，公司拟向远山新材料科技有限公司增资4,900万元。本次交易完成后，公司将持有标的公司8.9253%股权。标的公司是一家具备氮化镓（GaN）外延材料与芯片制造自主生产能力的第三代半导体企业，其核心技术源自日本知名第三代半导体专家河合弘治先生，河合先生与日本诺贝尔物理学奖获得者天野浩先生为多年研发合作伙伴，曾共同开发氮化镓前沿技术与产品并发表署名论文。标的公司主营蓝宝石基中高压氮化镓（GaN）外延材料、功率器件及功率模块的研发、生产与销售，重点布局1200V-3000V的高压氮化镓（GaN）极化超级结（PSJ）功率器件。产品可以应用于算力服务器电源、新能源车、光伏储能、机器人等工业级场景。