氮化镓概念股票|氮化镓板块龙头股资金流向(实时)

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

绿联科技：充电类产品在公司2024年度营业收入占比领先，凭借其高效便捷的特性，能有效满足用户在多样化应用场景下对智能设备快速充电和持久续航的需求。该品类主要涵盖了移动电源、充电线、充电器、排插、车充等产品。2024年，公司推出了多款移动电源、新型排插、多种功率的氮化镓充电器、多合一无线充、大功率车充等创新产品，为公司的充电类产品线注入了新的增长动力。

气派科技：公司5GMIMO基站微波射频功放塑封封装产品已于2020年大批量出货，2020年，公司基于5G基站的建立和高频化的技术要求，重点突破5G宏基站超大功率超高频异结构GaN功放塑封封装关键技术，目前已完成封装产线全线贯通和样品制造以及产品认证，处于小批量生产阶段，具备大批量生产能力。2023年，完成了客户新增6个型号的方案的验证，客户已在做相关可靠性和电性能验证，公司将持续跟进客户。

南大光电：2023年报披露，公司主要研发项目包括低硅低氧TMA项目，项目目的：实现低硅低氧三甲基铝的研发和产业化，为第三代半导体AlGaN、AlN等外延片的生长提供核心原材料，服务于新能源汽车车载快充、5G射频功率放大器、紫外杀毒、手机快充和特高压输电等领域。项目进展：量产供应。

奥海科技：2023年9月5日公司在互动易平台披露：公司拥有各主流功率氮化镓充电器。

*ST铖昌：公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

和而泰：2022年6月，浙江铖昌科技股份有限公司（股票简称：铖昌科技）正式登陆深交所主板。2019年10月18日公司在互动易平台披露：公司子公司铖昌科技产品优势在于：其主要产品是相控阵核心芯片，具体来说是相阵里面的PA、LA、移相控制多功能芯片等。从产品工艺方面来讲，现有主要涵盖的是氮化镓、砷化镓，硅基等，对铖昌来讲都是很成熟的，也是大量在出货的。铖昌科技具备核心技术优势，拥有较强的军工资质，已经进入快速发展期，铖昌科技与主要客户合作关系稳定，在手订单不断增加。2022年9月5日公司在互动易平台披露：铖昌科技的产品已应用于探测、遥感、通信、导航等领域，同时应用于星载、机载、舰载、车载和地面相控阵雷达中，亦可应用至卫星互联网、5G毫米波通信等场景。并拥有相关技术研发能力且自主可控。2024年4月8日公司在互动易平台披露：铖昌科技对于5G毫米波通信应用进行了毫米波束赋形芯片的研发，相关产品已经多轮迭代开发。

芯朋微：2024年4月23日公司在互动平台披露：公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效，陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品，均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业类应用已在推广中。

德龙激光：根据下游应用领域和技术路径的不同，公司精密激光加工设备主要分为半导体领域激光加工设备、显示领域激光加工设备、新型电子领域激光加工设备及新能源领域激光加工设备。公司主要产品情况具体如下：①半导体领域激光加工设备：包括：（1）碳化硅、氮化镓等各类半导体晶圆的切割、划片；（2）LED/MiniLED晶圆切割、裂片；（3）MicroLED激光剥离、激光巨量转移；（4）集成电路传统封装及先进封装应用：如硅隐切、玻璃通孔（TGV）、激光开槽（low-k）、晶圆打标、模组钻孔（TMV）、激光解键合、辅助焊接等。

雷电微力：2024年10月11日公司在互动平台披露，公司在集成电路设计领域主要专注于化合物半导体技术，采用砷化镓、氮化镓高性能工艺线，特点是高频率、高性能、高集成度；在软件设计方面，公司的波束控制软件完全自主设计，具备成熟的架构，能够实现快速响应，并在波束切换、收发切换等关键指标具备较优的性能。

ST易事特：2023年3月31日公司在互动平台披露，在第三代半导体领域，公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心并在2016年投资成立东莞南方半导体科技有限公司，现持有其4.67%股份，该参股公司主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务。此外，公司也承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题，将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件进行实际应用，逐步对公司现有产品的功率器件进行替代升级，实现更好效能。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只。

海陆重工：2023年11月27日公司在互动平台披露，公司参股企业江苏能华微电子科技发展有限公司主营业务为设计、生产和销售以氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体高性能晶圆、器件。

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

海能实业：公司坚持实施工艺创新、材料创新和产品创新，公司是VESA协会、HDMI协会、USB协会、WPC无线充电联盟和HDCP协会等行业协会会员，已取得USB3.0、USB4、Type-C、HDMI、DP、Mini DP等多款产品的协会认证。在信号适配器产品领域，公司拥有各类信号（包含HDMI\DP\USB-C）转换、分配、切换、矩阵、延长产品的技术开发能力，能够提供完整的信号类产品解决方案。公司拥有自主开发算法的能力，能够使用MCU开发USB-C的系列化产品。公司研究开发了系列化音视频矩阵产品，产品功能模块化，具备电源供电模块、信号接入模块、信号输出模块等，且产品可以通过应用程序实现远程控制。在电源产品领域，公司具备业界领先的电源类产品研发制造技术，已经形成PC电源/墙充/无线充/车载充电器/排插/移动电源/车载逆变器系列化产品，并率先推出了氮化镓（GaN）USB PD300W电源产品系列/PC钛金1650W系列产品。

安克创新：2022年9月6日公司在互动易平台披露：公司成立以来在充电领域不断积累技术优势，率先将氮化镓材料引入消费充电领域、推出可多设备兼容的PowerIQ智能快充技术等，用一代代创新的充电产品为更多的消费者带去便利和安全。

亚光科技：公司大力扩大芯片研发团队规模，形成设计、封装、测试全流程研发生产能力，集中突破砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术，在芯片制造领域与国内流片厂深度合作，打造完整的新型半导体射频芯片产业链，在满足自用的基础上，逐渐扩大对外芯片设计、流片、测试和封装的整体芯片业务；并以5G/6G射频前端芯片和光通讯芯片为突破口，加快民品芯片设计服务拓展。2021年6月19日公司在互动平台披露：公司电子业务主要为军品，公司民品细分领域与其有所不同，主要集中在安防及专网通信领域。

兆驰股份：兆驰半导体是全行业唯一一家全年满产满销及扣非后较大幅度盈利的芯片厂。2023年内，垂直一体化协同策略持续深入，战略重心倾向高附加值产品，最终实现由“规模”向“规模＆价值”的高质量可持续发展。产能方面，氮化镓芯片扩产项目在2023年4月开始放量，于6月底已经实现产量100万片（4寸片），后续通过提升生产效率，截止12月底，氮化镓产量为105万片（4寸片），公司氮化镓芯片产能居行业第二，产销量居全行业第一；报告期内，砷化镓芯片产量为5万片（4寸片）。LED芯片的扩产为公司提升MiniRGB、MiniBLU、高端照明等高附加值市场份额提供源动力。2023年期间，公司量产MiniRGB芯片尺寸主要为04*08mil（100*200μm）、03*07mil（88*175μm）、03*06mil（70*160μm）、02*06mil（50*150μm），量产的芯片尺寸最终将到02*04mil（50*100μm）。截至目前，公司MiniRGB芯片单月出货量为10000KK组。2023年下半年，公司提升了应用在普通照明市场的LED芯片产品价格，并基于产能释放提升高附加值产品占比，如MiniRGB芯片、背光领域芯片、高毛利照明的产品结构占比。2023年期间，兆驰半导体成功进入三星供应链体系。

新洁能：1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。