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直流输电：直流输电是新型电力系统的主线之一，相较交流输电，其具备经济和技术优势。其中，柔性直流输电是最近几十年发展起来的新型直流输电技术，由于其响应速度快、可控性好、占地规模小等特点，成为目前国际上适应性较好的输电技术。

预盈预增：（1）以公司最近一期公告披露的业绩情况，选取预增比例超过100%以上的公司；

湖北自贸区：设立中国（湖北）自由贸易试验区，是党中央、国务院在新形势下推进改革开放、加快长江经济带发展、促进中部崛起的重大战略举措。自贸试验区的实施范围119.96平方公里，涵盖三个片区：武汉片区70平方公里（含武汉东湖综合保税区5.41平方公里），襄阳片区21.99平方公里（含襄阳保税物流中心〔B型〕0.281平方公里），宜昌片区27.97平方公里。

5G：狭义上来说，5G是指第五代移动通信技术的无线接入网技术。从广义上来看，还泛指包括无线接入网、核心网及相关支撑系统的完整的技术体系。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高。

电子设备：(1)电子设备包括计算机、通信和其他电子设备制造业等。 (2)中国电子元件“十二五”规划:2011年7月12日电子元件协会发布《中国电子元件“十二五”规划》。未来五年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，年均增长10%。规划提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860亿美元，年均增长10%。 (3)国务院电子产业规划：国务院正式发布《电子信息产业调整和振兴规划》，提出目标：产业发展对GDP增长的贡献不低于0.7个百分点，三年新增就业岗位超过150万个，软件和信息服务收入比重将从12%提高到15%。三大任务：确保计算机、电子元器件、视听产品等骨干产业稳定增长；突破集成电路、新型显示器件、软件等核心产业的关键技术；在通信设备、信息服务、信息技术应用等领域培育新的增长点。七大举措：落实扩大内需措施、加大国家投入、加强政策扶持、完善投融资环境、支持优势企业并购重组、进一步开拓国际市场、强化自主创新能力建设。 (4)“十三五”规划纲要中指出，实施国家大数据战略。把大数据作为基础性战略资源，全面实施促进大数据发展行动，加快推动数据资源共享开放和开发应用，助力产业转型升级和社会治理创新。全面推进重点领域大数据高效采集、有效整合，深化政府数据和社会数据关联分析、融合利用，提高宏观调控、市场监管、社会治理和公共服务精准性和有效性。

国企改革：随着国资国企改革进一步推进，通过资本市场改革是理想途径之一，从央企到地方国企改革，资产证券化率提高是市场主题投资的最大红利。集团核心资产注入、整体上市、跨集团借壳等都是国企利用资本市场进行改革的重要形式，未来国企层面改革将加速开展，资本市场将在国企改革中发挥重要作用。

湖北国资：选取上市公司实际控制人为湖北国资委背景的予以入选。

航天军工：军工行业主要涉及武器装备的科研、生产、配套等环节，整体产业体系强大。军工企业是指承担国防科研生产任务，从事为国家武装力量提供各种武器装备研制和生产经营活动，并具有独立法人资格的企业。

碳化硅：碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域。

芯片：芯片是集成了许多晶体管、电容、电阻、电感等元器件以及相关的电路，用来实现某种特定的功能，具有高度集成和小型化的特点。

EDA：EDA工具可运用于芯片设计的各环节，芯片设计公司大部分都需要通过EDA软件进行设计，可以提高芯片设计的效率，同时在芯片制造和封测环节也有应用。

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。

IGBT：IGBT是指绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件。

集成电路：集成电路产业包括设计、制造、封装测试三个环节，是整个电子行业的基础。近年来，半导体集成电路产业呈现出芯片供应短缺，更新速度加快，细分市场竞争激烈等特点。

氮化镓：氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，属于第三代半导体材料。GaN材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。