第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

中瓷电子：氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。

长飞光纤：在第三代半导体领域，长飞先进半导体位于武汉的生产基地主体建筑结构已在二零二四年六月封顶，目前已进入设备安装调试阶段，预计于二零二五年四月底实现量产通线，达产后每年可生产36万片6英寸碳化硅晶圆，可满足约144万辆新能源汽车的制造需求，产能国内领先。而在产品开发进度方面，该公司碳化硅MOSFET产品于二零二五年二月通过AEC-Q101车规认证，比导通电阻（Ronsp）及栅极电荷（Qg）均达到国内领先水平，具备极低的开关损耗和导通损耗，可显著提升逆变器及其他应用终端的性能，为后续车规级产品的市场拓展奠定了坚实的基础。

鼎龙股份：2025年6月12日公司在互动平台披露，公司在半导体业务销售收入高速增长的基础上，也持续积极进行半导体材料产品布局的扩展和更新迭代。如在CMP抛光材料领域，公司全面布局以碳化硅为代表的化合物半导体用抛光垫，铜及阻挡层抛光液等多款新产品在客户端验证进度不断推进。

江丰电子：公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。2023年报披露，公司控股子公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。

金信诺：公司持有江苏万邦微电子有限公司17.49%股权。万邦微电子官网披露，其是一家从事集成电路和模组的设计研发、测试和技术服务的国家级高新技术企业。自成立以来，公司一直致力于有源相控阵雷达用ASIC芯片的研制生产，为有源相控阵雷达天线阵面的T/R组件、雷达电源、波控板等部件配套国产自主可控的集成电路，在行业内具有领先地位。近年来公司不断推进集成电路产品的国产化进程，已成功研制和生产LDO、DC/DC、运放比较器等多款通用集成电路。2021年4月9日公司在互动平台披露，公司参股子公司江苏万邦微电子有限公司产品类型中部分硅芯片属于第三代半导体产业中的配套芯片。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

英唐智控：2025年11月4日公司在互动平台披露，公司目前代理的碳化硅产品覆盖MOSFET、MOS以及二极管等多个品类，同时，公司间接持股的芯片设计公司上海芯石，已获取碳化硅领域的IP，并成功开发出相关产品。

路维光电：目前公司已实现180nm制程节点半导体掩膜版量产，150nm/130nm已通过客户验证并小批量量产，同时公司已掌握的半导体掩膜版制造技术可以覆盖第三代半导体相关产品，产品已全面应用于IC制造、IC器件、先进封装等领域，满足先进半导体芯片封装、半导体器件、MEMS传感器、射频芯片、硅基OLED等产品应用的需求，为我国半导体行业的发展提供关键的上游材料国产化配套支持。通过投资建设路芯半导体130-28nm半导体掩膜版项目，公司进一步完善在半导体领域的布局。该项目投产后，产品将覆盖MCU（微控制芯片）、SiPh（硅光子）、CIS（互补金属氧化物半导体图像传感器）、BCD（双极-互补-双扩散-金属氧化物半场效应管）、DDIC（显示驱动芯片）、MS/RF（混合射频信号）、Embd.NVM（嵌入式非易失存储器）、NOR/NANDFlash（非易失闪存）等半导体制造相关行业，进一步完善产业链供给、推动国产替代进程。

欧陆通：2023年7月24日公司在互动平台披露，公司电源适配器业务发展多年，布局覆盖3瓦-400瓦，产品品类及下游客户众多，应用领域广泛，目前公司已有多个电源适配器产品使用氮化镓技术，正在积极拓展海内外市场。

富满微：2021年12月7日公司在互动平台披露，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。可以驱动GaN功率管应用到大功率高效率的电源变换器上的LLC变换器主控芯片正在研发中。公司快充芯片已经占据较大市场份额。

北方华创：晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。公司主要批量销售的晶体生长设备包括：电阻式SiC长晶炉、感应式SiC长晶炉、液相法碳化硅长晶炉、单晶硅生长炉。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

兆驰股份：2025年11月16日公司在互动平台披露，公司已形成对砷化镓、磷化铟、氮化镓等材料体系的覆盖，产品广泛应用于车载照明、显示背光、智能终端、安防传感、光通讯五大核心领域。

天富能源：公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

麦格米特：公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2024年公司在碳化硅尤其是SiCMOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI服务器电源、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。2024年，公司联合相关公司参与了工信部《2024年大尺寸高质量氧化镓单晶衬底项目》，负责氧化镓SBD器件制备，是公司在技术实力与行业影响力方面双重提升的重要里程碑。车载模块方面，针对新能源汽车控制器应用，建设了全自动化车规功率模块产线，可年产三相桥HPD模块16.8万只。

拉普拉斯：2024年12月26日公司在互动平台披露：公司在半导体分立器件领域聚焦第三代半导体碳化硅设备，通过产品技术支持产业的发展。目前形成了氧化、退火、镀膜和钎焊炉设备等一系列产品，并开始逐步导入到下游行业内领先企业。在具体产品方面，公司持续对高温氧化设备和高温退火设备进行开发与优化，可适用于SiC基半导体器件生产工艺；公司LPCVD设备可满足氮化硅/氧化硅/多晶硅（Poly-Si）/非晶硅（α-Si）薄膜沉积技术的应用需求，并适用于半导体分立器件的生产。

清溢光电：目前公司已量产250nm工艺节点的6英寸和8英寸半导体芯片用掩膜版，主要应用在IGBT、MOSFET、碳化硅和MEMS等半导体芯片领域。公司将抓住半导体芯片掩膜版国产替代机遇，在重点客户拓展方面取得突破，250nm产品批量交付多家客户；建立了180nm工艺测试平台，180nm产品通过国内重点客户的认证。公司的半导体芯片掩膜版业务收入持续增长。深圳工厂引进的半导体芯片用掩膜版光刻机已量产，在2023年第一季度，配套的检测设备已经投产，而清洗设备亦已进场，目前正在安装调试，预计相关设备投产后将进一步提升半导体芯片用掩膜版等产品的产能，以更好地满足集成电路凸块（ICBumping）、集成电路代工（ICFoundry）、集成电路载板（ICSubstrate）、MinLED芯片、MicroLED芯片、微机电（MEMS）等市场的需求。

智光电气：2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。