第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

联动科技：公司的QT-8400系列测试平台，主要用于IGBT及第三代半导体碳化硅和氮化镓功率器件和晶圆测试、车规类碳化硅KGD测试及功率模块的全性能测试，能够满足电动汽车、新能源等工业领域日益增长的测试需求和新的应用场景。目前，该测试平台市场推广效果良好，已在下游客户通过认证并实现批量销售。

晶盛机电：碳化硅产业链装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先。公司碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业。在蓝宝石产业链装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

柘中股份：2024年11月6日公司在互动易平台披露：截止2024年第三季度末，公司直接持有瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司1,258,302股股份，占其总股本比例0.3241%。瀚天天成是一家集研发、生产、销售碳化硅半导体外延晶片的国家级高新技术企业。公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。

江丰电子：公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。2023年报披露，公司控股子公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。

燕东微：公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

茂硕电源：公司主要从事开关电源的研发、生产、销售和技术服务，致力于为客户提供高品质、高性价比的LED驱动电源与消费类电子电源。公司作为国内较早上市的电源企业，已成为行业知名品牌，在LED驱动电源与消费电子类电源行业具备良好的口碑，与众多国内外知名品牌企业建立了长期稳定的合作关系。公司积极推动第三代半导体材料应用于电源产品，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）器件应用占比不断提升，推动产品性能与可靠性全面提升。目前公司光伏发电及储能业务仍处于初步发展阶段，市场整体影响力较小，但凭借国资背景及优秀核心经营团队的加持，顺应“双碳”潮流，把握光储充一体化趋势，强化储能业务的业务能力，力争实现市场影响力进一步扩大。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

三超新材：金刚石砂轮除了传统的用于磁性材料、蓝宝石、光学玻璃等加工的产品外，还包括专用于精密刀具加工的精密金刚石砂轮，和专用于包括第三代半导体碳化硅在内的半导体芯片加工过程中的减薄砂轮、倒角砂轮和CMP-Disk，以及封装过程中使用到的树脂软刀、金属软刀、电镀软刀、硬刀（划片刀）等。

智光电气：2022年内，公司间接持股的粤芯半导体完成B轮战略融资，用于粤芯三期项目建设，目前粤芯已完成股份制改造。另，2019年5月公司在互动平台上表示，粤芯半导体采购的是荷兰ASML的光刻机，已于2019年3月中旬搬进粤芯半导体主厂房，目前在做量产前的最后调试准备。光刻机等主设备的顺利进驻，为粤芯半导体量产计划提供了有力保障。2019年9月10日公司在互动平台披露：经了解，粤芯半导体联合中标工信部半导体、芯片、关键零部件等领域的产业技术基础公告服务平台建设项目，情况属实。此建设项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。粤芯半导体项目是国内第一座以虚拟IDM (irtuallDM)为营运策略的12英寸芯片厂，是广州第一条12英寸芯片生产线，已列为广东省、广州市重点建设项目。产品包括模拟芯片、图像传感器、电源管理芯片、功率分立器件等，满足物联网、汽车电子、工业控制、5G等应用的模拟芯片需求。

芯导科技：公司已经正式发布具有自主专利技术的GaN HEMT产品，并在多个客户端进行验证，是第三代半导体产品较早开发成功的国内企业。公司650VGaN( 氮 化 镓 ) HEMT产品阵列中已成功加入具有90-300mR的P-GaN系列产品，中低压GaN HEMT产品有序开发中，其中40V产品已在客户端测试通过。650VCascode结构GaN HEMT有序开发中，目前初步形成了50-3000mR系列产品。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650VSBD产品已在PD客户端出货，1200VSBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700VSBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V电压档有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域正处于客户验证测试中。

锴威特：公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

华润微：2024年上半年，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化，全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进，碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作，产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展，产品平台涵盖40V、100V、150V、650V，代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

美畅股份：2020年9月4日公司在互动平台披露，金刚线在晶体硅切割领域技术成熟，也得到了普遍的运用，对于同样属于超硬材料的碳化硅，氮化镓的切片来讲金刚线在技术上具有很高的可行性，公司也正在积极探索金刚石线在高价值硬脆材料切割领域的应用。

新洁能：1）公司已开发完成1200V 23mohm~75mohm和750V 26 mohmSiC MOSFET系列产品，新增产品12款，相关产品处于小规模销售阶段；2）650V/190mohm E-Mode GaN HEMT产品、650V 460mohm D-Mode GaN HEMT开发完成，新增产品2款，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，项目产品通过可靠性考核，100V/200VGaN产品开发中。氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场高等性质。

民德电子：晶圆代工厂广芯微电子作为对公司构建长期护城河有重要影响力的核心战略资产，公司在2024年初启动对广芯微电子的控股收购，并于2025年1月初完成股权交易的主要交割事项，广芯微电子已成为上市公司控股子公司，纳入公司合并财务报表范围，公司也成为国内少数控股晶圆代工厂，并在产业链核心环节均实现自主可控的功率半导体企业。广芯微电子项目2023年底开始量产，2024年，产线处于量产爬坡阶段。目前，广芯微电子的产销量在快速提升中，生产的产品主要包括：MOS场效应二极管45-200V全系列共百余款产品已完成开发并批量生产；200-2,000V高压/超高压/特高压DMOS产品线多款产品已完成开发并批量生产；高压BCD产品正在进行验证。体系认证方面，广芯微电子已通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证，标志着广芯微电子在质量管理方面符合国际标准，达到了汽车行业供应链的要求，广芯微电子已具备车规极产品生产能力，并开始小批量生产。

银河微电：公司专注于核心技术的积累与新产品的开发，扎实推进多个研发项目，取得了从芯片设计（6英寸平面芯片、RFID芯片、HVIC芯片、LVIC芯片、外延FRD、高压TVS等）到新封装开发（CLIPPDFN、DFN8080、DFN3333、倒装LED封装等）、从质量等级提升（消除封装分层、提升车规级可靠性能力）到集成器件开发（RFID、IPM）、从传统半导体器件到第三代功率器件（SiC、GaN）等成果的实现，不断提升公司的技术创新能力。公司在保持和提升在传统领域的优势的同时，紧跟市场方向，积极拓展汽车电子、清洁能源、安防、5G通讯、物联网、人工智能等新兴市场，抓住需求增长的机遇，全力推进替代进口战略，加快渗透，扩大对下游优质客户的覆盖，为公司未来的快速发展奠定坚实基础。

天箭科技：相控阵是公司新技术创新突破及未来发展的方向之一。公司技术团队结合第三代半导体材料的发展成果，自主研发了一种不同于传统T/R组件的新型相控阵产品，具有尺寸小、重量轻、免维护和低功耗的优点。基于以上优点，公司新型相控阵产品除了可运用于商用卫星领域，还可以应用于精确制导雷达、星载雷达及机载雷达等军事武器装备中，这将进一步扩展公司产品在军事领域中的应用，提高公司的行业地位。其他固态发射机产品公司技术除应用于雷达精确制导外，还广泛应用于卫星通信、电子对抗等领域。

斯达半导：公司主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调，充电桩，电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。