第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

联动科技：公司的QT-8400系列测试平台，主要用于IGBT及第三代半导体碳化硅和氮化镓功率器件和晶圆测试、车规类碳化硅KGD测试及功率模块的全性能测试，能够满足电动汽车、新能源等工业领域日益增长的测试需求和新的应用场景。目前，该测试平台市场推广效果良好，已在下游客户通过认证并实现批量销售。

观想科技：2022年3月，公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业（有限合伙）共同出资设立观想新芯材料科技有限公司，观想新芯注册资本为10,000万元人民币，其中公司拟占股51%，北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势，以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力，共同实现第三代半导体材料的自主可控。

乾照光电：2023年8月21日公司在互动平台披露，公司南昌基地的主营产品与聚灿光电类似，主要为氮化镓GaN照明芯片，厦门基地和扬州基地主营产品是氮化镓GaN、砷化镓GaAs显示屏芯片，如小间距、mini显示等。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

ST易事特：2023年3月31日公司在互动平台披露，在第三代半导体领域，公司牵头筹建了广东省宽禁带半导体材料及器件创新中心并在2016年投资成立东莞南方半导体科技有限公司，现持有其4.67%股份，该参股公司主要承担国家第三代半导体产业南方基地、广东省第三代半导体材料及器件制造业创新中心建设任务。此外，公司也承担了2019年广东省科技厅第三代半导体重大专项中SiC功率器件应用技术研发及产业化课题，将第三代半导体氮化镓、碳化硅功率器件进行实际应用，逐步对公司现有产品的功率器件进行替代升级，实现更好效能。

茂硕电源：公司主要从事开关电源的研发、生产、销售和技术服务，致力于为客户提供高品质、高性价比的LED驱动电源与消费类电子电源。公司作为国内较早上市的电源企业，已成为行业知名品牌，在LED驱动电源与消费电子类电源行业具备良好的口碑，与众多国内外知名品牌企业建立了长期稳定的合作关系。公司积极推动第三代半导体材料应用于电源产品，氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）器件应用占比不断提升，推动产品性能与可靠性全面提升。目前公司光伏发电及储能业务仍处于初步发展阶段，市场整体影响力较小，但凭借国资背景及优秀核心经营团队的加持，顺应“双碳”潮流，把握光储充一体化趋势，强化储能业务的业务能力，力争实现市场影响力进一步扩大。

*ST铖昌：公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务，主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一，产品涵盖整个固态微波产品链，包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片，频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求，作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片，其性能则直接影响整机的各项关键指标，在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入，满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求，并布局行业性前瞻技术研究，保持公司产品先进性水平。

华润微：2024年上半年，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化，全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进，碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作，产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展，产品平台涵盖40V、100V、150V、650V，代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

永吉股份：公司控股子公司，上海埃延半导体有限公司。埃延半导体致力于大硅片及第三代半导体材料衬底外延设备的生产制造以及衬底材料的研发。公司2023年年报披露：由于受到2022年外部环境及供应链失常的影响，上海埃延出货计划延迟，研发团队首台Demo样机于2022年底装机完成。2023年内，研发团队完成多次内部调试、系统测试。2023年6月，上海埃延生产的首台半导体材料衬底外延设备在上海临港基地下线，标志着公高温气相沉积设备研制在境内技术路径升级和零部件供应链整合完成，进入客户对设备的验证阶段。

金溢科技：2021年7月7日公司在互动平台披露：从公司战略发展来看，公司通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN）功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。后续公司会根据公司战略方向、市场情况等多方面考察再评估是否需要继续加大对深圳镓华的投资比例。

通富微电：2022年8月1日公司在互动平台披露，公司具备封测第三代半导体产品的能力，并已开展相关业务。2023年3月2日公司在互动平台披露，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量产。

江丰电子：公司生产的其他产品包括第三代半导体基板材料、碳化硅外延片、LCD用碳纤维复合材料部件等其他产品和对外提供的清洗、加工等服务。2023年报披露，公司控股子公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。

时代电气：在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

瑞纳智能：公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线，完成新设备（电阻式双温区长晶炉）的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求，目前已批次投入使用。

民德电子：晶圆代工厂广芯微电子作为对公司构建长期护城河有重要影响力的核心战略资产，公司在2024年初启动对广芯微电子的控股收购，并于2025年1月初完成股权交易的主要交割事项，广芯微电子已成为上市公司控股子公司，纳入公司合并财务报表范围，公司也成为国内少数控股晶圆代工厂，并在产业链核心环节均实现自主可控的功率半导体企业。广芯微电子项目2023年底开始量产，2024年，产线处于量产爬坡阶段。目前，广芯微电子的产销量在快速提升中，生产的产品主要包括：MOS场效应二极管45-200V全系列共百余款产品已完成开发并批量生产；200-2,000V高压/超高压/特高压DMOS产品线多款产品已完成开发并批量生产；高压BCD产品正在进行验证。体系认证方面，广芯微电子已通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证，标志着广芯微电子在质量管理方面符合国际标准，达到了汽车行业供应链的要求，广芯微电子已具备车规极产品生产能力，并开始小批量生产。

华峰测控：公司成立至今，一直坚持在产品技术创新和研发方面保持高强度的投入，从刚开始的模拟，到数模混合，再到如今的以氮化镓和碳化硅为代表的第三代化合物领域，公司均掌握了相关测试的核心技术，并且已经应用在测设设备上实现批量销售。同时也建立了一套行之有效的研发体系，具备长期持续的研发投入能力。

国星光电：2023年8月27日公司在互动平台披露，公司三代半产品主要分为氮化镓与碳化硅。目前氮化镓主要瞄准墙插快充、LED驱动市场，已在多家客户产品上得以应用，碳化硅主要瞄准充电桩、储能等领域，客户验证周期相对较长，目前出货量正稳步增长中。2022年9月1日公司在互动平台披露，第三代半导体是公司前瞻布局的重要方向之一，一方面，公司积极拓展第三代半导体新赛道，近期公司收购了专业从事半导体分立器件及集成电路研究、开发、生产、销售的风华芯电，以实现公司在半导体领域补链强链，提升自身实力巩固领先优势；另一方面，经过持续的技术创新和潜心研发，公司在第三代半导体领域已成功推出SiC功率分立器件、SiC功率模块和GaN器件三大类产品线路，可为市场提供高品质、高可靠性，多样化的半导体封测业务支持。目前，公司已建立三代半功率器件试产线，小批量产。

联得装备：2022年8月29日公司在互动易平台披露：公司目前是第三代半导体产业技术创新联盟副理事长单位。

北方华创：晶体生长设备是用于制备高纯度单晶材料的关键设备，通过直拉法（CZ）、区熔法（FZ）或化学气相沉积（CVD）等工艺，在严格控温、控压及气氛环境下生长半导体级单晶硅、蓝宝石、碳化硅等晶体，广泛应用于集成电路、新能源光伏、半导体照明等领域。其核心在于精准调控晶体生长的温度梯度、提拉速率及杂质浓度，确保晶体结构完整和低缺陷密度，从而提升电子器件的性能与可靠性。随着半导体和新能源产业升级，晶体生长设备向大尺寸晶圆、自动化控制及低能耗方向持续迭代，支撑先进芯片与高效光伏电池的规模化生产需求。公司主要批量销售的晶体生长设备包括：电阻式SiC长晶炉、感应式SiC长晶炉、液相法碳化硅长晶炉、单晶硅生长炉。

*ST华微：2023年，公司持续推进研发创新，努力攻克核心“卡脖子”技术，结合生产线智能化改造和数字化转型，提升发展新质生产力的能力。加强知识产权投入及保护力度，通过“国家知识产权示范企业”2023年度复审。截至2023年末，公司累计拥有有效专利167项，专利授权持续保持高增长态势。研发方面，完善了高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGT MOS和SiC MOSFET产品技术、650V GaN HEMT产品技术，完成了900V～1500V高压JMA系列MOSFET开发、300V～500V中高压JMF(R)系列MOSFET产品开发、45V光伏Trench SBD开发、第二代高结温1200V快恢复二极管开发、模块用1800V单象限大触发双台面大方片可控硅开发、1200V～1600V高压二极管产品技术研发等。实现了具有自身特色的多元化功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。