第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

宏微科技：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

长飞光纤：在第三代半导体领域，长飞先进半导体位于武汉的生产基地主体建筑结构已在二零二四年六月封顶，目前已进入设备安装调试阶段，预计于二零二五年四月底实现量产通线，达产后每年可生产36万片6英寸碳化硅晶圆，可满足约144万辆新能源汽车的制造需求，产能国内领先。而在产品开发进度方面，该公司碳化硅MOSFET产品于二零二五年二月通过AEC-Q101车规认证，比导通电阻（Ronsp）及栅极电荷（Qg）均达到国内领先水平，具备极低的开关损耗和导通损耗，可显著提升逆变器及其他应用终端的性能，为后续车规级产品的市场拓展奠定了坚实的基础。

捷捷微电：2026年3月12日公司在互动平台披露，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。

华微电子：2023年，公司持续推进研发创新，努力攻克核心“卡脖子”技术，结合生产线智能化改造和数字化转型，提升发展新质生产力的能力。加强知识产权投入及保护力度，通过“国家知识产权示范企业”2023年度复审。截至2023年末，公司累计拥有有效专利167项，专利授权持续保持高增长态势。研发方面，完善了高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGT MOS和SiC MOSFET产品技术、650V GaN HEMT产品技术，完成了900V～1500V高压JMA系列MOSFET开发、300V～500V中高压JMF(R)系列MOSFET产品开发、45V光伏Trench SBD开发、第二代高结温1200V快恢复二极管开发、模块用1800V单象限大触发双台面大方片可控硅开发、1200V～1600V高压二极管产品技术研发等。实现了具有自身特色的多元化功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。

新洁能：第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

柘中股份：2024年11月6日公司在互动易平台披露：截止2024年第三季度末，公司直接持有瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司1,258,302股股份，占其总股本比例0.3241%。瀚天天成是一家集研发、生产、销售碳化硅半导体外延晶片的国家级高新技术企业。公司可提供商业化3英寸、4英寸、6英寸和8英寸碳化硅外延晶片。

民德电子：公司持有晶睿电子21.3712%的股权。作为国家级专精特新“小巨人”企业，晶睿电子自成立以来，以硅基外延片为基本盘，不断向高附加值产品延展，提升企业价值。晶睿电子目前已是广芯微电子外延片核心供应商之一，与广芯微电子协同开发了多款新品，适用于高效功率变换的250V多层外延超结MOS器件，已进入工程批工艺攻关与良率提升阶段，面向新能源核心场景的650V多层外延超结MOS器件在进行第二轮流片工艺验证与性能优化。2025年，晶睿电子持续提升高附加值产品产能，MEMS传感器用双抛片、SiC外延片、SOI等高价值产品产销量较上年度均有提升。

士兰微：公司已经建立了可持续发展的产品和技术研发体系。多品类的模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、以IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET为代表的功率半导体产品、第三代化合物功率半导体产品（SiC、GaN功率器件）、智能功率模块产品（IPM）、车规级和工业级功率模块产品（PIM）、高压集成电路、美卡乐高可靠性指标的LED彩屏像素管等新技术产品都是公司长期在这个技术研发体系中依靠自身的高强度投入和积累完成的。

ST东尼：公司碳化硅半导体行业的主要产品为碳化硅单晶晶锭和碳化硅单晶衬底，是半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件。公司正在进一步改善产品品质和良率，以顺应碳化硅衬底材料国产替代及大尺寸衬底前瞻布局的趋势。随着国内碳化硅行业技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。

金宏气体：公司产品正硅酸乙酯作主要用于化学气相沉积法（简称LPCVD）构建半导体衬底表面的二氧化硅绝缘层，是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料之一。

必易微：公司持续推进数字隔离芯片的研发布局，推出150Mbps标准数字隔离器以及40Mbps通用数字隔离器，涵盖2/4/6通道系列产品，并打造“隔离+”系列产品，能够与栅极驱动芯片、接口芯片、运算放大器等形成隔离驱动、隔离接口、隔离采样等芯片方案。2025年，公司成功开发全系列SiC隔离栅极驱动芯片，为高性能、高可靠性系统构建重磅驱动解决方案；并推出全系列隔离栅极驱动产品，涵盖光耦兼容型单通道驱动器、逻辑输入型单通道驱动器及双通道驱动器，可广泛应用于光伏逆变器、不间断电源、电机驱动控制、工业电源等高可靠性工业系统，目前已进入多家客户导入阶段。

蓝箭电子：公司在功率半导体、芯片级贴片封装、第三代半导体等领域产品丰富。公司拥有先进的半导体自动化生产线，在功率器件、功率IC等产品领域不断拓展产品系列。公司拥有SOT、SOP、TO、PDFN、DFN、QFN等系列多种型号的封装产品，产品结构多样化，产品涉及100多个系列，产品覆盖领域广，对于多层次产品需求，能够充分满足客户一站式的采购要求。同时，公司集成电路产品拥有LDO、AC-DC、DC-DC、锂电保护IC、充电管理IC及LED驱动IC等多种类别，覆盖范围广，技术含量高。

华峰测控：公司成立至今，一直坚持在产品技术创新和研发方面保持高强度的投入，从刚开始的模拟，到数模混合，再到如今的以氮化镓和碳化硅为代表的第三代化合物领域，公司均掌握了相关测试的核心技术，并且已经应用在测设设备上实现批量销售。同时也建立了一套行之有效的研发体系，具备长期持续的研发投入能力。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2025年，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

华润微：公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展，SiC和GaN产品均实现重要突破。（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。SiC MOS G3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平，已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵，在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。SiC JBS G3产品稳定交付，广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。针对数据中心和光储系统需求，已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进，多款产品实现批量上车应用。GaN：氮化镓外延中心正式启用，产能扩充有序推进。D-mode 650V G5平台多款产品进入量产阶段，关键技术与客户突破成效显著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

派瑞股份：2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

金溢科技：2021年7月7日公司在互动平台披露：从公司战略发展来看，公司通过增资入股深圳镓华，后续将借助深圳镓华在氮化镓（GaN）功率器件领域的技术优势，并发挥公司在车联网领域积累的技术和资源，双方共同开拓氮化镓在车联网领域的应用。后续公司会根据公司战略方向、市场情况等多方面考察再评估是否需要继续加大对深圳镓华的投资比例。