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第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

 
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第三代半导体 ( 板块 994625 )
7230.63 +0.94 %
BBD: -23.24亿   成交额:1,291.35亿  开盘:7106.19  最低:7086.28  最高:7238.57  振幅:2.15%  更新时间:2026-05-08
DDX: -0.097   DDY: -0.318   特大单差: -0.9   大单差: -0.9   中单差: 1.3   小单差: 0.5   单数比:0.915  通吃率: -1.80%
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第三代半导体概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

温州宏丰:2024年3月,公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月,项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变;将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

联动科技:公司的QT-8400系列测试平台,主要用于IGBT及第三代半导体碳化硅和氮化镓功率器件和晶圆测试、车规类碳化硅KGD测试及功率模块的全性能测试,能够满足电动汽车、新能源等工业领域日益增长的测试需求和新的应用场景。目前,该测试平台市场推广效果良好,已在下游客户通过认证并实现批量销售。

锴威特:公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段,已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列,拥有近500款不同规格的产品;超结MOSFET已完成600~850V产品系列化;SGTMOS已建立40V~100V产品平台;公司在第三代半导体功率器件方面,已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列;功率IC方面,公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台;公司与晶圆代工厂深度合作,可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程,进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来,公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖,并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

富满微:2025年7月24日公司在互动平台披露,公司高压GaN主要应用于AC-DC领域,用于AC-DC控制器的开关管功率管。2021年12月7日公司在互动平台披露,公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入,目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。

立昂微:产品技术在多个创新领域有重大突破,技术水平进入全球第一梯队行列。整合并优化了化合物晶圆通用的铜柱工艺、开发了超突变结变容二极管工艺、超低噪声0.13μmpHEMT工艺、低轨卫星用射频芯片等新工艺和新器件。射频芯片产品开始进入低轨卫星终端客户,并实现大规模出货。开发了二维可寻址VCSEL工艺技术,配合客户打通瞬时功率超万瓦的VCSEL阵列芯片,能充分适应车载雷达的技术指标需求,将是国内首个进入量产的大功率VCSEL技术,成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。碳化硅基氮化镓芯片的开发按计划节点顺利推进。在射频和激光领域,积极推进了近20项新技术的开发,并及时支撑客户超过400套研发版的流片验证和磨合,有效支撑客户量产流片。

新洁能:第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发,相关产品处于可靠性验证阶段。同时,公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品,相关产品已完成工艺设计、产品设计,处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建,新增产品20余款,相关产品进入量产阶段,并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款,相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

乾照光电:公司深耕Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaAs、GaN、InP等)半导体领域,构建了从材料外延、芯片设计到工艺制造的全链条自主技术体系。Ⅲ-Ⅴ族化合物具备直接带隙、高电子迁移率、耐高温、抗辐射等优异特性,可适配高频、高功率等高端应用场景,可延伸应用于商业航天核心元器件,亦可用于制造星载相控阵T/R组件、抗辐射射频芯片、航天级砷化镓太阳能电池等核心器件,适配卫星通信、姿态控制、能量供给等关键场景。依托多年的技术沉淀,公司重点布局的Ⅲ-Ⅴ族化合物核心品类已在航天光伏、背光显示、车载照明、数据通信等应用持续深化,同时有望拓展延伸至其他基于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的卫星应用场景,为公司布局商业航天作为第二增长曲线奠定坚实的技术基础。

中瓷电子:氮化镓通信基站射频芯片与器件:在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路,实现对通信射频信号的功率放大,根据应用场景不同,氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。碳化硅功率模块及其应用:基于自有先进芯片技术,碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势,中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域,高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域,实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。

观想科技:2022年3月,公司拟与北京创镓半导体材料科技合伙企业(有限合伙)共同出资设立观想新芯材料科技有限公司,观想新芯注册资本为10,000万元人民币,其中公司拟占股51%,北京创镓拟占股49%。控股子公司将充分利用公司在装备全寿命周期健康管理、装备数字孪生及高性能传感器综合集成应用等新一代信息技术的优势,以及北京创镓在第三代半导体材料相关设备研制、工艺研发和检验检测等先进技术整合能力,共同实现第三代半导体材料的自主可控。

兆驰股份:2025年11月16日公司在互动平台披露,公司已形成对砷化镓、磷化铟、氮化镓等材料体系的覆盖,产品广泛应用于车载照明、显示背光、智能终端、安防传感、光通讯五大核心领域。

天通股份:公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造,产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来,公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉,适用于生产低氧含量的N型电池片,满足了高效太阳能电池的需求。

华灿光电:公司自成立以来聚焦GaN材料在LED领域的技术研发,并于2020年正式进入GaN电力电子器件领域,产品将主要面向移动消费电子终端快速充电器、其他电源设备、云计算大数据服务器中心、通信及汽车应用等领域。公司外延以及器件的研发制造于2025年内成功实现突破。

长电科技:在功率及能源应用领域,公司与头部用户紧密合作,持续投入资源和技术创新。公司扩大第三代半导体功率器件及模块产能,不断拓展TOLL、TO263-7、TO247-4开尔文封装形式,开发底部、顶部和双面散热等新型散热结构,应用银烧结和DBC等先进工艺。公司聚焦垂直供电模块VCORE,其通过垂直集成技术极大提升功率密度和热管理效率,减少电能损耗,在AIGC服务器电源中炙手可热。公司已在VCORE模块的封装材料、结构、热管理、制造工艺以及技术服务等方面积累了丰富经验。

高测股份:公司全新推出8寸全自动晶圆减薄机,覆盖碳化硅、蓝宝石及硅基半导体三大场景,满足高端芯片制造对晶圆表面质量的严格标准,其中8寸碳化硅减薄机凭借领先技术优势进入客户试用阶段。紧跟 12 寸大硅片技术趋势,公司全新推出12寸全自动晶圆减薄机、12寸晶圆倒角机和12寸晶圆切片机,受到市场高度关注,其中12寸半导体金刚线切片机已进入头部客户试用。同时,公司积极拓展3C切割场景,成功推出GC-MADW18100切片机,凭借显著的技术优势受到客户高度认可并已形成批量订单。公司将围绕泛半导体大硅片“切倒磨”等一体化解决方案,持续优化升级现有产品并积极布局新产品的研发,为市场提供更多优质、高效的设备解决方案。

*ST铖昌:公司主营业务为微波毫米波相控阵T/R芯片的研发、生产、销售和技术服务,主要向市场提供基于硅基、砷化镓以及第三代半导体氮化镓工艺的系列化产品以及相关的技术解决方案。公司作为国内少数能够提供T/R芯片完整解决方案的企业之一,产品涵盖整个固态微波产品链,包括GaAs/GaN功率放大器芯片、GaAs低噪声放大器芯片、GaAs收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片等十余类高性能微波毫米波相控阵芯片,频率可覆盖L波段至W波段。目前公司产品已批量应用于星载、地面、机载相控阵雷达及卫星通信等领域。随着下游装备小型化、轻量化、高集成、低成本的发展需求,作为相控阵天线系统核心元器件之一的T/R芯片,其性能则直接影响整机的各项关键指标,在集成度、功耗、效率等技术指标也提出了高要求。公司将会继续加大研发投入,满足客户产品高频化、高集成度、轻量化、多功能化的技术需求,并布局行业性前瞻技术研究,保持公司产品先进性水平。

宇环数控:公司数控磨床主要分为数控端面磨床(含双面磨床和单面磨床)、数控凸轮轴磨床、数控气门磨床、外圆磨床、复合磨床系列产品及其他磨床。数控端面磨床中数控双端面磨床可对各种外形的金属、非金属薄型精密零件(如手机中框、玻璃、陶瓷、蓝宝石、碳化硅、轴承 、活塞环、垫片、阀片等)上、下两平行端面同时磨削;数控单面磨床适用于金属零件及玻璃、蓝宝石、陶瓷、碳化硅等硬脆材料零件的单面高精度磨削减薄。数控凸轮轴磨床主要用于对汽车发动机、内燃机凸轮轴的凸轮轮廓进行精密磨削。数控气门磨床主要用于对气门盘外圆、锥面和盘平面倒角等外形面的磨削。外圆磨床可对蓝宝石、碳化硅等晶锭外圆磨削。复合磨床可对大型轴承、液压阀套、液压缸体、精密齿轮、阀门等具有高精度及表面质量要求的产品进行加工,可用于国内装备制造业、机械加工业、航空航天等多个领域。2024年内,公司主要销售的磨床为YHDM580B高精度立式双端面磨床、YHM450D数控立式单面磨床、YHDM750A高精度数控立式双端面磨床、YHJMK28160高精度数控立式复合磨床等。

甘化科工:公司持股14.32%的参股公司锴威特于2023年8月18日在科创板成功上市。该公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售,并提供相关技术服务。在第三代半导体方面,该公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。

蓝箭电子:公司目前拥有完整的半导体封装测试技术,在金属基板封装、功率器件封装、半导体/IC测试、超薄芯片封装、高可靠焊接、高密度框架封装、应用于半导体封装的机器人自动化生产系统、全集成锂电保护IC、SIP系统级封装等多方面拥有核心技术。公司致力于车规级功率器件、芯片级封装及宽禁带半导体器件等对先进封装工艺攻关研究,为公司的功率型器件如SiC、GaN等第三代半导体及汽车电子的发展储备先进的工艺技术基础。

蓝海华腾:2026年2月10日公司微信公众号披露,公司正式完成对第四代半导体新锐企业“镓创未来”的战略投资。此次投资不仅为镓创未来注入了新的发展动力,也标志着蓝海华腾在第四代半导体领域的探索与实践开启了新的篇章。镓创未来依托西安电子科技大学的技术背景,核心团队拥有十年以上的研发经验,是国内具备氧化镓异质外延片量产能力的企业之一。公司采用自主研发的卤化物气相外延(HVPE)工艺,在碳化硅、蓝宝石等衬底上实现高质量氧化镓外延生长,关键参数达到国际领先水平,为氧化镓功率器件的商业化应用奠定了坚实基础。

苏州固锝:2025年12月2日公司在互动平台披露,公司密切市场需求变化,并积极布局第三代半导体产品的规模化量产。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1300283温州宏丰 分时 日线 板块
2301369联动科技 分时 日线 板块
3688693锴威特 分时 日线 板块
4300671富满微 分时 日线 板块
5605358立昂微 分时 日线 板块
6605111新洁能 分时 日线 板块
7300102乾照光电 分时 日线 板块
8003031中瓷电子 分时 日线 板块
9301213观想科技 分时 日线 板块
10002429兆驰股份 分时 日线 板块
11600330天通股份 分时 日线 板块
12300323华灿光电 分时 日线 板块
13600584长电科技 分时 日线 板块
14688556高测股份 分时 日线 板块
15001270*ST铖昌 分时 日线 板块
16002903宇环数控 分时 日线 板块
17000576甘化科工 分时 日线 板块
18301348蓝箭电子 分时 日线 板块
19300484蓝海华腾 分时 日线 板块
20002079苏州固锝 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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49.989.99%9.14%1.761.3161.21534.1594641295760.2242589.471.390441666140921.10-6.70-9.20-5.2039.80%18.70%25.10%31.80%14.50%19.70%14.48.14.64.30.9929.1775.33667137.8
44.526.43%9.46%1.740.9171.07518.8623711169710.0316461.881.23638646477806.703.00-5.40-4.3015.90%9.20%31.30%28.30%20.30%24.60%9.73.43.01.84.299-1.749-1.80641533.3
33.075.93%9.72%1.491.0590.47714.1302411289319.5931535.841.08674926813936.304.60-3.60-7.3015.30%9.00%28.90%24.30%24.30%31.60%10.9-2.4-4.5-2.118.8831.493-2.77991592.4
140.075.55%4.23%1.070.2160.54112.9302411199720.9110185.761.19534940417443.601.500.20-5.3017.40%13.80%28.70%27.20%21.10%26.40%5.1-2.0-2.3-1.33.3810.577-0.92034015.7
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
第三代半导体概念板块解析(994625) 第三代半导体龙头股概念股一览
第三代半导体(也称为宽能隙半导体材料)是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料。
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