第三代半导体概念股票|第三代半导体板块龙头股资金流向(实时)

锴威特：公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等800余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V~1700V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；超结MOSFET已完成600~850V产品系列化；SGTMOS已建立40V~100V产品平台；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-3300VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司针对高可靠功率电源模块及电机驱动模块提供各功率段的芯片解决方案能力。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。

科翔股份：2025年，公司半导体业务聚焦于板级封装（PLP）、MOS三极管、第三代半导体模块三项业务：其中PLP板级封装重点是依托公司内部的高阶HDI制造能力，在此基础上完成氮化镓、碳化硅多芯片合封，具备成本低、散热性能高的优势，主要面向电源芯片领域。

新莱应材：公司产品可以覆盖半导体产业除设计之外的全制程，经过多年持续努力，公司产品通过了美国排名前二的半导体应用设备厂商的认证并成为其一级供应商，填补了国内超高纯应用材料的空白，依托国家政策，在稳定超高纯应用材料产品品质的同时，对更多产品进行研发，覆盖于半导体制程设备和厂务端所需的真空系统和气体管路系统。公司产品已广泛应用于半导体设备厂商、晶圆制造厂以及光伏、锂电、面板等行业，无论在真空应用还是在UHP应用等级的管道、管件、阀门、腔室、精密零部件等产品被国内外客户广泛认可并大量使用。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

ST东尼：公司碳化硅半导体行业的主要产品为碳化硅单晶晶锭和碳化硅单晶衬底，是半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件。公司正在进一步改善产品品质和良率，以顺应碳化硅衬底材料国产替代及大尺寸衬底前瞻布局的趋势。随着国内碳化硅行业技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。

英诺激光：公司持续关注半导体行业的国产化进程，以激光器为核心，国内外市场统筹推进、深化合作布局。海外市场方面，持续深化与SHI公司的合作，稳定为其供应碳化硅退火制程的深紫外激光器，凭借可靠的产品性能与稳定的交付能力，进一步巩固双方合作黏性。国内市场方面，加强与国内半导体厂商的合作，为其定制的晶圆缺陷检测的专用激光器，已顺利通过客户验证。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

通富微电：2022年8月1日公司在互动平台披露，公司具备封测第三代半导体产品的能力，并已开展相关业务。2023年3月2日公司在互动平台披露，公司2022年已为国际知名汽车电子客户开发的第三代半导体碳化硅产品，具备无铅化、耐高压、高功率等优势，应用于客户新能源车载逆变器等领域，在国内首家通过客户考核并进入量产。

必易微：公司持续推进数字隔离芯片的研发布局，推出150Mbps标准数字隔离器以及40Mbps通用数字隔离器，涵盖2/4/6通道系列产品，并打造“隔离+”系列产品，能够与栅极驱动芯片、接口芯片、运算放大器等形成隔离驱动、隔离接口、隔离采样等芯片方案。2025年，公司成功开发全系列SiC隔离栅极驱动芯片，为高性能、高可靠性系统构建重磅驱动解决方案；并推出全系列隔离栅极驱动产品，涵盖光耦兼容型单通道驱动器、逻辑输入型单通道驱动器及双通道驱动器，可广泛应用于光伏逆变器、不间断电源、电机驱动控制、工业电源等高可靠性工业系统，目前已进入多家客户导入阶段。

江丰电子：2025年4月25日公司在互动平台披露，在第三代半导体材料领域，覆铜陶瓷基板是公司参股公司宁波江丰同芯半导体材料有限公司的主要产品，该产品可以广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件IGBT等领域。

珂玛科技：公司在2025年7月完成收购苏州铠欣半导体科技有限公司73%股权。苏州铠欣系一家从事化学气相沉积（CVD）碳化硅涂层和CVD碳化硅块体陶瓷零部件研发、生产和销售的高科技企业，公司依托自主研发，在CVD碳化硅陶瓷零部件相关技术与工艺方面有丰富积累和持续研发能力，目前产品已经在Si外延、SiC外延、GaN外延等领域实现规模化应用，碳化硅刻蚀环、碳化硅喷淋头、12吋Si外延用碳化硅涂层石墨基座等先进产品的开发已取得良好进展。苏州铠欣的苏州一期工厂项目于2025年末建成投产。该项目聚焦硅外延用石墨基座的碳化硅涂层加工、炉管晶舟等碳化硅陶瓷套件的碳化硅涂层加工，以及刻蚀用聚焦环、边缘环等核心零部件的精加工及表面处理业务。

银河微电：公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。

晶升股份：公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

宏微科技：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

金博股份：公司已完成单晶硅拉制炉碳基复合材料整套热场部件的设计开发，形成了完整的碳基复合材料热场部件产品系列，满足TOPCon、BC电池等不同技术路径产品制造的热场要求。同时，公司持续对碳基复合材料热场部件的工艺和性能进行优化，不断提升产品综合性能，为客户提供更高性价比的热场产品。公司通过健全客户风险管控机制，优化销售策略，有效减少库存积压，为业务持续稳健运营提供保障。报告期内，公司荣获通威股份“价值伙伴奖”、高景集团“同舟共济深度合作奖”、双良硅材料“优秀供应商”。半导体领域，公司开发的多孔石墨复合碳化钽涂层等热场新产品，可以满足碳化硅晶体生长的技术需求。

华润微：公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展，SiC和GaN产品均实现重要突破。（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。SiC MOS G3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平，已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵，在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。SiC JBS G3产品稳定交付，广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。针对数据中心和光储系统需求，已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进，多款产品实现批量上车应用。GaN：氮化镓外延中心正式启用，产能扩充有序推进。D-mode 650V G5平台多款产品进入量产阶段，关键技术与客户突破成效显著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

燕东微：6英寸SiC生产线已通线量产并具备交付能力，工艺平台包括：650V/1200VSiCSBD、1200VSiCMOS工艺平台。

晶方科技：公司是全球将晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）专注应用在以影像传感器为代表的传感器领域的先行者与引领者。公司为全球12英寸晶圆级芯片尺寸封装技术的开发者，同时具备8英寸、12英寸的晶圆级芯片尺寸封装技术与规模量产能力。通过整合收购的智瑞达科技资产与技术，并将之与公司既有封装技术的有效融合，具备了从晶圆级到芯片级及模块制造的量产服务能力。通过并购荷兰ANTERYON公司，将光学设计与组件制造能力与公司的业务技术协同整合，形成了光学器件设计制造与一体化的异质集成能力。通过并购整合以色列VisIC公司，有效布局氮化镓功率模块的设计与开发技术能力，为把握三代半导体在新能源汽车领域的产业发展机遇进行技术与产业布局。

富满微：2025年7月24日公司在互动平台披露，公司高压GaN主要应用于AC-DC领域，用于AC-DC控制器的开关管功率管。2021年12月7日公司在互动平台披露，公司在第三代半导体主要从GaN驱动切入，目前已有直接驱动GaN功率管的电源主控芯片产品验证成功推向市场。