碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司（含子公司）拥有半导体技术专利76项（其中发明专利24项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草40余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予四个省级科研平台和一个省级专家工作站，与相关科研院所和高校深入开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2025年，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

时代电气：在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

中密控股：2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

天富能源：公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业，2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股，并在2021年持续加大了投资力度，目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份，成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立，将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链（VIDM）”。公司新材料产业将具备一定规模，形成与新能源产业协同发展的格局。

京运通：该业务为高端装备的研发、生产和销售，主要产品包括光伏设备和半导体设备。光伏设备包括单晶硅生长炉、金刚线开方机、金刚线切片机等，主要用于生产光伏硅棒和硅片。半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。截至2024年12月末，乐山二期的单晶炉等核心生产设备已安装、调试完毕并达到预定可使用状态，公司高端装备生产的金刚石炉、半导体切片机等均已完成交付，钛单晶区熔炉等设备已完成基础研发工作，大尺寸碳化硅生长工艺也在持续提升中。

汇川技术：2025年4月28日公司在互动平台披露：公司在碳化硅（SiC）功率器件领域已有产品布局，与国内外厂家均有深入的合作。汇川也非常重视SiC的国产化推进，当下正推进多家国内厂商的产品开发或验证。

露笑科技：碳化硅作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理特性，在新能源汽车、光伏储能、5G通信、AI数据中心等领域展现出广阔的应用前景。公司专注于高品质碳化硅材料的研发与产业化。2025年内，公司持续加大研发投入，在8英寸导电型及半绝缘型晶体生长技术上取得关键突破，关键缺陷位错密度进一步优化至业内第一梯队水平：BPD＜300个/cm2、TSD＜30个/cm2、TED＜1500个/cm2。 相关产品已实现批量稳定生产，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。在半绝缘型产品方面，公司在原有6英寸技术基础上，成功开发并完善了8英寸半绝缘型晶体生长工艺，掌握了高纯半绝缘粉料合成、晶体生长等核心技术，部分样品已送至国内头部客户进行测试验证。2025年内，公司已实现晶体生长环节90%的原材料国产化率，晶片加工环节100%的原材料国产化率。2026年初，公司在碳化硅大尺寸衬底领域取得突破性进展，成功开发出12英寸碳化硅衬底。目前，公司正积极推进12英寸衬底的工艺优化与客户验证准备工作。新能源汽车800V高压平台、AI算力基础设施、光伏储能及AR眼镜等新兴场景对碳化硅材料的需求持续显现。公司坚持在碳化硅领域深耕发展，以高性价比、高国产化率的产品助力下游产业链自主可控，为中国的三代半导体事业添砖加瓦。

力合科创：2024年12月11日公司在互动平台披露，公司在半导体领域投资孵化了力合微、芯海科技、深圳基本半导体有限公司、深圳瑞波光电子有限公司等多个代表性企业，上述企业均为公司参股企业，且涵盖了通信芯片、MCU芯片、碳化硅器件、激光芯片等细分赛道。其中，力合微和芯海科技均为上市公司，基本半导体从事碳化硅功率器件的研发与产业化，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等；瑞波光电从事高端大功率半导体激光芯片的研发和生产，可向市场提供高性能、高可靠性大功率半导体激光芯片，封装模块及测试表征设备，并可提供研发咨询服务。

海特高新：参股公司华芯科技建有国内首条6吋化合物半导体生产线，是经国家发改委立项并建设的具有国际先进水平的高性能集成电路制造生产线，开发了成熟稳定的砷化镓有源/无源、氮化镓功率芯片、射频功放芯片、光电感知芯片、碳化硅功率芯片六大工艺制程。产品应用涵盖5G移动通信、雷达探测、新能源汽车及充电桩、光伏、轨道交通、消费类电子、光纤通讯、3D感知等领域。参股公司华芯科技建有高性能集成电路生产线，积极把握高性能、多功能集成电路发展的重要机遇，持续加大技术研发投入，在氮化镓、砷化镓、碳化硅三个新材料芯片方向实现了技术突破，建立了快充芯片、功放芯片、光电感知芯片、新能源芯片等的制造能力。公司在碳化硅、氮化镓第三代半导体芯片制造领域，专利数量排在国内前列,是中国5G联合技术创新中心成员，参与了5G器件标准制定。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程。

蓝海华腾：2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

ST东尼：公司碳化硅半导体行业的主要产品为碳化硅单晶晶锭和碳化硅单晶衬底，是半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件。公司正在进一步改善产品品质和良率，以顺应碳化硅衬底材料国产替代及大尺寸衬底前瞻布局的趋势。随着国内碳化硅行业技术持续突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的应用领域将得到进一步拓展，市场空间将持续扩大。

晶盛机电：碳化硅装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先，率先开发了12英寸碳化硅外延设备。在蓝宝石装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

新洁能：第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

华润微：公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展，SiC和GaN产品均实现重要突破。（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。SiC MOS G3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平，已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵，在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。SiC JBS G3产品稳定交付，广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。针对数据中心和光储系统需求，已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进，多款产品实现批量上车应用。GaN：氮化镓外延中心正式启用，产能扩充有序推进。D-mode 650V G5平台多款产品进入量产阶段，关键技术与客户突破成效显著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

楚江新材：2024年10月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域，并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关，具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

ST派瑞：2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

精进电动：精进电动是新能源汽车电驱动系统国内领军企业之一，从事电驱动系统的研发、生产、销售及服务。已对驱动电机、控制器、传动三大总成和相应的软件控制体系自主掌握核心技术和实现完整布局。精进电动为客户提供电驱动系统的整体技术解决方案，凭借卓越的产品性能、突出的系统级供应能力、领先的研发水平和高效的技术服务，赢得了国内外新能源汽车整车企业客户的信赖，是我国少数能够持续获得全球知名整车企业电驱动系统产品量产订单的新能源汽车核心零部件企业。利用在新能源汽车电驱动系统领域积累的丰富经验和技术储备，公司自2024年开始将业务拓展到了非汽车用新能源电驱动系统领域，开辟新的市场和增长点。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

银河微电：公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。