碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

东尼电子：公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

露笑科技：碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为 6 英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。2023年报披露，公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

楚江新材：2024年10月18日公司在互动平台披露，子公司顶立科技在第三代半导体用关键材料与装备方面围绕“四高两涂一装备”的技术和产品布局，即高纯碳粉、高纯碳化硅粉、高纯碳纤维隔热材料、高纯石墨、碳化硅涂层石墨基座/盘、碳化钽涂层石墨构件和超高温石墨提纯装备。其生产的特种热工装备广泛应用于半导体材料生产领域，并围绕第三代半导体材料的关键技术难点进行攻关，具备为碳化硅单晶生产企业提供高纯原料及耗材配套的能力。2022年8月1日公司在互动平台披露，子公司顶立科技生产的高纯碳粉少量试用于人造钻石的生产，高纯碳粉产品可用于制备碳化硅单晶材料、锂电池负极材料、人造钻石等。

蓝海华腾：2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

中兵红箭：红宇专汽为军民结合型企业，是河南省企业技术中心、工程研究中心、工程技术研究中心，高新技术企业、河南省技术创新示范企业、河南省创新型试点企业、获得河南省“AAA”级信誉企业认证。主要从事冷藏保温汽车（军用及民用）、爆破器材运输车（军用及民用）、医疗废物转运车、军用各类方舱等系列产品的研发、制造与销售，其爆破器材运输车市场占有率位居全国第一，冷藏保温车市场占有率位居全国前列。先后制定/修订国家标准和专用汽车行业标准几十项，部分领域内有一定话语权。另，2021年6月12日公司在互动平台披露：红宇专汽有生产疫苗冷链运输车。另外，公司的无人机消防专用车完成样机定型。

麦格米特：公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

中瓷电子：公司已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强。公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要客户的认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

宏微科技：公司在研的碳化硅芯片开发项目，进展为：1款芯片设计开发阶段、2款产品客户测试中、1款产品完成产品设计和工艺验证。拟达到目标为：开发1200V20ASBD芯片、1200V40mΩ、13mΩSiCMOSFET芯片，并完成多种封装类型的分立器件及模块封装，实现产品批量交付。

银河微电：公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

锴威特：在第三代半导体器件方面，公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，2023年与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700V SiC MOSFET的生产工艺平台，其中1200V SiC MOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。

中天火箭：2023年11月1日公司互动易披露：公司的碳化硅类产品主要包括应用于航空航天领域的陶瓷基复合材料产品，新能源/半导体用碳化硅涂层类产品等。目前，公司的碳化硅技术储备较为深厚，具备不同领域/复杂环境条件下产品的研制开发能力，处于国内先进水平。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于光伏、储能、新能源汽车、充电桩等领域，已拥有碳化硅配套产能16,000片/月，硅基氮化镓产能2,000片/月，合作意向及客户超800家。2023年，湖南三安碳化硅技术持续突破，6吋碳化硅衬底已实现国际客户的批量出货，8吋衬底外延工艺调试完成并向重点海外客户送样验证。截至2023年末，二极管已推出适用于光伏领域的G5代系产品，累计出货超2亿颗。公司将根据市场趋势与时俱进，立足产品研发，推动产能加速释放，加快推出8吋碳化硅衬底外延、高效高可靠性碳化硅二极管及2000V/1700V/1200V/650V全系列碳化硅MOSFET产品，持续为客户提供高品质产品和高质量服务，为扩大公司效益贡献力量。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

德龙激光：公司紧抓半导体行业快速发展的趋势，加速半导体行业设备的市场推广，尤其在碳化硅领域，德龙激光从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节，材料损耗小，加工效率高，设备运行无需耗材，加工成本低，可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺，材料耗损少，晶片产出高，良率可控，切割效率也具有较大优势。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

英唐智控：2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

芯朋微：2024年4月23日公司在互动平台披露：公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效，陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品，均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业类应用已在推广中。