燕东微概念题材|燕东微所属行业地域板块

光通信：（1）近几年，我国光器件及光模块行业紧跟国家发展战略部署，产业高歌猛进，市场持续升温，呈现高增长态势。其中，光模块作为数据中心的重要组成部分，未来几年将保持较高速度扩张，尤其是超高速的光模块需求增加为光模块厂商提供了机遇。

大基金：（1）大基金的全称为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，大基金一期2014年9月设立，大基金二期于2019年10月22日成立。本概念板块选取与大基金相关的上市公司予以入选，包括但不仅限于大基金持股等；

电子设备：(1)电子设备包括计算机、通信和其他电子设备制造业等。 (2)中国电子元件“十二五”规划:2011年7月12日电子元件协会发布《中国电子元件“十二五”规划》。未来五年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，年均增长10%。规划提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860亿美元，年均增长10%。 (3)国务院电子产业规划：国务院正式发布《电子信息产业调整和振兴规划》，提出目标：产业发展对GDP增长的贡献不低于0.7个百分点，三年新增就业岗位超过150万个，软件和信息服务收入比重将从12%提高到15%。三大任务：确保计算机、电子元器件、视听产品等骨干产业稳定增长；突破集成电路、新型显示器件、软件等核心产业的关键技术；在通信设备、信息服务、信息技术应用等领域培育新的增长点。七大举措：落实扩大内需措施、加大国家投入、加强政策扶持、完善投融资环境、支持优势企业并购重组、进一步开拓国际市场、强化自主创新能力建设。 (4)“十三五”规划纲要中指出，实施国家大数据战略。把大数据作为基础性战略资源，全面实施促进大数据发展行动，加快推动数据资源共享开放和开发应用，助力产业转型升级和社会治理创新。全面推进重点领域大数据高效采集、有效整合，深化政府数据和社会数据关联分析、融合利用，提高宏观调控、市场监管、社会治理和公共服务精准性和有效性。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高

芯片：（1）根据《国家集成电路产业发展推进纲要》，到 2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平，产业生态体系初步形成。16/14nm制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。

集成电路：集成电路产业包括设计、制造、封装测试三个环节，是整个电子行业的基础。近年来，半导体集成电路产业呈现出芯片供应短缺，更新速度加快，细分市场竞争激烈等特点

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料；

深圳200：（1）选取上市公司公告股东有增持或者回购行为的个股予以入选。

传感器：（1）传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并将感受到的信息按一定规律变换成为电信号，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。 （2）传感器作为智能装备的自主输入装置，起着至关重要的作用。在“十二五”期间，全球传感器市场接近翻倍。“十三五”期间，连接人与人、物与物、人与物的各类传感器将逐步完成技术积累，并走向工业、生活等领域。届时，传感器将搭建起大数据，一切决策将更加科学。未来五年，国内传感器复合年均增长率CAGR将达31%以上。目前我国已有1700多家从事场传感器生产的企业。

碳化硅：（1）碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域；

融资融券：(1)为进一步改善融资融券业务结构，强化管理，促进融资融券业务长期平稳发展，经中国证监会批准，上海证券交易所、深圳证券交易所对《融资融券交易实施细则》进行了修订，调整可充抵保证金证券折算率要求，将静态市盈率在300倍以上或者为负数的股票折算率下调为0%；同时，两所还同步扩大了融资融券标的股票范围，将标的股票数量由现有的873只扩大到950只，其中，上海证券交易所的标的股票由485只增加至525只，深圳证券交易所的标的股票由388只增加至425只。上述调整将自2016年12月12日起实施。

中盘：（1）选取每日收市后既不属于大盘，也不属于小盘的作为中盘的次日成份股予以调入。

IGBT：（1）IGBT是指绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件；

北京：暂无该板块的介绍！