IGBT概念股票|IGBT板块龙头股资金流向(实时)

飞凯材料：2026年2月25日公司在互动平台披露，公司控股子公司昆山兴凯半导体材料有限公司是中高端元器件及IC封装所需的封装材料领域主要供货商之一。其针对第三代半导体开发的耐高压、耐高温、高导热EMC解决方案已实现稳定量产出货，并荣获“IGBT及第三代半导体SiC功率半导体封装材料杰出供应商”奖项。

燕东微：高密度功率器件工艺平台：突破多项关键技术，完成低压SGT、TrenchNMOS(0.7umpitch)、650VIGBT等多个工艺平台搭建，导入上百款芯片，数十款产品交付客户验证；IGBT工艺平台：完成全流程开发和工艺固化，典型产品通过1000h可靠性评测。

科威尔：公司作为国内IGBT测试装备的头部企业，通过持续技术创新和产品迭代升级，凭借着产线级测试解决方案在国产品牌中取得一定市场占有率，并借助自动化的配套能力，逐步向封测装备领域延伸，同时，公司前瞻性布局SiC模块测试系统，为第三代半导体产业发展做好了技术储备。

长电科技：在汽车电子领域，公司为中国大陆首家加入AEC汽车电子委员会的封测企业，亦是汽车Chiplet联盟（ACP）成员，公司海内外八大生产基地均通过IATF16949认证（汽车行业质量管理体系认证）。公司采用应用导向战略，从客户产品的应用场景着手，针对性地给出封测解决方案；技术已全面覆盖智能驾驶、智能座舱、电驱与传感等关键领域，并通过深化与晶圆厂、Tier1及整车厂商的生态链协作，形成更具竞争力的一站式服务能力。2025年公司专注于车规芯片封测的长电汽车电子完成一期通线，该工厂将通过智能产线、自动化物流与全流程可追溯系统，实现制造过程的精细化管理。

芯联集成：功率器件产品包含 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 芯片及模组，应用于车载、工控、消费、服务器电源等多个应用领域。公司是中国最大的车规级IGBT生产基地之一，同时公司在SiCMOSFET出货量上稳居亚洲前列，是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业，2025年公司8英寸碳化硅已经实现量产出货。根据Yole发布的2025年碳化硅（SiC）业务排名，公司是中国SiC器件厂商中位居第一的企业。公司是国内仅有的两家能够供应超高压IGBT 的企业之一，通过与行业领先企业南瑞半导体深度合作，超高压功率器件产品已覆盖3300V至 6500V 的电压范围。其中 4500V 的 IGBT 产品已成功实现量产并挂网运行；同时双方正在合作研发性能更高的下一代碳化硅功率模块，致力于构建更智能、更坚韧的电网芯片方案。

士兰微：公司IPM模块已广泛应用到下游家电、工业和汽车客户的变频产品上，包括空调、冰箱、洗衣机，油烟机、吊扇、家用风扇、工业风扇、水泵、电梯门机、缝纫机、电动工具，工业变频器、新能源汽车等。2025年，国内多家主流的白电整机厂商在变频空调等白电整机上使用了超过2.5亿颗士兰IPM模块，公司已提高12英寸模拟集成电路芯片和IGBT芯片生产能力。

华润微：2025年，IGBT在工业（含光储）、汽车电子领域销售占比超过70%。在充电桩市场，实现头部客户稳定供货，并成功导入多家新客户。其中，车规级IGBT产品批量供应汽车电子动力总成、热管理、OBC等领域头部客户及Tier1厂商；电动工具市场已完成头部客户批量交付；公司率先推出750V高性能IGBT产品，在光储市场实现稳步上量。同时，基于12吋生产线研发的新一代G7平台规模量产，产品性能达到国际一流水平。

芯导科技：公司开发了高压GaN HEMT技术平台、低压GaN HEMT技术平台；高压平面型SiC MOS技术平台、SiC JBS结势垒技术平台；针对IGBT产品，公司开发了通用沟槽型IGBT技术平台、新能源用精细沟槽结构的IGBT技术平台。公司SiC产品，包含SiC SBD系列和SiC MOSFET系列。SiC SBD系列包含650V/1200V/1700V电压档，其中650V SBD产品已在PD客户端出货，1200V SBD产品已在多家大功率系统客户测试验证中，1700V SBD产品陆续产出。SiC MOSFET系列包含650V/1200V/1700V电压档，正在有序开发中，其中1200V产品在充电桩、逆变器等领域均有客户验证测试中，650V产品在PD快充、适配器等客户方案验证中。

锋龙股份：2020年3月27日公司在互动平台披露：公司所拥有的专利名称为“一种用于 IGBT 并联均流电路的滤波电感”，主要应于逆变器产品的研发、生产。逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电的转换器，广泛应用于汽车、轮船和飞机等交通工具上，为交流电器提供电源，也可以在无电或停电情况下与其他发电设备一起为用户提供交流电源，还可以应用于消防应急电源、便携大容量移动电源上。 该专利技术，主要是采用两个磁芯串联产生较高的电感值，满足对大电感值的使用需求。通过磁芯的互感作用，实现了IGBT并联电路的均流，提高了IGBT的工作可靠性，避免器件损坏，从而提高可靠性，为大功率逆变器提供稳定输出保障。

维科精密：公司IGBT功率模块部件产品系IGBT功率模块中的框架及盖板（不含芯片），为多个功率模块或功率电子模块的功率器件提供物理防护、提供电气绝缘和大电流传输功能，达到车规级标准，搭载芯片后可直接应用于新能源电驱控制器逆变器、IGBT功率模块和驱动电桥，实现电能和机械能的转换。

科瑞技术：2023年2月7日公司在互动平台披露：公司目前主要开发了IGBT功率半导体相关的晶圆、辅料及相关工装的贴装及组装设备，公司将持续积累相关应用技术、积极拓展半导体相关设备的业务。

中微半导：公司在55纳米至180纳米CMOS、90纳米至350纳米BCD、双极、SGTMOS和IGBT等工艺上持续研发投产，并逐步向40纳米、22纳米等更高制程迈进；产品包括8位、32位MCU、SoC、ASIC、NOR Flash等芯片以及功率器件，产品门类齐全，性价比优势明显，在小家电、消费电子等领域竞争力显著，市场认可度高；在汽车电子领域增长迅猛，车规级MCU出货量同比增长超100%。据弗若斯特沙利文对MCU进行详细分析，2014年公司MCU产品以出货量计在国内厂商排名第一，以收入计在国内厂商排名第三。2025年，各类产品出货量持续增加，全年MCU出货量超36亿颗，同比增长超过50%，其中8位机出货量超过33亿颗，市场份额稳居国内厂商龙头；32位机出货量约3.0亿颗，市场份额持续扩大。

骄成超声：在检测超声领域，公司超声波扫描显微镜可广泛应用于新能源电池、IGBT功率模块、电子元器件、液冷板、金刚石复合片、陶瓷基板、半导体芯片、晶圆等各类工件的内部缺陷检测。公司先进超声波扫描显微镜针对工件内部缺陷检测精度达到微米级，可检测胶水固化不均、晶圆硅片键合不良等情形。

振华科技：2025年7月30日公司在互动平台披露，公司全资子公司具有IGBT产品的独立设计、研制、开发、生产以及检试验能力，建有高可靠IGBT功率模块封装生产线，IGBT分析测试及可靠性试验平台和IGBT功率模块应用测试平台。2022年5月9日公司在互动平台披露，公司IGBT芯片可应用于新能源车。

民德电子：控股子公司广芯微电子坚持纯晶圆代工模式，为国内众多的创新驱动型设计公司提供稳定且高质量晶圆代工产能。纯晶圆代工模式在行业内属于相对稀缺的资源。广芯微电子的设备配置在国内6英寸功率半导体晶圆厂中具备较强的制造水平，产品线丰富，尤其在高压、特高压领域具有一定的优势。广芯微电子目前已完成MOS场效应二极管（MFER）、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOS）、Bipolar-CMOS-DMOS（BCD）、瞬态电压抑制二极管（TVS）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等工艺平台开发，同时面向智能电网应用的特高压智能功率MOS、高结温超高压MFER等产品也都在陆续开发和推进量产中。

苏州固锝：公司自成立以来，专注于半导体分立器件和集成电路封装测试领域，目前已经拥有从产品设计到最终产品研发、制造的整套解决方案，在二极管制造方面具有世界一流水平，整流二极管销售额连续十多年居中国前列。公司拥有多类半导体功率分立器件、多规格晶圆及集成电路的封装测试技术和智能化生产线，产品主要包括整流二极管、肖特基二极管、TVS、ESD保护二极管、开关二极管、稳压二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SiC器件、整流桥堆、光伏旁路模块、无引脚集成电路、及MEMS传感器等，共有50多个系列、7000多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、逆变储能、清洁能源、绿色照明、IT、工业家电、各类电源模块、以及消费类电子等许多领域。

高新发展：公司以森未科技、芯未半导体为主要平台，增强功率半导体业务发展动力，推动功率半导体业务良性发展。森未科技的定位是在功率半导体领域专注IGBT等功率半导体器件的设计、开发和销售，掌握国际主流IGBT芯片设计技术和加工工艺，以通用产品支撑规模，以高端产品实现高附加值。森未科技处于功率半导体产业链中上游，面向客户提供IGBT器件、IGBT检测方案、IGBT应用方案。芯未半导体业务方向是为各领域/市场客户提供IGBT特色高端定制化模块及配套组件代工制造服务，主要面向新能源车、新能源发电（光伏/风力）及工控领域，搭建企业一体化制造、测试、中试、验证平台，实现从芯片特色工艺到模块、组件的一条龙中试、量产能力，服务产业链上下游客户。作为成都首个功率半导体代工平台和成都规模最大的功率半导体中试平台，芯未半导体项目将主要为功率半导体设计和制造企业、终端应用企业等提供从晶圆背面加工-模块封测代工-组件集成代工的一站式代工服务。

捷捷微电：公司主营产品为各类电力电子器件和芯片，分别为：晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片（包括：TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等）、二极管器件和芯片（包括：整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等）、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件、光耦、模块及组件、碳化硅器件等。公司晶闸管系列产品、二极管及防护系列产品采用垂直整合（IDM）一体化的经营模式，即集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封装、测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。公司MOSFET及IGBT系列产品采用垂直整合（IDM）一体化的经营模式和少部分产品的委外流片相结合的业务模式，目前，部分芯片为委外流片，部分器件封测代工。

斯达半导：公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案，产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

扬杰科技：IGBT产品方面，基于Fabless+自主IDM模式，在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2um pitch 微沟槽 650V 30A160A，1200V 15A-200A IGBT芯片全系列的开发和优化迭代，并在客户端已实现全系列批量出货。新能源的光储充应用方面，已经有6个型号（其中新增N3，N4两个型号）应用于60KW-320KW功率段，涵盖电压650/1000/1200V、电流160-600A的I型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架。车规单管方面，公司利用自身具备的车规级功率器件封装线，在PTC、压缩机控制器应用领域，大批量交付车企及Tier1客户。2025年公司IGBT产品重点布局新能源汽车、储能、工控、光伏逆变等应用领域，销售额不断增长，市场份额逐步提升，已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。