碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

德龙激光：公司紧抓半导体行业快速发展的趋势，加速半导体行业设备的市场推广，尤其在碳化硅领域，德龙激光从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节，材料损耗小，加工效率高，设备运行无需耗材，加工成本低，可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺，材料耗损少，晶片产出高，良率可控，切割效率也具有较大优势。

英唐智控：2021年9月30日公司在互动平台披露：公司子公司上海芯石研发团队在功率半导体器件方面具有丰富的研发经验，上海芯石已形成了与产品性能密切相关的IP共计63项，其中碳化硅产品领域5项，并成功开发了600V、1200V、1700V、3300V 的SiC-SBD产品。研发的第三代半导体产品中，已经通过代工方式实现了SiC-SBD产品的小批量销售，SiC-MOSFET目前研发工作已经进行进入尾声，已准备开展产线的投片验证工作,同时也正在开展对另一项重要的第三代半导体材料GaN相应器件产品的研发。2021年12月3日公司在互动平台披露：根据公司2021年7月9日披露的《关于公司与HuLu公司签订＜合作协议＞的公告》，出于公司长远发展需要，为加速实现公司在第三代半导体领域的产能规划，公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5000片的6英寸碳化硅生产线。

京运通：公司半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等，主要用于生产半导体相关材料。2023年度，公司半导体设备的研发和销售工作也在积极推进中，公司高端设备产品金刚石炉取得少量销售订单。2023年12月25日公司在互动平台披露：公司高端装备业务包括光伏设备和半导体设备，光伏设备包括软轴单晶硅炉、金刚线切片机等；半导体设备包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备等。公司生产的区熔单晶硅炉是“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项中硅单晶区熔设备研制的科研成果。

东尼电子：公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

温州宏丰：2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

蓝海华腾：2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

民德电子：晶圆代工厂广芯微电子作为对公司构建长期护城河有重要影响力的核心战略资产，公司在2024年初启动对广芯微电子的控股收购，并于2025年1月初完成股权交易的主要交割事项，广芯微电子已成为上市公司控股子公司，纳入公司合并财务报表范围，公司也成为国内少数控股晶圆代工厂，并在产业链核心环节均实现自主可控的功率半导体企业。广芯微电子项目2023年底开始量产，2024年，产线处于量产爬坡阶段。目前，广芯微电子的产销量在快速提升中，生产的产品主要包括：MOS场效应二极管45-200V全系列共百余款产品已完成开发并批量生产；200-2,000V高压/超高压/特高压DMOS产品线多款产品已完成开发并批量生产；高压BCD产品正在进行验证。体系认证方面，广芯微电子已通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证，标志着广芯微电子在质量管理方面符合国际标准，达到了汽车行业供应链的要求，广芯微电子已具备车规极产品生产能力，并开始小批量生产。

派瑞股份：2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。公司取得了IATF16949汽车行业质量管理体系认证证书，标志着公司化合物半导体芯片成功获得进入汽车领域的绿色通行证，进一步夯实了产品推广应用基础，为公司参与汽车行业市场竞争提供了有力保障。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

银河微电：公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

汇川技术：2025年4月28日公司在互动平台披露：公司在碳化硅（SiC）功率器件领域已有产品布局，与国内外厂家均有深入的合作。汇川也非常重视SiC的国产化推进，当下正推进多家国内厂商的产品开发或验证。

中瓷电子：公司已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强。公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要客户的认可，在终端市场具有技术先进性和充分竞争力。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于光伏、储能、新能源汽车、充电桩等领域，已拥有碳化硅配套产能16,000片/月，硅基氮化镓产能2,000片/月，合作意向及客户超800家。2023年，湖南三安碳化硅技术持续突破，6吋碳化硅衬底已实现国际客户的批量出货，8吋衬底外延工艺调试完成并向重点海外客户送样验证。截至2023年末，二极管已推出适用于光伏领域的G5代系产品，累计出货超2亿颗。公司将根据市场趋势与时俱进，立足产品研发，推动产能加速释放，加快推出8吋碳化硅衬底外延、高效高可靠性碳化硅二极管及2000V/1700V/1200V/650V全系列碳化硅MOSFET产品，持续为客户提供高品质产品和高质量服务，为扩大公司效益贡献力量。

中密控股：2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

东微半导：公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

伟创电气：2025年5月22日公司在互动平台披露：公司结合碳化硅材料功率器件的特性，成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小，高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求，可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

华润微：2024年上半年，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化，全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进，碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作，产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展，产品平台涵盖40V、100V、150V、650V，代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

宏微科技：公司在研的碳化硅芯片开发项目，进展为：1款芯片设计开发阶段、2款产品客户测试中、1款产品完成产品设计和工艺验证。拟达到目标为：开发1200V20ASBD芯片、1200V40mΩ、13mΩSiCMOSFET芯片，并完成多种封装类型的分立器件及模块封装，实现产品批量交付。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。