碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

麦格米特：公司多年来持续围绕电力电子技术进行上下游产业链投资，通过“并购+孵化”不断拓展业务领域。2023年公司新增参股公司9家，对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）总金额为14,615万元；2023年因投资公司估值提升而获得公允价值变动收益、投资收益共2.76亿元。截至目前，公司对外股权投资（剔除投资后合并报表的控股子公司）的公司达到42家，累计对外股权投资金额为5.37亿元，累计获得公允价值重估收益、投资收益等合计6亿元，持续高效投资在获得业务协同的同时，投资收益也开始逐步显现。目前投资已涉及新一代碳化硅半导体材料、AR/VR光学模组、新一代加热陶瓷、工控解决方案、智能装备、纳米材料、射线源、储能、石油开采、新能源汽车热管理、高速高效电机、精密轴承、新能源车分布式动力、液压悬挂系统等方面的企业，其中部分企业已经取得非常好的进展，市场价值提升迅速。

伟创电气：2025年5月22日公司在互动平台披露：公司结合碳化硅材料功率器件的特性，成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小，高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求，可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

露笑科技：碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售。公司已完成具有完全自主知识产权碳化硅晶体生长炉开发和定型工作，结合多年生长技术积淀，开发出晶体生长自动化控制软件，生长重复性高。公司根据晶体生长热力学、动力学及流体力学的基本原理，结合计算机辅助计算，设计并优化了晶体生长温场结构，晶体生长稳定性大幅提升。公司已研发出籽晶固定技术，晶体缺陷密度大幅降低，晶体质量稳步提高。2022年3月22日公司在互动易平台披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

德龙激光：公司紧抓半导体行业快速发展的趋势，加速半导体行业设备的市场推广，尤其在碳化硅领域，德龙激光从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节，材料损耗小，加工效率高，设备运行无需耗材，加工成本低，可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺，材料耗损少，晶片产出高，良率可控，切割效率也具有较大优势。

东微半导：公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末，公司已开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。报告期内，公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作，同时，基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户，目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。

天岳先进：公司致力于提供持续拓展且性能卓越的产品组合，探索并持续推进碳化硅产品在多元领域的应用拓展。依托前瞻性的技术布局和强大敏捷的创新能力，公司的产品已成功深入切入新能源与AI两大高增长赛道，这不仅将驱动业绩实现爆发式增长，更将助力公司完成下游应用场景的多元化拓展，进而巩固行业引领地位，把握新一轮发展机遇。公司在碳化硅衬底产品矩阵上超前布局。公司8英寸导电型衬底产品质量和批量供应能力领先，是全球少数能够批量出货8英寸碳化硅衬底的市场参与者之一，持续推动头部客户积极向8英寸转型。2024年11月，公司向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。2024年11月，我们推出业内首款12英寸碳化硅衬底。12英寸碳化硅衬底材料，能够进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积，大幅提升合格芯片产量。在同等生产条件下，显著提升产量，降低单位成本，进一步提升经济效益，为碳化硅材料的更大规模应用提供可能。这标志着我们向大尺寸碳化硅衬底时代迈出了重要一步。

天通股份：公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造，产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来，公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉，适用于生产低氧含量的N型电池片，满足了高效太阳能电池的需求。

宏微科技：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

三安光电：湖南三安系国内为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台，产业链包括晶体生长—衬底制备—外延生长—芯片制程—封装测试，产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、充电桩、AI及数据中心服务器等领域。目前，湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底、外延产能1,000片/月，8吋碳化硅芯片产线正在建设中，拥有硅基氮化镓产能2,000片/月。2025年3月28日公司在互动平台披露：车载充电机、空调压缩机用SiCMOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiCMOSFET已在重点新能源汽车客户处导入可靠性验证。

芯朋微：2024年4月23日公司在互动平台披露：公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效，陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品，均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚，已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片；公司集成GaN产品已在充电应用上量产，智能GaN工业类应用已在推广中。

中瓷电子：国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、 轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要客户的认可。国联万众公司是国家第三代半导体创新技术中心（北京）主要建设和运营主体单位，并同时拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北京市科技企业孵化器等资质。

华润微：2024年上半年，碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面，SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化，全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利，多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样，并配合主流车厂进行测试认证，实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进，碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作，产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展，产品平台涵盖40V、100V、150V、650V，代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

赛微电子：2024年3月17日公司在互动平台披露，聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平；聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露，公司在碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）材料及制造方面同样具有技术储备，但在8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

温州宏丰：2024年3月，公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月，项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变；将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

银河微电：公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

锴威特：在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。公司功率器件产品以MOSFET为主，公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予三个省级科研平台和一个省级专家工作站，长期保持与科研院所和高校开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内同业保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

时代电气：在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。公司生产的全系列高可靠性IGBT产品打破了轨道交通和特高压输电核心器件由国外企业垄断的局面，目前正在解决我国新能源汽车、新能源发电装备的核心器件自主化问题。2024年，IGBT模块交付在轨交、电网领域市场份额大幅领先，占有率国内第一，电网市场中标7条线，首次斩获海外柔直项目大批量订单，新能源市场快速突破，根据NE时代统计数据，公司2024年新能源乘用车功率模块装机量达225.6万套，市占率约13.7%，仅次于比亚迪排名第二，新能源发电市场IGBT模块出货量增长迅速，7.5代超精细沟槽栅产品效率和出流能力达到国际领先水平，半导体三期项目宜兴产线成功投产。传感器业务轨交领域市占率持续领先，首次斩获电网订单。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

蓝海华腾：2023年3月3日公司在互动易平台披露：公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目，主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究，以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。