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碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

 
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碳化硅 ( 板块 994669 )
4464.78 +0.38 %
BBD: -17.85亿   成交额:307.77亿  开盘:4411.18  最低:4314  最高:4488.81  振幅:4.05%  更新时间:2026-01-30
DDX: -0.239   DDY: -0.122   特大单差: -2.7   大单差: -3.1   中单差: 2.4   小单差: 3.4   单数比:0.954  通吃率: -5.80%
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碳化硅概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

天通股份:公司专注于晶体材料专用设备的研发与制造,产品线涵盖从晶体生长到加工的全系列应用设备。这些设备广泛应用于光伏、蓝宝石、压电晶体以及新兴的半导体行业。具体产品包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机和抛光机等关键设备。公司在晶体材料设备领域的核心竞争力体现在光伏和蓝宝石等晶体的生长设备以及相应的切磨抛加工设备上。近年来,公司将研发重点放在了光伏设备上。推出了最新一代RCZ单晶炉,适用于生产低氧含量的N型电池片,满足了高效太阳能电池的需求。

银河微电:公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目,进入小批量试验阶段。拟达到目标:1.氮化镓材料的芯片测试技术研究,形成测试工艺规范;2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术,满足车规级产品可靠性需求;3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能;4.全线成品率>98%;5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另,2022年9月7日,公司在投资者互动平台表示,公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管,其中,功率二极管部分包括碳化硅二极管,功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

民德电子:晶圆代工厂广芯微电子作为对公司构建长期护城河有重要影响力的核心战略资产,公司在2024年初启动对广芯微电子的控股收购,并于2025年1月初完成股权交易的主要交割事项,广芯微电子已成为上市公司控股子公司,纳入公司合并财务报表范围,公司也成为国内少数控股晶圆代工厂,并在产业链核心环节均实现自主可控的功率半导体企业。广芯微电子项目2023年底开始量产,2024年,产线处于量产爬坡阶段。目前,广芯微电子的产销量在快速提升中,生产的产品主要包括:MOS场效应二极管45-200V全系列共百余款产品已完成开发并批量生产;200-2,000V高压/超高压/特高压DMOS产品线多款产品已完成开发并批量生产;高压BCD产品正在进行验证。体系认证方面,广芯微电子已通过IATF16949汽车行业质量管理体系认证,标志着广芯微电子在质量管理方面符合国际标准,达到了汽车行业供应链的要求,广芯微电子已具备车规极产品生产能力,并开始小批量生产。

东微半导:公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。2023年末,公司已开发出SiC二极管,并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中,Si2CMOSFET已通过客户的验证并实现小批量供货,应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等,实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代,市场前景广阔。报告期内,公司研究开发的基于18V~20V驱动平台的1200VSiCMOSFET完成自主设计流片和可靠性评估工作,同时,基于15V驱动平台的SiCMOSFET已经进入内部验证阶段。公司致力于发展全球客户,目前在欧洲市场进展良好,产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域,并实现了批量出货。

伟创电气:2025年5月22日公司在互动平台披露:公司结合碳化硅材料功率器件的特性,成功开发了一款碳化硅驱动器来应对市场中产品体积小,高防护等级、散热好和开关频率高等应用场合需求,可运用于电动汽车/充电桩、光伏/氢能、轨道交通、智能电网等领域。目前有小批量出货。

芯朋微:2024年4月23日公司在互动平台披露:公司目前针对SiC器件结构和SiC材料等领域的研发已展现成效,陆续推出车规级的SiC器件和内置SiC电源芯片等产品,均适用于目前新能源汽车400v/800v电压等级应用。公司在功率器件方面技术积累较为深厚,已推出车规级1200V SiC MOSFET和1700v SiC电源芯片;公司集成GaN产品已在充电应用上量产,智能GaN工业类应用已在推广中。

中瓷电子:国联万众是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一,在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利,现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品,主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域,未来拟攻关高压SiC功率模块领域,进一步抢占行业技术高地,在智能电网、动力机车、 轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额,实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界等主要客户的认可。国联万众公司是国家第三代半导体创新技术中心(北京)主要建设和运营主体单位,并同时拥有国家“双创”支撑平台、众创空间、中关村硬科技孵化平台、北京市科技企业孵化器等资质。

赛微电子:2024年3月17日公司在互动平台披露,聚能创芯的8英寸硅基GaN外延生长技术在业界处于领先水平;聚能创芯完成融资后不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围;但这并不意味着公司不再关注GaN领域,公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓(GaN)业务的发展。2022年7月31日公司在互动平台披露,公司在碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)材料及制造方面同样具有技术储备,但在8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)方面的技术储备与竞争力方面更为突出。

派瑞股份:2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”,答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

锴威特:在功率器件方面,公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET(FRMOS)、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。公司功率器件产品以MOSFET为主,公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力,积累了多项具有原创性和先进性的核心技术,其中3项达到国际先进水平,1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面,公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一,产品已覆盖业内主流电压段。

天富能源:公司积极布局第三代半导体碳化硅新材料产业,2020年参与北京天科合达半导体股份有限公司增资扩股,并在2021年持续加大了投资力度,目前公司已持有北京天科合达9.09%的股份,成为该公司第二大股东。2024年深圳第三代半导体材料产业园落成揭牌。该产业园是由北京天科合达半导体股份有限公司、深圳市重大产业投资集团等各方共同投资建立,将进一步补强深圳第三代半导体“虚拟全产业链(VIDM)”。公司新材料产业将具备一定规模,形成与新能源产业协同发展的格局。

瑞纳智能:公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延生产销售。面向8英寸碳化硅衬底的长晶技术做了方向调整并优化研发的工艺路线,完成新设备(电阻式双温区长晶炉)的调试并投入使用。碳化硅粉料已获得权威第三方检测证明已完全符合相关标准和工艺需求,目前已批次投入使用。

温州宏丰:2024年3月,公司将“碳化硅单晶研发项目”及“光储一体化能源利用项目”预计达到可使用状态的时间延期一年至2025年3月,项目原定的实施主体、实施地点、募集资金用途及投资规模等其他事项保持不变;将“年产1,000吨高端精密硬质合金棒型材智能制造项目”预计达到可使用状态的时间延期至2025年12月。

晶升股份:公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-8英寸碳化硅单晶衬底,具有结构设计模块化、占地小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品,下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备:①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片,可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件,下游应用领域主要包括新能源汽车(主驱逆变器、车载充电机(OBC)、车载电源转换器、充电桩、UPS等)、光伏发电(光伏逆变器)、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等;②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片,可制成HEMT等微波射频器件,下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

德龙激光:公司紧抓半导体行业快速发展的趋势,加速半导体行业设备的市场推广,尤其在碳化硅领域,德龙激光从碳化硅晶圆激光划片设备、退火设备拓展至切片设备。碳化硅晶锭激光切片技术主要面向碳化硅晶锭的分片环节,材料损耗小,加工效率高,设备运行无需耗材,加工成本低,可最大支持8英寸晶锭分切、最大切割速度800mm/s。相比于传统金刚丝切割工艺,材料耗损少,晶片产出高,良率可控,切割效率也具有较大优势。

蓝海华腾:2023年3月3日公司在互动易平台披露:公司有与基本半导体相关公司合作碳化硅项目,主要是针对碳化硅芯片及模块在电机控制器的相关应用及测试研究,以期共同完成碳化硅模块在新能源汽车上的推广。

中密控股:2021年8月3日公司在互动平台披露:公司有生产碳化硅,基本都使用在公司密封产品中。

宏微科技:SiCMOSFET芯片:公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功,已通过可靠性验证;车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品,可靠性正在评估中;自研SiCSBD芯片:自主研发的SiCSBD(肖特基势垒二极管)芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证,并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试,部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展,为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广,公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期,公司将通过技术迭代与产线协同优化,持续提升产品竞争力。未来,随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发,公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入,构建以SiC、GaN为核心,兼顾第四代半导体的多元化技术体系,加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入,并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

凯龙高科:公司碳化硅新材料业务主要分为重结晶碳化硅载体和铝/碳化硅刹车盘两大方向,由子公司观蓝新材料负责实施,锚定进口替代方向,深耕国内市场,提升占有率。重结晶碳化硅载体已批量供货给中国一汽、上汽集团、庆铃五十铃、常柴、东风汽车等。2025年上半年,观蓝新材料公司引进了湖南大学肖汉宁教授团队自主研发的“铝/碳化硅刹车盘制备技术”,目前中试线已建成,产业化生产正在规划中。观蓝新材料将聚焦20-30万区间新能源中高端车辆,填补高性能刹车系统领域空白,为行业突破关键技术瓶颈提供有力支撑。

华润微:2024年上半年,碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比保持快速增长。在碳化硅方面,SiC MOS G2和SiC JBS G3均已完成产品系列化,全面覆盖650V、1200V、1700V电压平台产品。其中SiC MOS G2 Rsp水平达到国际领先品牌主流产品水平,SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先,得到客户的高度认可。车规级SiC MOS和SiC模块研发工作进展顺利,多款单管、半桥、全桥车规模块产品出样,并配合主流车厂进行测试认证,实现批量供货。同时Trench结构的SiC产品研发工作正在快速推进,碳化硅产品品牌影响力进一步提升。公司持续开展氮化镓D-mode产品G2圆片及封装平台优化、产品系列化工作,产品覆盖手机快充应用以及1200W以下功率电源应用。G3平台多款产品已导入量产。氮化镓E-mode产品研发取得突破性进展,产品平台涵盖40V、100V、150V、650V,代表产品已进入可靠性评价及优化阶段。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1600330天通股份 分时 日线 板块
2688689银河微电 分时 日线 板块
3300656民德电子 分时 日线 板块
4688261东微半导 分时 日线 板块
5688698伟创电气 分时 日线 板块
6688508芯朋微 分时 日线 板块
7003031中瓷电子 分时 日线 板块
8300456赛微电子 分时 日线 板块
9300831派瑞股份 分时 日线 板块
10688693锴威特 分时 日线 板块
11600509天富能源 分时 日线 板块
12301129瑞纳智能 分时 日线 板块
13300283温州宏丰 分时 日线 板块
14688478晶升股份 分时 日线 板块
15688170德龙激光 分时 日线 板块
16300484蓝海华腾 分时 日线 板块
17300470中密控股 分时 日线 板块
18688711宏微科技 分时 日线 板块
19300912凯龙高科 分时 日线 板块
20688396华润微 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
碳化硅概念板块解析(994669) 碳化硅龙头股概念股一览
碳化硅(SiC),一种第三代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质,碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域。
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