碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

晶盛机电：公司基于多年的晶体材料生长及加工技术和工艺积累，延伸产业链布局，使用自主研发的晶体生长及加工设备，通过技术和工艺创新，打造高品质材料核心竞争力，发展了蓝宝石材料、碳化硅材料、石英坩埚以及金刚线等具有广阔应用场景的材料业务。

晶升股份：公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计一体化、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。

天岳先进：公司是国内最早同时布局导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底产品的企业之一，在碳化硅衬底技术研发和产业化生产方面具有领先优势。得益于公司在导电型碳化硅衬底产品方面持续的技术投入和产业化经验，公司济南工厂的产能调整进展顺利。2022年各季度随着导电型碳化硅衬底产量持续爬坡，按季度营业收入保持快速增长。截至2022年末，济南工厂导电型产品的产量已超过半绝缘型产品。根据YOLE报告，2022年，公司在半绝缘碳化硅衬底领域，市场占有率连续四年保持全球前三，公司是国际上少数几家同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。随着公司新建上海工厂产能的逐步释放，预计公司在功率SiC领域将获得更大的市场影响力。

台基股份：公司具备完整的具有自主知识产权的半导体产品设计和制造技术，以及完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有54项专利技术（其中9项发明专利）和多项专有技术，主持和参与起草多项行业标准。公司建有3个省级科研平台，积极开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司具有完全自主知识产权的大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

派瑞股份：2022年8月12日公司在互动易平台回复“公司碳化硅产业做的怎么样”，答“公司项目相关产品的研发工作正常进行中”。

银河微电：公司在研的高可靠度第三代半导体光耦产品开发项目，进入小批量试验阶段。拟达到目标：1.氮化镓材料的芯片测试技术研究，形成测试工艺规范；2.研究并掌握车规级光耦的塑封技术，满足车规级产品可靠性需求；3.开发实现高可靠度第三代半导体BL817H系列产品达到2KK/月产能；4.全线成品率>98%；5.产品满足现有UL/VDE认证要求。另，2022年9月7日，公司在投资者互动平台表示，公司车规级生产线的中的功率器件包括功率二极管和功率三极管，其中，功率二极管部分包括碳化硅二极管，功率三极管部分包括碳化硅MOSFET。

露笑科技：碳化硅是第三代化合物半导体材料。碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，将是未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。公司碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，目前公司已经安装280台长晶炉，碳化硅项目正常推进中。2022年3月22日公司互动易披露：公司生产的6英寸碳化硅衬底片可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。

麦格米特：公司参股瞻芯电子4.73%股权，瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，已完成国内第一个基于6英寸碳化硅晶圆的SiCMOSFET和SBD工艺平台开发。

京运通：2023年7月20日公司在互动平台披露：我司研发的碳化硅炉已产出合格晶体。正在进行生长工艺的优化，以提高产品的合格率和利用率。

东尼电子：公司半导体行业产品为碳化硅半导体材料。以碳化硅为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一，与硅材料相比，以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域。根据Yole数据，2027年全球导电型碳化硅功率器件市场规模将由2021年的10.90亿美元增至62.97亿美元，2021-2027年每年以34%年均复合增长率快速增长。公司主要生产导电型碳化硅衬底材料，为半导体器件制造的关键原材料，可广泛应用于功率器件，需求有望随着器件市场规模的增长而取得快速增长，根据Yole数据，2021年全球导电型碳化硅衬底市场规模为3.80亿美元，预计2027年将增长至21.6亿美元。

三安光电：公司碳化硅各环节业务顺利推进，衬底已通过几家国际大客户验证，其中一家实现批量出货，且2023年、2024年供应已基本锁定；碳化硅芯片应用于光伏、储能、新能源汽车等可靠性要求高的领域。2022年，公司碳化硅二极管累计出货量领跑行业，累计出货量超一亿颗，产品持续迭代，已推出第四代高性能产品，且有7款通过车规认证并开始逐步出货。湖南三安与理想合资成立苏州斯科半导体，规划年产240万只碳化硅半桥功率模块，目前该项目基础建设已完成，设备正陆续入厂，已进入安装调试阶段，待产线通线后进入试生产。碳化硅MOSFET代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作，与某知名车企签署芯片战略采购意向协议总金额达38亿元，另一重要客户订单金额19亿元（不含税），截至目前，已签署的碳化硅MOSFET长期采购协议总金额超70亿元，另有几家新能源汽车客户的合作意向在跟进。硅基氮化镓产品主要应用于快充适配器、服务器电源等，客户送样及系统验证进程加速，公司目前拥有650V氮化镓代工平台。

英唐智控：公司控股子公司英唐微技术专注于光电转换和图像处理的模拟IC和数字IC产品的研发生产，主要产品包括车载IC产品和光学传感器产品。其采用IDM模式，通过自有团队及生产线完成芯片设计、晶圆制造、测试等业务环节，形成了一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队。截至2022年底，英唐微技术的研发人员和生产人员总人数超过140人，占英唐微技术总人数的60%以上，且平均从业经验在12年以上，具有丰富的技术沉淀。英唐微技术可为公司后续产能布局提供传感器领域产品所需的研发制造技术、6英寸晶圆产线运营所需的工艺、团队和管理运营机制支持。2022年坚定产线落地，深化产能布局公司控股子公司英唐微技术专注于光电转换和图像处理的模拟IC和数字IC产品的研发生产，主要产品包括车载IC产品和光学传感器产品。其采用IDM模式，通过自有团队及生产线完成芯片设计、晶圆制造、测试等业务环节，形成了一支经验丰富且稳定的研发和工艺团队。截至2022年底，英唐微技术的研发人员和生产人员总人数超过140人，占英唐微技术总人数的60%以上，且平均从业经验在12年以上，具有丰富的技术沉淀。英唐微技术可为公司后续产能布局提供传感器领域产品所需的研发制造技术、6英寸晶圆产线运营所需的工艺、团队和管理运营机制支持。

东微半导：公司积极布局基于第三代功率半导体SiC材料的功率器件领域。公司开发出SiC二极管，并发明具有自主知识产权的Si2CMOSFET。其中，Si2CMOSFET已通过客户的验证并开始小批量供货，应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代，市场前景广阔。为应对未来更加复杂的市场变化，东微半导积极开拓海外市场。目前在欧洲市场进展良好，产品送测认证至电动工具、新能源汽车车载充电机、工业电源、工业控制、家电、工业照明等领域，并实现了批量出货。除欧洲市场之外，公司开始开拓北美及东南亚市场，致力于发展全球客户。随着人工智能的发展和数据中心建设如火如荼的展开，公司发明的一系列Si2CMOSFET器件、SiCMOSFET器件及超低电阻超级结器件将可以在此类市场中实现销售额的高速增长。

民德电子：2022年1月，公司完成以45.48元/股向特定对象发行行股数确定为10,993,843股，募集资金总额为499,999,979.64元。在扣除发行费用后将用于碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目和补充流动资金项目，项目总投资69,556.00万元。其中碳化硅功率器件的研发和产业化项目达产后可实现年均营业收入6.05亿元，年均净利润0.53亿元。

中密控股：2021年8月3日公司在互动平台披露：公司有生产碳化硅，基本都使用在公司密封产品中。

海特高新：在高性能集成电路设计与制造领域，已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖GaAs（砷化镓），GaN（氮化镓），SiC（碳化硅），应用覆盖微波射频及电力电子领域，经过多年发展，已经构建了化合物半导体产业链中最核心的芯片制造能力。公司在5G基站功放芯片，GaN（氮化镓）快充芯片，SiC（碳化硅）充电桩芯片性能上处于国内领先地位，并发布了自动驾驶汽车激光雷达5G毫米波芯片工艺制程，发布了适用于新能源充电桩高效电能转换的SiC（碳化硅）功率芯片制程。在科装领域，公司立足核心装备自主可控，突破关键技术瓶颈，攻克诸多卡脖子技术，定制芯片数百款，承担了众多国家级重大科研项目，为航空航天、卫星通讯等核心装备研制及量产提供必要技术支撑，公司的研发实力及芯片制造能力处于行业一流地位。

燕东微：公司承担了16项国家级及省部级科研或技改项目，其中包括1项国家科技重大专项，并参与了4项国家标准及1项电子行业标准的制定工作，连续六年获得“中国半导体功率器件十强企业”称号。截至2022年6月30日，公司已获得授权的专利共计280项。公司加强市场、技术战略研究，做好技术创新规划布局，围绕高密度功率器件、显示驱动IC、电源管理IC和硅光芯片，发挥特色工艺优势，发力高端产品，丰富产品种类和工艺种类，加快12英寸线建设，提升制程水平，推动SiC、GaN第三代半导体的工艺技术研发及产业化，满足市场需求。

天通股份：公司晶体材料专用设备包括晶体生长炉和成套加工设备，应用领域从光伏、蓝宝石、压电晶体逐步扩展到半导体行业，产品类型涵盖了从晶体生长到晶体加工一系列应用设备，包括晶体生长炉、截断机、开方机、硅片研磨机等。蓝宝石和压电晶体设备确保公司在蓝宝石材料、压电材料方面的优势，不对外销售，仅限于自用。公司的晶体设备主要是单晶硅、蓝宝石等晶体的生长设备与切磨抛加工设备，近年来的主力是光伏设备。公司从2010年开始从事光伏单晶炉及相关成套设备的生产制造，由于公司单晶炉最初的设计理念是适用于电子级N型单晶的生长，技术起点高、结构设计先进，配置高端，自动化、集控化程度高，经过这几年来不断的技术迭代和自主创新。今年上半年推出了性价比合适的N型低氧型炉台，在保证大产能的前提下还能保证低的氧含量，未来在TOPCON电池技术不断加持的前提下，单晶炉市场未来可期。同时公司在硅棒加工领域推出了高效的开方机，该产品产出效率及精度高，一推出市场就受到市场的青睐，已接到头部企业的批量订单。

锴威特：在第三代半导体器件方面，公司利用掌握的“短沟道碳化硅MOSFET器件系列产品沟道控制及其制造技术”实现了SiC MOSFET稳定的性能和优良的良率控制。公司SiC功率器件产品主要包括SiC MOSFET和SiC SBD（肖特基势垒二极管），目前公司SiC MOSFET已形成650V-1700V四个电压规格的产品系列，SiC SBD已形成650V-1200V电压规格的产品系列。SiC SBD是由金属和碳化硅材料接触形成的快速恢复肖特基二极管，与SiC MOSFET同属于功率器件。SiC MOSFET导通电阻小，开关损耗低，工作温度范围宽，阈值电压一致性好，可广泛用于新能源汽车及配套、工业照明、大功率电源、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。SiC SBD可广泛用于新能源汽车及配套、大功率电源、逆变器、高可靠领域等，公司产品目前以高可靠领域应用为主。

瑞纳智能：公司以推动中国城镇集中供热领域低碳智慧核心科技创新与发展，实现行业“安全、智慧、可持续”发展为己任，依托多年供热行业一线实践经验和认知积累，构建了涵盖智慧软件、智能硬件、系统节能为主要支撑的智能研发体系，拥有自动化(OT)+信息化(IT)+智能化(AI）完全自主核心技术的一站式低碳智慧供热整体解决方案，能够为客户提供能源咨询/规划、整体方案设计、产品/系统定制（定制智慧供热系统平台、智能硬件定制、智能软件平台定制、集成设备标准化定制与开发）、一站式实施服务保障（EPC能效工程、EMC能源服务/能效工程、智慧供热平台整合服务、城市级智慧供热整体服务）、运营和能源服务、智慧软件全生命周期服务。此外，瑞纳智能将积极推进智慧城市的数字化转型，持续加大技术研发投入，不断提升技术水平和产品性能，持续打造城市级智慧供热平台，为城市提供全面的智慧化解决方案，推动城市数字化转型和可持续发展。