碳化硅概念股票|碳化硅板块龙头股资金流向(实时)

东微半导：公司持续加速SiC系列产品的研发和量产工作，通过和国内领先的一线晶圆代工厂的深度合作，已推出多款涵盖多种封装形式的SiC MOSFET产品，形成了丰富的产品规格供客户选择。公司第二代、第三代650V和1200V平台的多个SiC MOSFET产品已通过严苛的工业级可靠性验证，进入稳定交付阶段，并成功切入行业头部客户供应链，覆盖服务器电源、光伏储能、车载充电机等核心应用场景；公司1400V及更高电压系列产品已通过客户测试并获得订单，该系列产品是工业高压电源、固态变压器、储能变流器等高端场景的核心器件；650V/750V/1200V第四代SiC MOSFET平台已完成研发进入量产爬坡阶段，性能处于国内领先水平；同时，3300V及以上系列产品也在积极研发布局中。公司自主研发的Si2C MOSFET应用领域包括新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、数据中心服务器高效率电源等，实现了对采用传统技术路线的SiC MOSFET的补充。

民德电子：公司持有晶睿电子21.3712%的股权。作为国家级专精特新“小巨人”企业，晶睿电子自成立以来，以硅基外延片为基本盘，不断向高附加值产品延展，提升企业价值。晶睿电子目前已是广芯微电子外延片核心供应商之一，与广芯微电子协同开发了多款新品，适用于高效功率变换的250V多层外延超结MOS器件，已进入工程批工艺攻关与良率提升阶段，面向新能源核心场景的650V多层外延超结MOS器件在进行第二轮流片工艺验证与性能优化。2025年，晶睿电子持续提升高附加值产品产能，MEMS传感器用双抛片、SiC外延片、SOI等高价值产品产销量较上年度均有提升。

新洁能：第三代SiCMOSFET产品平台完成工艺平台开发，相关产品处于可靠性验证阶段。同时，公司还规划有和传统硅基IGBT/超结MOSFET驱动完全兼容的SiC产品，相关产品已完成工艺设计、产品设计，处于工程验证阶段。已开发完成1200V和650VSiC二极管平台搭建，新增产品20余款，相关产品进入量产阶段，并批量供货给多家行业龙头客户。开发SiC功率模块产品5款，相关产品处于客户验证阶段。100V/200VGaN产品开发中。

晶盛机电：碳化硅装备领域，公司开发了碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测），满足碳化硅衬底规模化产能建设需求的同时，在技术、工艺以及成本方面构筑壁垒，强化公司在碳化硅衬底领域的核心竞争力。基于产业链核心设备的国产化突破，在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系，以高标准研发目标，逐步实现产品产业化市场突破，6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先，率先开发了12英寸碳化硅外延设备。在蓝宝石装备领域，公司开发了长晶、切片、研磨、抛光等系列设备，实现设备、工艺的高度融合，促进联合创新，提升公司蓝宝石材料领域的综合竞争力。

宏微科技：SiCMOSFET芯片：公司首款1200V40mohmSiCMOSFET芯片研制成功，已通过可靠性验证；车规1200V13mohmSiCMOSFET芯片可提供特性样品，可靠性正在评估中；自研SiCSBD芯片：自主研发的SiCSBD（肖特基势垒二极管）芯片已经通过多家终端客户可靠性验证和系统级验证，并在重点客户端通过相应的可靠性和板卡级性能测试，部分产品已形成小批量出货。公司在SiC技术领域也取得了实质性进展，为未来的产品多样化和市场扩展奠定了坚实的技术基础。随着第三代化合物半导体器件的逐步量产和市场推广，公司有望在功率半导体市场中占据更重要的地位。面对第三代半导体器件产业化窗口期，公司将通过技术迭代与产线协同优化，持续提升产品竞争力。未来，随着产线爬坡计划的推进及战略合作伙伴的联合开发，公司将进一步加大在半导体技术研发方面的投入，构建以SiC、GaN为核心，兼顾第四代半导体的多元化技术体系，加速SiC器件在战略新兴领域的产业化导入，并探索机器人、机械臂等成长性应用场景。

珂玛科技：公司在2025年7月完成收购苏州铠欣半导体科技有限公司73%股权。苏州铠欣系一家从事化学气相沉积（CVD）碳化硅涂层和CVD碳化硅块体陶瓷零部件研发、生产和销售的高科技企业，公司依托自主研发，在CVD碳化硅陶瓷零部件相关技术与工艺方面有丰富积累和持续研发能力，目前产品已经在Si外延、SiC外延、GaN外延等领域实现规模化应用，碳化硅刻蚀环、碳化硅喷淋头、12吋Si外延用碳化硅涂层石墨基座等先进产品的开发已取得良好进展。苏州铠欣的苏州一期工厂项目于2025年末建成投产。该项目聚焦硅外延用石墨基座的碳化硅涂层加工、炉管晶舟等碳化硅陶瓷套件的碳化硅涂层加工，以及刻蚀用聚焦环、边缘环等核心零部件的精加工及表面处理业务。

燕东微：6英寸SiC生产线建设稳步推进，产能爬坡、技术成熟与高端应用渗透同步提升，报告期内月产能突破1000片；SiC SBD工艺平台技术成熟度与稳定性全面提升；SiC MOS工艺平台已经通线及量产，优化工艺流程持续提升良率。

麦格米特：2021年11月30日公司在互动平台披露：公司对外投资企业上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司。2023年11月15日公司在互动平台披露：上海瞻芯电子科技有限公司目前是国内碳化硅器件领先企业，可为公司电力电子产品的碳化硅器件应用提供支撑。

华润微：公司在第三代宽禁带半导体领域取得显著进展，SiC和GaN产品均实现重要突破。（1）SiC：碳化硅功率器件及模块产品销售收入实现翻倍以上增长。SiC MOS G3/G4平台Rsp性能达到国际先进水平，已形成650V/750V/1200V系列化产品矩阵，在商用车主驱、大功率快充模块实现批量供货。SiC JBS G3产品稳定交付，广泛应用于光伏逆变、储能、充电桩等领域。针对数据中心和光储系统需求，已完成1700V/2200V电压平台产品的开发与量产。车规级SiCMOS及碳化硅模块研发稳步推进，多款产品实现批量上车应用。GaN：氮化镓外延中心正式启用，产能扩充有序推进。D-mode 650V G5平台多款产品进入量产阶段，关键技术与客户突破成效显著。公司推出的第四代D-mode GaN系列新品，该产品可广泛应用于AI服务器电源、车载充电机（OBC）、激光雷达、机器人关节驱动、高端快充等高增长领域，为中高电压、大电流、高频高效以及对空间和重量敏感的应用场景，提供更高效、更紧凑的能源解决方案。

正帆科技：2026年6月5日公司在互动平台披露，公司2025年已完成收购辽宁汉京半导体材料有限公司控制权，业务拓展至高纯石英材料及碳化硅陶瓷材料零部件领域。

臻宝科技：公司原材料包括大直径单晶硅棒、多晶硅棒、化学气相沉积碳化硅、氧化铝陶瓷造粒粉和氧化钇陶瓷造粒粉等关键半导体材料，主要用于硅零部件、碳化硅零部件和陶瓷零部件等核心零部件的生产。公司通过原材料的自主研发生产，满足了先进工艺客户对硅材料和碳化硅材料的定制化要求，保证了自身供应链安全性和稳定性。原材料制造方面，公司已量产用于硅零部件生产的大直径单晶硅棒、用于高纯碳化硅零部件生产的化学气相沉积碳化硅材料和用于陶瓷零部件生产的氧化铝、氧化钇陶瓷造粒粉，持续推进高致密陶瓷涂层制备工艺的迭代开发。

台基股份：公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司（含子公司）拥有半导体技术专利76项（其中发明专利24项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草40余项国际标准、国家标准和行业标准。公司被授予四个省级科研平台和一个省级专家工作站，与相关科研院所和高校深入开展产学研合作，持续跟踪碳化硅、氮化镓等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。公司大功率半导体器件技术质量水平在国内保持领先，大功率半导体脉冲开关技术达到国际领先水平，在国内重大前沿科技项目得到应用。

锴威特：在功率器件方面，公司产品布局平面MOSFET、集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）、中低压沟槽型MOSFET、超结MOSFET和SiCMOSFET产品。公司功率器件产品以MOSFET为主，公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-3300VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。

赛微电子：2026年2月27日公司在互动平台披露，聚能创芯于2023年完成融资后不再是公司控股子公司，不再纳入公司合并报表范围；但这并不意味着公司不再关注GaN领域，公司是以新的角色继续关注、支持聚能创芯氮化镓（GaN）业务的发展。

银河微电：公司产品研发不断向系列化、前沿化发展，逐步开发了功率MOSFET、IGBT、宽禁带第三代半导体功率器件、IPM模块、ESD、TVS系列产品、功率整流桥、光电耦合器等市场空间广阔的器件类别，SiC/GaN等第三代半导体产品加速布局，高压整流、超低压降技术接近国际水平。

扬杰科技：公司持续增加对第三代半导体芯片行业的投入，加大在以SiC为代表的第三代半导体功率器件等产品的研发力度，以进一步满足公司后续战略发展需求。2025年，公司投资的SiC芯片工厂通过IDM模式实现650V/1200V/1700V的SiC MOS产品从第二代升级到第三代。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市场份额持续增加，当前各类产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车、光伏、充电桩、储能、工业电源等领域。

高测股份：2026年5月12日公司在互动平台披露，在碳化硅领域，公司已布局碳化硅金刚线切片机、碳化硅倒角机及碳化硅减薄机产品，已具备为客户提供切倒磨一体化解决方案能力。公司碳化硅金刚线切片机及碳化硅金刚线已获得天岳先进等客户订单。

芯联集成：2026年6月4日公司在互动平台披露，根据Yole发布的2025年碳化硅（SiC）业务排名，公司是中国SiC器件厂商中位居第一的企业。2025年公司碳化硅业务实现同比快速增长，跻身全球前五。

力源信息：2026年6月26日公司在互动平台披露，基于第三代半导体的性能优势，公司于2022年开始布局碳化硅产品，代理的上游芯片原厂主要有ON（安森美）、ST（意法半导体）、ROHM（罗姆）、华为海思等品牌，并于2023年与ON（安森美）成立了碳化硅联合实验室，搭建多个测试平台，为原厂和下游客户提供技术支持及测试服务，重点推进碳化硅产品的市场应用。公司在新能源汽车、储能及AI电源行业布局多年，2026年以来，碳化硅产品销售额较去年同期有较大增长。

瑞纳智能：公司全资子公司合肥高纳半导体科技有限责任公司主要从事第三代半导体SiC单晶生长和设备研发、SiC衬底加工、SiC外延片的研发生产和销售。公司目前的主要业务重心在推动8英寸碳化硅的晶体生长的良率提升和设备的优化升级改造，以获取更高质量的SiC衬底片和稳定的设备一致性。