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航天军工：（1）2016年5月，中央军委颁发《军队建设发展“十三五”规划纲要》。规划纲要明确，要按照新体制新职能新使命，统筹推进思想政治建设、力量结构调整优化、武器装备发展、现代后勤建设、战场建设、信息基础设施、军事训练和部队管理、国防动员、国际军事合作、军事理论法规和国防科技创新、改革配套建设、军民融合发展等方面建设和工作。 （2）2017年国防科技工业工作会议指出，2017年是推进国防科技工业改革发展、实施“十三五”规划的关键年。要求重点抓好武器装备科研生产、军工核心能力建设向体系效能型转变、打造国家科技创新高地、国防科技工业改革加快破题、军民融合深度发展率先突破、军贸与国际合作再上新台阶等方面的工作。 （3）2017年初，中央军委装备发展部深入研究拟制了《推进装备领域军民融合深度发展的思路举措》，围绕创新制度机制、降低准入门槛、完善信息交互、培育竞争环境、强化监督管理等五个方面，提出１２条举措和４５项任务，作为年底前推进装备领域军民融合深度发展的重要抓手。

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中盘：（1）选取每日收市后既不属于大盘，也不属于小盘的作为中盘的次日成份股予以调入。

特高压：特高压能大大提升我国电网的输送能力。据国家电网公司提供的数据显示，一回路特高压直流电网可以送600万千瓦电量，相当于现有500千伏直流电网的5到6倍，而且送电距离也是后者的2到3倍，因此效率大大提高。此外，据国家电网公司测算，输送同样功率的电量，如果采用特高压线路输电可以比采用500千伏高压线路节省60%的土地资源。

直流输电：直流输电是新型电力系统的主线之一，相较交流输电，其具备经济和技术优势。其中，柔性直流输电是最近几十年发展起来的新型直流输电技术，由于其响应速度快、可控性好、占地规模小等特点，成为目前国际上适应性较好的输电技术

碳化硅：（1）碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域；

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料；

电子设备：(1)电子设备包括计算机、通信和其他电子设备制造业等。 (2)中国电子元件“十二五”规划:2011年7月12日电子元件协会发布《中国电子元件“十二五”规划》。未来五年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，年均增长10%。规划提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860亿美元，年均增长10%。 (3)国务院电子产业规划：国务院正式发布《电子信息产业调整和振兴规划》，提出目标：产业发展对GDP增长的贡献不低于0.7个百分点，三年新增就业岗位超过150万个，软件和信息服务收入比重将从12%提高到15%。三大任务：确保计算机、电子元器件、视听产品等骨干产业稳定增长；突破集成电路、新型显示器件、软件等核心产业的关键技术；在通信设备、信息服务、信息技术应用等领域培育新的增长点。七大举措：落实扩大内需措施、加大国家投入、加强政策扶持、完善投融资环境、支持优势企业并购重组、进一步开拓国际市场、强化自主创新能力建设。 (4)“十三五”规划纲要中指出，实施国家大数据战略。把大数据作为基础性战略资源，全面实施促进大数据发展行动，加快推动数据资源共享开放和开发应用，助力产业转型升级和社会治理创新。全面推进重点领域大数据高效采集、有效整合，深化政府数据和社会数据关联分析、融合利用，提高宏观调控、市场监管、社会治理和公共服务精准性和有效性。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高

芯片：（1）根据《国家集成电路产业发展推进纲要》，到 2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%，企业可持续发展能力大幅增强。移动智能终端、网络通信、云计算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平，产业生态体系初步形成。16/14nm制造工艺实现规模量产，封装测试技术达到国际领先水平，关键装备和材料进入国际采购体系，基本建成技术先进、安全可靠的集成电路产业体系。