要点一: 所属板块 半导体 湖北板块 专精特新 创业板综 深股通 融资融券 IGBT概念 第三代半导体 湖北自贸 半导体概念 氮化镓 国产芯片
要点二: 经营范围 一般项目:半导体分立器件制造,货物进出口,半导体分立器件销售,电力电子元器件制造,电力电子元器件销售,电子元器件制造,集成电路芯片及产品制造,集成电路芯片及产品销售,集成电路芯片设计及服务,工程和技术研究和试验发展,机械电气设备制造,机械电气设备销售,通用设备制造(不含特种设备制造),专用设备制造(不含许可类专业设备制造),电子专用设备销售,技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广。(除许可业务外,可自主依法经营法律法规非禁止或限制的项目)许可项目:检验检测服务。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动,具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)
要点三: 主营业务 公司主营功率半导体器件的研发、制造、销售及服务，主要产品为大功率晶闸管、整流管、IGBT、电力半导体模块、脉冲功率开关等功率半导体器件及组件，广泛应用于工业变频器、电机驱动、高功率电源、数字能源、智能电网、轨道交通、新能源等电气系统和工控设备领域。公司采用垂直整合（IDM）一体化的经营模式，具备自主技术的芯片设计、制程、封装、测试完整产业链及研发中心；产品销售采取直营销售和区域经销相结合的模式，营销渠道通畅，市场地位稳定。
要点四: 功率半导体器件产业 功率半导体是电力电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电力电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体已广泛应用于消费电子、工业制造、电力输配、交通运输、航空航天、新能源等重点领域。目前国内功率半导体产业链日趋完善,关键技术持续取得突破。中国是全球最大的功率半导体消费国,伴随国内功率半导体行业进口替代的发展趋势,未来中国功率半导体行业将继续保持增长。
要点五: 核心竞争力 （一）经营模式 公司主营业务为功率半导体器件，服务于电力电子应用领域，采用垂直整合（IDM）一体化模式（晶圆+芯片+封装+测试），拥有完整的产品开发到销售的运作流程，能够快捷有效地适应国产替代和市场需求。 （二）技术创新 公司具有自主可控的功率半导体产品设计和制造技术，建有完整的晶圆制程、芯片制程、封装测试一体化产线。公司拥有半导体技术专利61项（其中发明专利13项）和多项专有技术，近几年主持和参与起草30余项国际标准、国家标准和行业标准。 （三）质量控制 公司运行ISO9001、ISO14001、ISO45001和ISO22163管理体系，产品采用国际先进标准，符合国家和行业标准要求；通过RoHS、UL等安规检测或认证，得到国内外电力电子设备和系统客户的认可和高度评价。 （四）市场优势 公司产品广泛应用于工业变频器、电机驱动、高功率电源、数字能源、智能电网、轨道交通、新能源等电气系统和工控设备领域，与众多电力电子应用领域的龙头和骨干企业保持长期稳定合作，在同业中具有明显的比较优势，在大功率半导体应用领域具有良好的品牌效应，主导产品市场占有率保持细分领域前列。 （五）产能优势 公司拥有完整的大功率半导体器件生产线，产能规模强大，是国内大功率半导体器件主要提供者之一。公司产品规格齐全，客户分布广泛。公司通过技术改造和流程优化扩大生产规模，改进工艺流程，提升产品良率，降低生产成本。 （六）报告期，公司取得实用新型专利1项。专利的取得有利于公司保持技术领先水平，提升公司核心竞争力。
要点六: 恒远鑫达拟战略入股 持股比例为3%-5% 2018年11月19日公告,公司和恒远鑫达科技集团有限公司(以下简称恒远鑫达)及深圳海德复兴资本管理有限公司(以下简称海德资本)为促进三方的业务合作发展,经友好协商,于2018年11月19日在北京签署《战略合作协议》。根据合作协议,恒远鑫达或其关联方拟以直接或间接方式投资入股台基股份,初步确定持股比例为3-5%,入股方式包括但不限于协议转让、大宗交易、二级市场集合竞价、参与定向增发等法律法规允许的方式。同时,恒远鑫达或其关联方将作为台基股份、海德资本发起设立的台基海德基金的战略性LP,出资入股台基海德基金。台基海德基金的管理人可将该笔出资用于投资半导体、集成电路或符合基金投向的其他项目。公司表示,本次引入的战略合作方恒远鑫达,基于对半导体行业及公司发展战略的认可,可能会在上市公司股权层面、基金投资、半导体项目建设等方面和公司开展合作,共同做大做强。
要点七: 筹划非公开发行股票事项 2019年3月13日公告,公司正在筹划非公开发行股票事项。本次非公开发行的股票数量拟按照募集资金总额除以发行价格确定,发行股份数量不超过本次发行前公司总股本213,120,000股的20%,即不超过42,624,000股。募集资金拟用于新型高功率半导体器件产业升级项目:月产4万只IGBT模块(兼容MOSFET等)封测线,兼容月产1.5万只SiC等宽禁带半导体功率器件封测;月产6500只高功率半导体脉冲功率开关生产线;晶圆线改扩建项目;新型高功率半导体研发中心、营销中心。