IGBT概念股票|IGBT板块龙头股资金流向(实时)

东微半导：2023年，公司转换TGBT(创新型 IGBT产品)竞争策略，加大TGBT大功率产品研发投入力度，积极拓展除微型逆变器及储能之外的其他光储、电站应用场景，并配合终端IGBT模块厂商进行电站、新能源汽车主驱的客户导入、产品验证工作，获得最终客户的好评。公司E系列高速TGBT产品被批量应用于60kHz频率电源系统，实现高速IGBT领域的国产替代。L系列TGBT实现了极低的Vcesat，对国外的超低VcesatIGBT实现了替代。此外，公司TGBT产品在300KW以上的大功率储能应用领域亦进入认证阶段。公司研发的基于TGBT技术的高速大电流功率器件600/650VHybrid-FET开发成功，出货量迅速增加，其高性能得到了市场的认可。公司1200V第二代TGBT技术在效率与成本方面都得到了进一步提升，开发出1200V100A、140A和150A单管产品，可以替换国际领先的1200V产品。

锋龙股份：2020年3月27日公司在互动平台披露：公司所拥有的专利名称为“一种用于 IGBT 并联均流电路的滤波电感”，主要应于逆变器产品的研发、生产。逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电的转换器，广泛应用于汽车、轮船和飞机等交通工具上，为交流电器提供电源，也可以在无电或停电情况下与其他发电设备一起为用户提供交流电源，还可以应用于消防应急电源、便携大容量移动电源上。 该专利技术，主要是采用两个磁芯串联产生较高的电感值，满足对大电感值的使用需求。通过磁芯的互感作用，实现了IGBT并联电路的均流，提高了IGBT的工作可靠性，避免器件损坏，从而提高可靠性，为大功率逆变器提供稳定输出保障。

利欧股份：2020年8月，公司及全资子公司福建平潭元初投资有限公司（简称“平潭元初”）与上海众挺智能科技有限公司（简称“众挺智能”）签署了《合资协议书》，各方将就IGBT芯片及模组生产项目以合资公司的形式开展合作。本项目产品包括DISCRETE、IPM、PIM等封装的工业级、车规级IGBT及使用碳化硅及氮化镓材料的IGBT（最前沿的IGBT半导体材料技术），还可根据客户需求定制各类工业级及车规级IGBT，重点应用于高端制造、新能源（风电、光伏发电）、轨道交通、新能源汽车、国防军工等领域。本项目一期工程计划投资3条生产线，预计投资额为4.5亿元人民币。第一条生产线预计在合资公司设备到厂后6个月实现量产。

骄成超声：公司已经推出超声波铝线键合机、超声波铜线键合机、超声波端子焊接机、超声波 Pin 针焊接机、超声波扫描显微镜等超声波应用解决方案，上述产品目前主要应用在功率半导体封测工序，已经实现国内多家客户订单导入。在该领域，公司与上汽英飞凌、中车时代、振华科技、宏微科技、士兰微、芯联集成、长飞半导体等行业内知名企业保持良好合作。报告期内，公司第三代超声波扫描显微镜结合AI智能算法，借助人工智能算法实现优秀的特征提取能力，可以自适应提取并识别缺陷、自动计算缺陷尺寸（如自动计算空洞率）、筛选合格或不合格产品，有效解决传统检测方式的局限性，提升了检测缺陷的准确性和效率。另外，公司可应用于半导体晶圆、2.5D/3D封装、面板级封装等产品检测的先进超声波扫描显微镜，已成功获得国内知名客户验证性订单。公司的超声波扫描显微镜广泛应用于半导体晶圆、芯片、2.5D/3D封装、IGBT模块/SiC器件、基板（陶瓷DBC/金属板AMB）和锂电池等产品的检测。

科瑞技术：2023年2月7日公司在互动平台披露：公司目前主要开发了IGBT功率半导体相关的晶圆、辅料及相关工装的贴装及组装设备，公司将持续积累相关应用技术、积极拓展半导体相关设备的业务。

燕东微：公司为了应对激烈的市场竞争，不断加大新产品研发力度，逐步实现从面向消费类电子市场为主调整为面向新能源、工业、汽车等新领域为主，具体情况如下：8英寸生产线：2023年IGBT和FRD等新工艺平台产品通过了国内头部车企客户的可靠性认证，实现了稳定量产，公司产品正式进入车规级市场。MOS、BCD等工艺平台持续稳定量产，良率保持在98%以上；12英寸生产线：2023年内完成首款高密度功率器件产品的可靠性认证，良率持续提升；第二款产品完成样品开发并提交客户可靠性验证，正在小批量流水；6英寸SiC生产线：本年度SiC基业务板块稳步发展，1200VSiCMOS器件产品已产出合格样品，各项参数合格，提交客户验证。

中微半导：功率器件又叫功率分立器件，是在电力控制电路和电源开关电路中必不可少的电子元器件，主要用于电子电力的开关、功率转换、功率放大、线路保护等。MOSFET和IGBT的推出，集高频、高压、大电流于一身，使功率器件的应用从单一的电力领域迅速渗透到消费电子、汽车电子、新能源、变频家电等各大领域。功率器件属于模拟电路，相对于数字电路，开发难度较大，需要有长期的技术积累。公司早在2013年第一款1350V沟槽型终止IGBT就实现量产。目前，公司推出新一代的SGTMOS、IGBT和CSPMOS，丰富了公司的产品系列，提升了公司一站式整体解决方案的能力。

华润微：2024年上半年，IGBT产品线在工业（含光伏）、汽车电子领域销售占比超过70%。充电桩市场头部客户稳定供货，并且导入多个新客户。车规产品批量供应给汽车电子动力总成、热管理、OBC等应用领域Tier1厂家。加快平台迭代升级与产品开发，依托公司先进的微沟槽工艺推出650VR版全系列产品，产品性能达到国际主流产品水平，完成市场端批量供应。在行业内率先推出750V高性能产品，实现光储市场批量交付。

芯联集成：功率控制包含IGBT、MOSFET（包含SiC）芯片及模组：中低压MOSFET产品覆盖车载、工控、消费多个领域，电压平台覆盖12V~200V,高压MOSFET多次外延及深沟槽工艺两个平台，产品应用于OBC、充电桩、光伏等领域。持续推动IGBT晶圆产品产能上量至8万片/月，8英寸产线总产能上量至17万片/月；12英寸晶圆产品设计产能1万片/月（等效8英寸产能2.25万片/月）；SiCMOSFET已大规模进入量产，出货至年底已上量5000片/月以上，3年时间已开发三代产品，第二代芯片产品进入量产，助力国产新能源汽车快速发展。

民德电子：参股28.57%的芯微泰克聚焦于先进功率器件所需特种工艺的晶圆代工，主要面向先进功率半导体器件的薄片/超薄片背道系列结构化工艺、重金属掺杂系列工艺、特殊金属工艺等。自2023年12月底投产通线以来，芯微泰克产线调试及量产工作快速推进，陆续与二十多家国内知名半导体设计公司和晶圆代工厂建立合作，并与其中几家企业建立长期战略合作，得到行业主流客户认可。截至目前，芯微泰克已量产括6/8英寸的IGBT、SGT、MOSFET等功率器件背道工艺等多类产品，产品的产销量稳步提升，并计划2025年开发包括8英寸重金属掺杂工艺、SiC薄片背道工艺等多种新工艺。2024年，芯微泰克顺利通过了ISO9001:2015质量管理体系和ISO27001:2022信息安全管理体系双重认证，并于2025年3月通过了IATF16949汽车行业质量管理体系认证，具备了车规级功率器件的生产能力。

英搏尔：2024年8月19日公司在互动平台披露，公司驱动总成和电源总成产品构建了从A00级至B级车型的产品矩阵，功率覆盖全系车型。随着我国车规级芯片国产化的推进，公司在功率芯片IGBT、控制芯片MCU等领域有积极推进国产化替代，取得了较好成绩。

宏微科技：1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证，并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计，通过了HV-H3TRB可靠性测试，贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景，重点开发了1700VIGBT&FRD芯片，已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线，以满足不同应用领域需求。

赛伍技术：目前公司消费电子产品主要应用于智能手机、平板设备、笔电和智能化穿戴设备等领域。显示材料：针对OLED显示技术，公司形成具有高门槛的产品矩阵，其中包括OLED切割用上/下保护膜、OLED支撑膜。针对MicroLED显示技术，具有MicroLED用PI硅胶保护膜、针对MiniLED显示技术，具有MiniLED制程针刺UV膜等材料。公司产品在IGBT半导体方面的应用有耐高温热固型绝缘胶膜和铜基热固型散热片。

扬杰科技：公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件设计、制造、封装测试等中高端领域的产业发展。公司主营产品主要分为三大板块，具体包括材料板块（单晶硅棒、硅片、外延片）、晶圆板块（5吋、6吋、8吋硅基及6吋碳化硅等各类电力电子器件芯片）及封装器件板块（MOSFET、IGBT、SiC系列产品、整流器件、保护器件、小信号及其他产品系列）。产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域，为客户提供一站式产品、技术、服务解决方案。公司注册地址为江苏扬州维扬经济开发区。

斯达半导：公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案，产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等，广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

士兰微：2023年，公司IGBT（包括IGBT器件和PIM模块）的营业收入已达到14亿元，较去年同期增长140%以上。基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货；公司用于汽车的IGBT器件（单管）、MOSFET器件（单管）已实现大批量出货，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时，公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售，并在进一步拓展客户和持续放量过程中。公司已完成第Ⅲ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块，已通过部分客户测试，已在2024年一季度开始实现批量生产和交付，预计全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块的销售额将达到10亿元人民币。公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽车级功率模块（PIM）产能的建设。

博敏电子：公司与合肥经开区管委会签署《投资协议书》在经开区内投资博敏陶瓷衬板及IC封装载板产业基地项目，该项目投资总额约50亿元人民币，建设IGBT陶瓷衬板及IC封装载板生产基地，主要从IGBT陶瓷衬板，以及针对存储器芯片、微机电系统芯片、高速通信市场及MiniLED领域的封装载板产品。2023年6月29日，公司在合肥设立了全资子公司合肥博睿智芯微电子有限公司，注册资本5亿元。

闻泰科技：公司在二极管/晶体管、ESD和中低压MOSFET等传统产品线保持一向稳健的市场表现，为公司贡献了稳定的现金流，有力支撑了公司在中高压MOSFET、IGBT、GaN、SiC和更多的模拟IC产品的研发。在三代半领域，公司实现了GaN产品D-M系列产品工业和消费领域的销售，同时E-M产品通过所有测试认证，于2024年开始销售，奠定了安世在GaN领域的行业地位；公司实现了SiC整流管的工业消费级的量产和MOSFET的工业消费级的测试验证，为2024年SiC工业和消费的量产打下了坚实的基础，SiC MOSFET产品线的建立，让公司进入三代半1200V高压市场，拓展新的增长空间。公司去年开始建设的8寸SiC及GaN产线目前已完成设备进场；在模拟芯片产品中，公司围绕AI电源及车规应用两大核心应用场景，近期密集发布系列新产品，并加快客户认证导入；预计2025年底公司将实现超过200颗模拟芯片量产料号。

钱江摩托：公司控股的无锡维赛公司主营大功率半导体功率器件与集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销。该公司开发和生产的主导产品为半导体功率器件和功率集成电路：高低压MOSFET、第五代大功率IGBT(600V—6500V)芯片及模块、光控大功率发射级关断晶闸管(ETO，4500V/4000A)等领域。

新洁能：相比于去年同期，2023年变动较大。随着整体经济环境的变化以及季节气温的回暖等，2023年内光伏储能海外市场的需求出现部分下滑，同时国内外IGBT产品供应商的产能增加，市场的供需关系发生一定变化。面对市场现状，公司一方面保持与阳光电源、固德威、德业股份、上能电气、锦浪科技、正泰电源等头部客户的紧密合作，及时了解市场波动及客户需求情况，提供更具性价比的合作方案；另一方面加强新产品的开发，积极推动更多大电流单管IGBT和模块产品的放量进度，在保证光伏储能领域的国产IGBT单管龙头地位的同时，推动公司的IGBT模块产品在光伏储能领域的快速推广。预计2024年光伏储能需求会有所回暖，将有力支撑公司业绩的进一步向好。