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IGBT概念股票|IGBT板块龙头股资金流向(实时)

 
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IGBT ( 板块 994563 )
14692.35 +2.35 %
BBD: 7.56亿   成交额:420.12亿  开盘:14496.66  最低:14496.66  最高:14811.9  振幅:2.17%  更新时间:2026-05-11
DDX: 0.046   DDY: -0.107   特大单差: 1.5   大单差: 0.3   中单差: -3   小单差: 1.2   单数比:0.935  通吃率: 1.80%
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IGBT概念股介绍
龙头公司介绍(入选板块理由)

科威尔:公司作为国内IGBT测试装备的头部企业,通过持续技术创新和产品迭代升级,凭借着产线级测试解决方案在国产品牌中取得一定市场占有率,并借助自动化的配套能力,逐步向封测装备领域延伸,同时,公司前瞻性布局SiC模块测试系统,为第三代半导体产业发展做好了技术储备。

骄成超声:在检测超声领域,公司超声波扫描显微镜可广泛应用于新能源电池、IGBT功率模块、电子元器件、液冷板、金刚石复合片、陶瓷基板、半导体芯片、晶圆等各类工件的内部缺陷检测。公司先进超声波扫描显微镜针对工件内部缺陷检测精度达到微米级,可检测胶水固化不均、晶圆硅片键合不良等情形。

长电科技:在汽车电子领域,公司设有专门的汽车电子事业中心,通过整合集团车规市场,销售,技术,生产等优势资源,搭建汽车芯片封装整体解决方案平台,站在客户视角,充分理解客户,满足客户需求,以此规划和运营汽车电子业务,依托多年持续耕耘的封装技术,积极与Tire1/OEM厂商建立战略伙伴关系,并制定多样化产品路线图,为客户提供更多样,更有价格竞争力的车规芯片封测解决方案,持续扩大业务版图,实现在汽车电子领域的迅速拓展,产品类型已覆盖智能座舱、智能网联、ADAS、传感器和功率器件等多个应用领域。公司已加入国际AEC汽车电子委员会,是中国大陆第一家进入的封测企业。公司海内外六大生产基地工厂全部通过IATF16949认证(汽车行业质量管理体系认证)。本报告期,公司于上海临港成立合资公司长电汽车电子,并进一步联合产业基金二期、上海国资经营公司、上海基金二期等向长电汽车电子增资至48亿元,在上海临港新片区加速打造大规模高度自动化的生产车规芯片成品的先进封装基地。

新洁能:公司秉持长期主义理念,聚焦全球能源结构转型趋势,IGBT及MOSFET产品精准定位于光伏及储能应用场景,深度服务阳光电源、德业股份、上能电气、固德威、科华数据等头部客户。为满足客户多样化需求,公司在光伏储能市场同步布局功率模块、大电流单管及SiC产品,并针对微型逆变器、阳台储能、户用储能及工商业光储系统等细分应用场景进行精细化市场拓展。得益于上述布局以及下游客户的强需求,公司在该领域的销售规模预计将实现稳步增长。2025年,公司第七代IGBT产品进入批量供货阶段,第八代IGBT产品亦实现市场销售,在光储、工业变频、伺服驱动等领域获得客户认可,逐步形成销售规模。另,2021年5月,公司在互动平台表示,公司产品应用于太阳能发电(锂电池保护、逆变器)、风能发电(逆变器)、储能电站(充电系统、逆变器、锂电池保护)等。

斯达半导:公司主营业务是以IGBT、SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴,在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司,并在国内和欧洲均设有研发中心。公司长期致力于为高能效、绿色化和智能化应用提供全面的半导体及系统解决方案,产品组合覆盖IGBT、SiCMOSFET、GaNHEMT、快恢复二极管等功率半导体器件以及汽车级与工业级MCU、栅极驱动IC芯片等,广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制与电源、白色家电、AI服务器电源、数据中心、机器人及低空/高空飞行器等领域。

宏微科技:1000V/1200VM7U芯片已完成开发和认证,并形成量产。与之对应的FRD芯片也通过新的终端设计,通过了HV-H3TRB可靠性测试,贴合风光储领域对器件抗潮能力的要求。针对风电应用场景,重点开发了1700VIGBT&FRD芯片,已经通过了国内主流厂商的整机测试并开始小批量。公司正在积极拓展新能源产品线,以满足不同应用领域需求。

振华科技:2025年7月30日公司在互动平台披露,公司全资子公司具有IGBT产品的独立设计、研制、开发、生产以及检试验能力,建有高可靠IGBT功率模块封装生产线,IGBT分析测试及可靠性试验平台和IGBT功率模块应用测试平台。2022年5月9日公司在互动平台披露,公司IGBT芯片可应用于新能源车。

苏州固锝:公司自成立以来,专注于半导体分立器件和集成电路封装测试领域,目前已经拥有从产品设计到最终产品研发、制造的整套解决方案,在二极管制造方面具有世界一流水平,整流二极管销售额连续十多年居中国前列。公司拥有多类半导体功率分立器件、多规格晶圆及集成电路的封装测试技术和智能化生产线,产品主要包括整流二极管、肖特基二极管、TVS、ESD保护二极管、开关二极管、稳压二极管、三极管、MOSFET、IGBT、SiC器件、整流桥堆、光伏旁路模块、无引脚集成电路、及MEMS传感器等,共有50多个系列、7000多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、逆变储能、清洁能源、绿色照明、IT、工业家电、各类电源模块、以及消费类电子等许多领域。

芯联集成:功率器件产品包含 IGBT、MOSFET、SiC MOSFET 芯片及模组,应用于车载、工控、消费、服务器电源等多个应用领域。公司是中国最大的车规级IGBT生产基地之一,同时公司在SiCMOSFET出货量上稳居亚洲前列,是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业,2025年公司8英寸碳化硅已经实现量产出货。根据Yole发布的2025年碳化硅(SiC)业务排名,公司是中国SiC器件厂商中位居第一的企业。公司是国内仅有的两家能够供应超高压IGBT 的企业之一,通过与行业领先企业南瑞半导体深度合作,超高压功率器件产品已覆盖3300V至 6500V 的电压范围。其中 4500V 的 IGBT 产品已成功实现量产并挂网运行;同时双方正在合作研发性能更高的下一代碳化硅功率模块,致力于构建更智能、更坚韧的电网芯片方案。

中微半导:公司在55纳米至180纳米CMOS、90纳米至350纳米BCD、双极、SGTMOS和IGBT等工艺上持续研发投产,并逐步向40纳米、22纳米等更高制程迈进;产品包括8位、32位MCU、SoC、ASIC、NOR Flash等芯片以及功率器件,产品门类齐全,性价比优势明显,在小家电、消费电子等领域竞争力显著,市场认可度高;在汽车电子领域增长迅猛,车规级MCU出货量同比增长超100%。据弗若斯特沙利文对MCU进行详细分析,2014年公司MCU产品以出货量计在国内厂商排名第一,以收入计在国内厂商排名第三。2025年,各类产品出货量持续增加,全年MCU出货量超36亿颗,同比增长超过50%,其中8位机出货量超过33亿颗,市场份额稳居国内厂商龙头;32位机出货量约3.0亿颗,市场份额持续扩大。

华润微:2025年,IGBT在工业(含光储)、汽车电子领域销售占比超过70%。在充电桩市场,实现头部客户稳定供货,并成功导入多家新客户。其中,车规级IGBT产品批量供应汽车电子动力总成、热管理、OBC等领域头部客户及Tier1厂商;电动工具市场已完成头部客户批量交付;公司率先推出750V高性能IGBT产品,在光储市场实现稳步上量。同时,基于12吋生产线研发的新一代G7平台规模量产,产品性能达到国际一流水平。

士兰微:2023年,公司IGBT(包括IGBT器件和PIM模块)的营业收入已达到14亿元,较去年同期增长140%以上。基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在比亚迪、吉利、零跑、广汽、汇川、东风、长安等国内外多家客户实现批量供货;公司用于汽车的IGBT器件(单管)、MOSFET器件(单管)已实现大批量出货,公司用于光伏的IGBT器件(成品)、逆变控制模块、SiC MOS器件也实现批量出货。同时,公司应用于汽车主驱的IGBT和FRD芯片已在国内外多家模块封装厂批量销售,并在进一步拓展客户和持续放量过程中。公司已完成第Ⅲ代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块,已通过部分客户测试,已在2024年一季度开始实现批量生产和交付,预计全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块的销售额将达到10亿元人民币。公司正在加快汽车级IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片和汽车级功率模块(PIM)产能的建设。

燕东微:高密度功率器件工艺平台:突破多项关键技术,完成低压SGT、TrenchNMOS(0.7umpitch)、650VIGBT等多个工艺平台搭建,导入上百款芯片,数十款产品交付客户验证;IGBT工艺平台:完成全流程开发和工艺固化,典型产品通过1000h可靠性评测。

国电南瑞:2023年报披露,4500V/3000A IGBT在张北延庆换流站挂网,1700V及1200V IGBT器件在客户端实现批量应用,1200V碳化硅器件在光伏、充电桩等领域规模化应用。国内首套海上风电柔直控保系统在江苏如东投入运行。完成德国北海海上风电柔性直流输电项目换流阀和耗能装置样机试制。自主研制的12MW海上全功率风电变流器应用于百万千瓦级大容量风机粤电阳江青洲海上项目,首批机组实现一次性上电并网成功。瑞腾系列产品推广至27家网省公司。新型台区智能融合终端、新一代智能新能源全景监控终端、移动式边缘计算装置实现推广应用。

澄天伟业:公司围绕功率半导体产业链关键环节,依托自身在封装材料设计、生产与实验室验证方面的技术积累,持续深化在半导体封装材料领域的布局,构建从产品设计、材料开发到制造交付的一体化能力体系。2024年,公司已实现引线框架的自主设计与量产落地,产品可覆盖MOSFET、IGBT、SiC及功率模块的封装需求。同时,公司已完成铜针式散热底板产品的技术研发与产线筹备,具备批量交付前的小批量生产能力,为后续扩展碳化硅功率模块等第三代半导体器件的封装材料打下基础。公司通过IATF16949认证,公司封装材料产品,面向新能源汽车、数字能源等关键应用领域,未来将在产品可靠性、散热效率与系统集成方向持续发力,打造具备技术壁垒与平台化能力的核心业务板块。

英搏尔:2024年8月19日公司在互动平台披露,公司驱动总成和电源总成产品构建了从A00级至B级车型的产品矩阵,功率覆盖全系车型。随着我国车规级芯片国产化的推进,公司在功率芯片IGBT、控制芯片MCU等领域有积极推进国产化替代,取得了较好成绩。

东微半导:公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新,该自主专利技术为基础的TGBT产品系列已经进入稳定的量产交付阶段,性能达到了国际先进的七代IGBT芯片性能。2024年,公司推出了性能更为优化的650V-1200V系列产品,多款高速TGBT产品批量供应于新能源车载充电器领域。基于950V平台产品的330KW功率模块已经批量用于国内一线厂商的光伏发电方案;下半年新研发出多款1200V短路性能优良的规格型号,已经通过部分工业电机及光伏逆变类客户验证并进入批量交付阶段。

捷捷微电:公司主营产品为各类电力电子器件和芯片,分别为:晶闸管器件和芯片、防护类器件和芯片(包括:TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等)、二极管器件和芯片(包括:整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等)、晶体管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、IGBT器件、光耦、模块及组件、碳化硅器件等。公司晶闸管系列产品、二极管及防护系列产品采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式,即集功率半导体芯片设计、制造、器件设计、封装、测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体。公司MOSFET及IGBT系列产品采用垂直整合(IDM)一体化的经营模式和少部分产品的委外流片相结合的业务模式,目前,部分芯片为委外流片,部分器件封测代工。

福赛科技:公司的控股子公司福赛宏仁作为嵌件成型领域的高新技术企业,专注于汽车电驱与电控系统产品的技术研发与制造。截至目前产品已配套日产、宝马、丰田、本田、奇瑞、比亚迪、长城、沃尔沃等主机厂,主要服务于日立Astemo、汇川联合动力、爱信中国、富士电机、田村制造所、Sanken电气、比亚迪、瑞迪微电子、臻驱科技等Tier1客户。产品涵盖IGBT CASE、汇流排(Busbar)、SIC模块侧框、电流传感器、泵体、电抗器等,广泛应用于新能源电驱系统、混动控制单元及车载电源模块。福赛宏仁拥有完善的研发与制造体系,配备智能化生产线,客户网络覆盖中国、日本、墨西哥及泰国等全球主要汽车市场。

扬杰科技:IGBT产品方面,基于Fabless+自主IDM模式,在8吋、12吋平台完成了1.6/2.2um pitch 微沟槽 650V 30A160A,1200V 15A-200A IGBT芯片全系列的开发和优化迭代,并在客户端已实现全系列批量出货。新能源的光储充应用方面,已经有6个型号(其中新增N3,N4两个型号)应用于60KW-320KW功率段,涵盖电压650/1000/1200V、电流160-600A的I型和T型三电平拓扑结构模块产品已完成上架。车规单管方面,公司利用自身具备的车规级功率器件封装线,在PTC、压缩机控制器应用领域,大批量交付车企及Tier1客户。2025年公司IGBT产品重点布局新能源汽车、储能、工控、光伏逆变等应用领域,销售额不断增长,市场份额逐步提升,已逐步成为集芯片设计和模块封装的重要参与者。

龙头公司介绍(入选板块理由)
行情数据
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
1688551科威尔 分时 日线 板块
2688392骄成超声 分时 日线 板块
3600584长电科技 分时 日线 板块
4605111新洁能 分时 日线 板块
5603290斯达半导 分时 日线 板块
6688711宏微科技 分时 日线 板块
7000733振华科技 分时 日线 板块
8002079苏州固锝 分时 日线 板块
9688469芯联集成 分时 日线 板块
10688380中微半导 分时 日线 板块
11688396华润微 分时 日线 板块
12600460士兰微 分时 日线 板块
13688172燕东微 分时 日线 板块
14600406国电南瑞 分时 日线 板块
15300689澄天伟业 分时 日线 板块
16300681英搏尔 分时 日线 板块
17688261东微半导 分时 日线 板块
18300623捷捷微电 分时 日线 板块
19301529福赛科技 分时 日线 板块
20300373扬杰科技 分时 日线 板块
序号股票代码名称|自选股1|自2|自3|查股数据
行情数据DDE数据资金单数单差数据特大(%)大单(%)小单(%)通吃率(%)主动率(%)
最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
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最新价涨幅换手率量比DDXDDYDDZ5日10日连续连增成交量(万元)BBD(万元)单数比买入卖出特大差大单差中单差小单差买入卖出买入卖出买入卖出通吃率1日通吃率5日通吃率10日通吃率20日主动率1日主动率5日主动率10日流通盘(万股)
IGBT概念板块解析(994563) IGBT龙头股概念股一览
IGBT是指绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件。
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