华润微概念题材|华润微所属行业地域板块

大基金：大基金的全称为国家集成电路产业投资基金股份有限公司，大基金一期2014年9月设立，大基金二期于2019年10月22日成立。本概念板块选取与大基金相关的上市公司予以入选，包括但不仅限于大基金持股等。

MSCI中国：MSCI中国指数（MSCI China Index）是由摩根士丹利资本国际公司（MSCI）编制的一系列指数，旨在跟踪相关概念股票的表现。

半导体：半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路(IC)、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以IC领域的占比和技术难度最高。

汽车芯片：随着汽车电动化、智能化和网联化提速，芯片应用大幅提升。目前，汽车芯片已广泛应用于动力、车身、座舱、底盘和安全等诸多领域。

MCU：MCU（微控制器）是海量电子设备的基础控制芯片，有研究机构指出，受益需求旺盛和技术升级，MCU赛道持续繁荣。

集成电路：集成电路产业包括设计、制造、封装测试三个环节，是整个电子行业的基础。近年来，半导体集成电路产业呈现出芯片供应短缺，更新速度加快，细分市场竞争激烈等特点。

扇出型封装：先进封装是指前沿的封装形式和技术，包括倒装芯片（FlipChip，FC）封装、晶圆级封装（WaferLevelPackage，WLP）、2.5D封装、3D封装、Chiplet（芯粒）、系统级封装（SiP）等。其中，晶圆级封装主要分为扇入型晶圆级封装和扇出型晶圆级封装。

芯片：芯片是集成了许多晶体管、电容、电阻、电感等元器件以及相关的电路，用来实现某种特定的功能，具有高度集成和小型化的特点。

基金重仓：选取上市公司前十大股东或者前十大流通股东中证券投资基金个数超过3个及以上，或者十大流通股东中证券投资基金累计持股比例超过50%的予以入选。

中盘：选取每日收市后既不属于大盘，也不属于小盘的作为中盘的次日成份股予以调入。

融资融券：融资融券是指，投资者向具有融资融券业务资格的证券公司提交保证金，借入资金买入上市证券（融资交易），或借入上市证券并卖出（融券交易）的行为。

碳化硅：碳化硅（SiC），一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质，碳化硅电力电子器件可广泛用于国民经济的各个领域。

电子设备：(1)电子设备包括计算机、通信和其他电子设备制造业等。 (2)中国电子元件“十二五”规划:2011年7月12日电子元件协会发布《中国电子元件“十二五”规划》。未来五年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，年均增长10%。规划提出，到2015年，我国电子元件行业销售收入总额达到1.88万亿元，占我国电子信息产业收入的20%。电子元件总产量超过2.8万亿只，年均增长5.7%，满足国内70%的市场需求，电子元件出口总额达到860亿美元，年均增长10%。 (3)国务院电子产业规划：国务院正式发布《电子信息产业调整和振兴规划》，提出目标：产业发展对GDP增长的贡献不低于0.7个百分点，三年新增就业岗位超过150万个，软件和信息服务收入比重将从12%提高到15%。三大任务：确保计算机、电子元器件、视听产品等骨干产业稳定增长；突破集成电路、新型显示器件、软件等核心产业的关键技术；在通信设备、信息服务、信息技术应用等领域培育新的增长点。七大举措：落实扩大内需措施、加大国家投入、加强政策扶持、完善投融资环境、支持优势企业并购重组、进一步开拓国际市场、强化自主创新能力建设。 (4)“十三五”规划纲要中指出，实施国家大数据战略。把大数据作为基础性战略资源，全面实施促进大数据发展行动，加快推动数据资源共享开放和开发应用，助力产业转型升级和社会治理创新。全面推进重点领域大数据高效采集、有效整合，深化政府数据和社会数据关联分析、融合利用，提高宏观调控、市场监管、社会治理和公共服务精准性和有效性。

传感器：传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并将感受到的信息按一定规律变换成为电信号，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。

第三代半导体：第三代半导体（也称为宽能隙半导体材料）是指以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石、氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体材料。

智能机器：机器人是指自动执行工作的机器装置，既可以接受人类指挥，又可以运行预先编排的程序，也可以根据以人工智能技术制定的原则纲领行动，协助或取代人类工作。

工业互联网：工业互联网通过三大体系，网络、平台和安全，打造人、机、物全面互联的新型网络基础设施，形成工业智能化发展的新兴业态和应用模式。其中网络是基础，工业互联网的网络体系将连接对象延伸到机器设备、工业产品和工业服务，可以实现人、机器、车间、企业等主体以及设计、研发、生产、管理、服务等产业链各环节的全要素的泛在互联，以及数据的顺畅流通。

IGBT：IGBT是指绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。它是电力电子器件中技术最为先进、市场前景广阔的电子元器件。

央企改革：本概念板块选取上市公司实控人（含最终实控人）为央企背景的予以入选。